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[常见问题解答]高性能MOS管选型指南：如何看懂质量与稳定性参数[ 2025-04-17 10:55 ]

在功率电子设计中，MOSFET（场效应晶体管）以其快速开关速度、低导通电阻以及优异的热稳定性，成为电源管理、电机驱动、逆变器等领域不可或缺的核心元件。然而，面对市面上种类繁多、参数各异的MOS管，工程师在选型时常常遇到困扰。一、导通电阻Rds(on)：影响发热和能耗的关键参数导通电阻是判断MOS管性能的重要指标之一，数值越小，在工作状态下电压降越低，发热量越少。例如，用于高频DC-DC转换器的MOSFET，Rds(on)应控制在几毫欧以下，以确保转换效率最大化。需要注意的是，在选型时应同时参考其在特定漏极电压和栅压

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[常见问题解答]漏极电压与沟道关系：MOS管沟道为何在电压增大时变窄？[ 2024-10-23 16:05 ]

MOSFET是电子电路中常用的半导体器件，利用电场来控制导电通道的形成和电流的流动。随着漏极电压的增加，沟道宽度的变化对器件性能产生显著影响，特别是在高频电路和电力电子领域。MOS管的沟道会随着漏极电压的增加而变窄，其背后的物理机制是多方面的。一、MOS管的基本工作原理要了解漏极电压对沟道的影响，我们首先需要了解MOS管是如何由栅极、漏极、源极和衬底组成的。MOS管的类型为n型源漏掺杂区，衬底通常为p型半导体，栅极通过氧化层与衬底绝缘，形成绝缘栅结构。当在栅电极之间施加电压时，栅极下方的基板区域由于电场的作用而形成

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[常见问题解答]场效应管电源开关电路介绍[ 2023-10-13 18:21 ]

场效应管电源开关电路介绍OS管开关电路是利用MOS管栅极（g）控制MOS管源极（s）和漏极（d）通断的原理构造的电路。因MOS管分为N沟道与P沟道，所以开关电路也主要分为两种。一般情况下普遍用于高端驱动的MOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压（VCC）相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V.如果在同一个系统里，要得到比VCC大的电压，就要专门的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS管。MOS

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[常见问题解答]场效应管10N65怎么测量好坏[ 2023-08-09 18:01 ]

MOS管10N65怎么测量好坏为什么要检测mos管的好坏？为了保护板上的其他元件，在将MOS管10N65连接到电路之前对其进行测试至关重要。mos管10N65主要有漏极、源极和栅极三个引脚。当使用有故障的MOS管时，会发生漏极到栅极的短路，对电路不利。这种短路的结果可能是漏极电压反馈，这也会影响栅极端子。电压到达该端后，通过栅极电阻进一步传输到驱动电路，这种传输可能对驱动电路造成进一步的损坏。因此，在使用前检测mos管10N65的质量可以避免损坏整个电路。那么MOS管10N65如何测量好坏呢？测量mos管10N65

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[常见问题解答]MOS管开关原理及基础知识详解[ 2022-12-30 17:50 ]

一般情况下普遍用于高端驱动的 MOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压，而高端驱动的 MOS 管导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同，所以这时栅极电压要比 VCC 大 4V 或 10V。如果在同一个系统里，要得到比 VCC 大的电压，就要专门的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动 MOS 管。MOS 管是电压驱动，按理说只要栅极电压到到开启电压就能导通 DS，栅极串多大电阻均能导通。但如果要求开关频率较高时，栅对地或 VCC 可以看做是一个电容，对

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[常见问题解答]场效应MOS管和最简单的CMOS逻辑门电路解析-壹芯微[ 2021-08-04 11:46 ]

场效应MOS管和最简单的CMOS逻辑门电路解析-壹芯微现代单片机主要是采用CMOS工艺制成的。以N型管为例，2端为控制端，称为[栅极]；3端通常接地，称为[源极]；源极电压记作Vss，1端接正电压，称为[漏极]，漏极电压记作VDD。要使1端与3端导通，栅极2上要加高电平。1、MOS管MOS管又分为两种类型：N型和P型。如下图所示：以N型管为例，2端为控制端，称为[栅极]；3端通常接地，称为[源极]；源极电压记作Vss，1端接正电压，称为[漏极]，漏极电压记作VDD。要使1端与3端导通，栅极2上要加高电平。对P型管，

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[常见问题解答]〔壹芯〕生产MMBTA92晶体管,参数达标,质量稳定[ 2021-06-10 10:00 ]

〔壹芯〕生产MMBTA92晶体管,参数达标,质量稳定晶体管(TRANSISTORS)型号：MMBTA92　　　　　　极性：PNPIC(mA)：500　　　　　　　　BVCBO(V)：300BVCEO(V)：300　HFE　MIN：100　MAX：200 VCE(sat)　(V)：0.2　IC(mA)：20　IB(mA)：2封装：SOT-89 TO-92电力场效应晶体管的换流安全工作区在电力MOSFET换流过程中，当器件体内反并联二极管从导通状态进入反向恢复期时，如果漏极电压上升率duDS/dt过大，则很容

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[常见问题解答]场效应管常用三大作用介绍:放大作用-恒流输出-开关导通[ 2021-03-31 10:23 ]

场效应管常用三大作用介绍:放大作用-恒流输出-开关导通1、放大电路场效应管具有输入阻抗高、低噪声等特点，因此经常作为多级放大电流的输入级，与三极管一样，根据输入、输出回路公共端选择不同，将场效应管放电电路分为共源、公漏、共栅三种状态，如下图是场效应管共源放大电路，其中：Rg是栅极电阻，将Rs压降加至栅极；Rd是漏极电阻，将漏极电流转换成漏极电压，并影响放大倍数Au；Rs是源极电阻，为栅极提供偏压；C3是旁路电容，消除Rs对交流信号的衰减。2、电流源电路恒流源在计量测试应用很广泛，如下图是主要是由场效应管组成的恒流源

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[常见问题解答]MOSFET击穿电压-MOS管击穿特性原因以及解决方案[ 2020-12-08 15:50 ]

MOSFET击穿电压-MOS管击穿特性原因以及解决方案MOSFET击穿电压有哪几种场效应管的三极:源级（Source）S、漏级（Drain）D、栅级（Gate）G(这里不讲栅极GOX击穿了啊，只针对MOSFET击穿电压漏极电压击穿)先讲测试条件，都是源栅衬底都是接地，然后扫描漏极电压，直至Drain端电流达到1uA。所以从器件结构上看，它的漏电通道有三条：Drain（漏级）到source（源级）、Drain（漏级）到Bulk、Drain（漏级）到Gate（栅级）。1)MOSFET击穿电压-Drain（漏极）->

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[常见问题解答]分析短沟道效应-MOSFET的短沟道效应知识[ 2020-11-10 16:57 ]

分析短沟道效应-MOSFET的短沟道效应知识MOSFET的短沟道效应当MOS晶体管的沟道长度小到可以和漏结及源结的耗尽层厚度相比拟时,会出现一些不同于长沟道MOS管特性的现象,统称为短沟道效应，它们归因于在沟道区出现二维的电势分布以及高电场。MOSFET的短沟道效应：当沟道区的掺杂浓度分布一定时,如果沟道长度缩短,源结与漏结耗尽层的厚度可与沟道长度比拟时，沟道区的电势分布将不仅与由栅电压及衬底偏置电压决定的纵向电场有关，而且与由漏极电压控制的横向电场也有关。换句话说,此时缓变沟道近似不再成立。这个二维电势分布会导致

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[常见问题解答]MOS管击穿-你了解几种-MOS管击穿解析[ 2020-08-28 17:35 ]

MOS管击穿-你了解几种-MOS管击穿解析MOS管击穿有哪些?场效应管的三极：源级S 漏级D 栅级G。先讲测试条件，都是源栅衬底都是接地，然后扫描漏极电压，直至Drain端电流达到1uA。所以从器件结构上看，它的漏电通道有三条：Drain到source、Drain到Bulk、Drain到Gate。（一） Drain-》Source穿通击穿这个主要是Drain加反偏电压后，使得Drain/Bulk的PN结耗尽区延展，当耗尽区碰到Source的时候，那源漏之间就不需要开启就形成了通路，所以叫做穿通（punch thr

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[常见问题解答]MOS管开关电路知识-解析MOS管在开关电路中的使用[ 2020-06-26 16:35 ]

MOS管开关电路知识-解析MOS管在开关电路中的使用MOS管开关电路是利用MOS管栅极（g）控制MOS管源极（s）和漏极（d）通断的原理构造的电路。因MOS管分为N沟道与P沟道，所以开关电路也主要分为两种。一般情况下普遍用于高端驱动的MOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压（VCC）相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V.如果在同一个系统里，要得到比VCC大的电压，就要专门的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的

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[常见问题解答]MOS管的结构-选择与原理应用[ 2020-03-02 14:06 ]

MOS管的结构-选择与原理应用 MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。一般情况下普遍用于高端驱动的MOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压，而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压（VCC）相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。如果在同一个系统里，要得到比VCC大的电压，就要专门的升压电路了。很多马达驱动器都集成了

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[常见问题解答]mos管源漏极-mosfet管栅极电压-P型mosfet管的解析[ 2019-09-18 11:24 ]

MOSFET 管的最大栅极电压大部分MOSFET管指定了最大栅源极间电压(±20V）。假定超越这个限制，器件就容易被损坏。当MOSFET管工作时运用栅极输入电阻，并在一个具有较大供电电压的电路中关断，就会呈现栅极电压超限的问题。以一个工作于直流线电压为 160V （最大可为 186V）电路中的正激变换器为例中止分析。当MOSFET管在最大线电压下关断，它的漏极电压上升到 2 倍线电压即 372V 。这个正向电压前沿的一部分藕合回来，由Crss 和 Ciss 分压。关于MTH7N45 管

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[常见问题解答]漏极电流与漏源极间电压[ 2019-09-12 11:10 ]

90%满载状况下，输入电压为其最小值、最大值及额定值时漏极电流和漏源极间电压的波形这些波形如图 14.19 所示。MOS管开关电源管导通时，初级电流波形是线性增加的斜坡外形关断霎时，上升的漏极电压上有漏感尖峰。尖峰的数值由 RCD 缓冲器的电容 C2 控制。这个电容器件应选得足够大，既能限制漏感尖峰以保证开关管平安，又不会使缓冲器电阻 RI 上的损耗过大。从图 14.19 中的波形可见，飞c增加时，为坚持主输出电压恒定脉宽变窄了（反应环起作用）。从波形还能够看出，输出功率恒定时斜坡电流峰值在一

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