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[常见问题解答]如何控制MOS管制造中的工艺变量[ 2025-04-15 11:07 ]: 在半导体行业，MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是一种至关重要的器件，广泛应用于集成电路、开关电源以及数字电路中。随着集成电路技术的不断进步，MOS管的制造工艺日益复杂，而其中的工艺变量会直接影响MOS管的性能、稳定性和可靠性。1. 工艺变量的定义与影响在MOS管制造过程中，有多个工艺变量可能影响最终的器件性能。主要的工艺变量包括掺杂浓度、氧化层厚度、光刻工艺的精度、退火工艺的温度和时间等。这些变量的变化不仅会影响MOS管的电气特性，如阈值; http://www.szyxwkj.com/Article/rhkzmosgzz_1.html

[常见问题解答]MOS管场效应管的动态特性介绍[ 2023-04-15 13:50 ]: 一个MOSFET管的动态响应只取决于它充(放)电这个器件的本身寄生电容和由互连线及负载引起的额外电容所需要的时间。本征电容的主要来源有三个：基本的MOS结构、沟道电荷以及漏和源反向偏置pn结的耗尽区。MOS结构电容MOS晶体管栅通过栅氧与导电沟道相隔离，栅电容Cg取决于栅氧单位面积电容Cox的电容值，氧化层厚度越薄，电容值越低。从MOS管的结构可以看出，在实际中，源和漏与栅有交叠的部分，从而引起栅源、栅漏之间产生覆盖电容。沟道电容栅至沟道的电容Cgc的大小取决于工作区域和端口电压，当晶体管处于截至区域时(a)，没; http://www.szyxwkj.com/Article/mosgcxygdd_1.html

[常见问题解答]半导体器件超结MOSFET知识[ 2019-09-09 14:33 ]: 通过调整深槽结构的宽度等各种参数，终极得到终端结的击穿电压为740伏特。使用场板的IGBT的终端结构，通过调整场板的长度以及氧化层厚度以进步终端结构的击穿电压，最后利用TCAD软件对设计的终端结构进行模拟仿真优化设计的结果，使得该终端结构达到了1200伏的击穿电压。同时，采用深槽结构的终端结在进步的击穿电压的基础上也大大节约了芯片的面积。。基于超结概念的超结MOSFET用采用交替的高掺杂N柱和P柱代替了传统高阻的n型漂移区，打破了传统意义上击穿电压对导通电阻的强烈制衡（Ron∝VB2.5），使两者之间几乎; http://www.szyxwkj.com/Article/bdtqjcjmos_1.html

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