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[常见问题解答]如何通过拉电流和灌电流优化电子设备的性能?[ 2024-09-14 15:52 ]
在现代电子设备的设计中,精确控制电流的流向和大小是至关重要的。拉电流(Sink Current)和灌电流(Source Current)是电路设计中的两个基本概念,它们分别描述了电流向地(GND)流动和从电源向负载流动的能力。合理地应用这两种电流不仅能提高电子设备的性能,还能增强其效率和可靠性。本文将探讨如何通过精细调控拉电流和灌电流来优化电子设备的性能。一、理解拉电流与灌电流拉电流通常在数字电路中应用,尤其是在逻辑门输出低电平时。例如,使用NPN型晶体管,电流可以从集电极拉向发射极,最终流向地线,这样有助于快速清
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[常见问题解答]推挽输出电路中电平高低解析[ 2024-03-28 17:02 ]
推挽输出电路中电平高与低解析推挽电路(push-pull)就是两个不同极性晶体管间连接的输出电路。它采用两个参数相同的功率BJT管或MOSFET管,以推挽方式存在于电路中,各负责正负半周的波形放大任务。电路工作时,两只对称的功率开关管每次只有一个导通,所以导通损耗小,效率高。推挽输出既可以向负载灌电流,也可以从负载抽取电流。在电路设计中,推挽输出是一种很常用的输出模式,具有很多优点,如更低的损耗、更安全的输出等。“推挽”之意,即为当一个管子推出去时,另一个管子拉回来。输入不同,交替导通。例如
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[常见问题解答]高速MOS驱动应用指南详解[ 2020-11-11 15:47 ]
高速MOS驱动应用指南详解高速MOS驱动应用指南高速MOS驱动应用:双极晶体管和场效应晶体管有着相同的工作原理。从根本上说,,两种类型晶体管均是电荷控制元件,即它们的输出电流和控制极半导体内的电荷量成比例。当这些器件被用作开关时,两者必须和低阻抗源极的拉电流和灌电流分开,用以为控制极电荷提供快速的注入和释放。从这点看,MOS-FET在不断的开关,当速度可以和双极晶体管相比拟时,它被驱动的将十分的‘激烈’。理论上讲,双极晶体管和MOSFET的开关速度是基本相同的,这取决与载流子穿过半导体所需的
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[常见问题解答]mos管推挽电路组成结构及特点 晶体管与CMOS驱动级推挽电路图[ 2020-09-11 16:46 ]
mos管推挽电路组成结构及特点 晶体管与CMOS驱动级推挽电路图推挽电路mos管推挽电路,什么是推挽电路。推挽电路就是两个不同极性晶体管间连接的输出电路。推挽电路采用两个参数相同的功率BJT管或MOSFET管,以推挽方式存在于电路中,各负责正负半周的波形放大任务,电路工作时,两只对称的功率开关管每次只有一个导通,所以导通损耗小效率高。推挽输出既可以向负载灌电流,也可以从负载抽取电流。推挽电路的组成结构mos管推挽电路,看看推挽电路的组成结构。如果输出级的有两个三极管,始终处于一个导通、一个截止的状态,也就是两个三极
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