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[常见问题解答]高压SiC MOSFET栅氧老化行为研究及加速测试方法探索[ 2025-04-16 14:55 ]
在高电压、高温、高频的电力电子应用中,碳化硅MOSFET因其出色的材料特性逐渐取代传统硅基器件,成为高压领域的核心选择。然而,器件的长期可靠性依然是制约其大规模应用的关键因素,特别是栅极氧化层的老化行为及其导致的性能退化问题,已成为研究和工业界共同关注的技术焦点。一、SiC MOSFET栅氧老化机制概述相较于硅器件,SiC MOSFET采用热氧化工艺形成的栅极氧化层存在较多界面缺陷,源于碳原子在氧化过程中的难以完全去除。这些残留的碳相关缺陷在高场高温条件下会加速电子捕获,导致阈值电压漂移、栅漏电流上升,严重时甚至引
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