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[常见问题解答]MOSFET驱动电路设计：栅极电流为何要超大尽管栅-源阻抗高？[ 2025-01-07 10:51 ]

在现代电子设计中，MOSFET（场效应晶体管）广泛用于功率控制、信号放大以及数字电路中的关键开关元件。然而，设计MOSFET驱动电路时存在一些常见问题。由于 MOSFET 器件通常具有较大的栅源阻抗，为什么我们在驱动这些器件时需要保持较大的栅极电流？一、MOSFET 和晶体管之间的根本区别为了更好地理解这个问题，我们必须首先比较 MOSFET 和传统三极管的工作原理。三极管是一种限流器件，依靠基极电流来控制集电极电流，MOSFET是稳压器。受控设备。换句话说，MOSFET 的控制信号通过栅极电压来调节源极和漏极之间

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[常见问题解答]晶闸管门极触发电压限制：最高允许值解析[ 2024-10-08 14:31 ]

晶闸管，也称为可控硅整流器（SCR），是电力电子中非常重要的半导体器件。它通过控制栅极电压实现导通或关断，广泛应用于电机驱动、功率控制、AC/DC转换等领域。在这些应用中，详细分析栅极触发电压的正确设置，特别是最大允许值及其相关因素，对于晶闸管的安全高效运行非常重要。一、什么是栅极触发电压栅极触发电压是指晶闸管由关断状态转变为导通状态时，栅极与阴极之间存在的最小电压值。该电压通过控制栅极电流来触发晶闸管的内部电流传输。如果触发电压不足，晶闸管将保持关断状态，无法导通电流。然而，过高的电压可能会损坏设备或导致整个电路

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[常见问题解答]全面了解N沟道增强型MOSFET：优点、缺点及应用前景[ 2024-09-27 14:40 ]

N沟道增强型MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是现代电子器件中不可或缺的组成部分。它的设计与功能使其在许多应用中表现出色。本文将深入探讨N沟道增强型MOSFET的优缺点以及未来的应用前景。一、优点1. 高输入阻抗N沟道增强型MOSFET的栅极与沟道之间隔离着一层绝缘材料（如二氧化硅），这使得其输入阻抗极高，几乎不消耗栅极电流。这一特性使得MOSFET在信号放大和开关应用中，能够有效维护信号的完整性和稳定性。2. 低开关损耗与其他类型的开

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[常见问题解答]如何用双向可控硅触发电路的原理图介绍[ 2024-01-31 17:46 ]

如何用双向可控硅触发电路的原理图介绍当触发器件所需的栅极电流高于控制电路输出电流能力时，必须放大控制电路输出电流。例如，如今许多 MCU 的输出引脚的电流能力约为 30 mA。借助 IGT，他们可以安全地切换高达 15 至 20 mA 的双向可控硅。如果具有 35 或 50 mA IGT 的 Triac 必须由此类 MCU 控制，则以下是两种解决方案。首先，并联使用多个 MCU 输出引脚（最好是在每个输出引脚和 Triac 栅极之间使用单独的栅极电阻，以确保每个引脚之间良好的电流重新分配）。其次，使用如下示意图所示

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[常见问题解答]电路设计，可控硅电路如何触发的方法原理介绍[ 2023-12-12 18:56 ]

电路设计，可控硅电路如何触发的方法原理介绍在设计可控硅（SCR）触发电路时，可控硅（SCR）整个区域的运行很大程度上取决于其触发方式。在进行电路设计时，需要特别注意确保没有误触发，同时确保晶闸管在需要时触发。在可控硅（SCR）触发中，包括栅极驱动要求（如果使用栅极触发）、触发时间（需要保持所施加的触发激励时间以使电路锁存）等各个方面都很重要，各种参数的重要性取决于所使用的可控硅（ SCR ）触发形式。可控硅（SCR）触发方法总结可控硅的触发主要取决于温度、供电电压、栅极电流等不同的变量。当向可控硅施加电压时，如果阳

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[常见问题解答]怎么触发导通可控硅介绍[ 2023-05-15 16:35 ]

怎么触发导通可控硅介绍可控硅可以通过控制电压或电流来触发导通。当电压或电流达到一定的阈值时，可控硅就会导通，从而控制电流的方向和大小。可控硅还可以用来控制电路的功率，从而控制电路的输出功率。此外，可控硅还可以用来控制电路的频率，从而控制电路的输出频率。可控硅触发的工作原理是，当可控硅的触发信号达到一定的阈值时，可控硅就会导通，从而控制电流的方向和大小。可控硅触发可以更快地控制电流的方向和大小，因此可以更有效地控制电路的输出功率和频率。可控硅（SCR）触发方法总结可控硅的触发主要取决于温度、供电电压、栅极电流等不同的

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[常见问题解答]晶闸管和双向可控硅介绍[ 2023-01-30 16:52 ]

晶闸管晶闸管是一种可控整流器，其中从阳极到阴极的单向电流由从栅极到阴极的小信号电流启动。图 1 晶闸管原理图符号晶闸管的工作特性如图2所示。图 2 晶闸管 V/I 特性打开晶闸管通过使其栅极相对于其阴极为正来导通，从而使电流流入栅极。当栅极电压达到阈值电压 VGT 并且产生的电流达到阈值电流 IGT 时，在称为栅极控制导通时间 tgt 的非常短的时间内，负载电流可以从“a”流向“k” .如果栅极电流由非常窄的脉冲组成，比如小于 1µs，则其峰值电平将不得不

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[常见问题解答]场效应管放大电路特点解析[ 2021-04-24 09:55 ]

场效应管放大电路特点解析对应三极管的共射、共集及共基放大电路，场效应管放大电路也有共源、共漏和共栅三种基本组态。下面以JFET组成的共源极放大电路为例，介绍场效应管放大电路的工作原理。1.自偏压电路自偏压电路如图3-10所示。在图中，场效应管栅极通过栅极电阻RG接地，源极通过源极电阻RS接地。这种偏置方式利用JFET(或耗尽型MOS管)在栅源电压uGS=0时，漏极电流iD≠0的特点，以漏极电流在源极电阻RS上的直流压降，给栅源之间提供反向偏置电压。也就是说，在静态时，源极电位uS=iDRS，由于栅极电流为0，

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[常见问题解答]MOSFET及JFET比较-如何保护mosfet设备[ 2020-04-18 16:04 ]

MOSFET及JFET比较-如何保护mosfet设备MOSFET和JFET的比较JFET与MOSFETMOSFET 和 JFET的工作原理和电气特性非常相似。但是，它们在某些方面有所不同，详情如下：MOSFET与JFET1. JFET只能在耗尽模式下工作，而MOSFET可以在耗尽或增强模式下工作。在JFET中，如果栅极正向偏置，则发生过量载流子禁令并且栅极电流很大。因此，由于过量的载流子，信道电导在某种程度上得到增强，但是由于栅极电流是不希望的，所以器件从不以栅极正向偏置操作。2. MOSFET的输入阻抗远高于J

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