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[常见问题解答]场效应管引脚辨识全指南：三极如何快速区分？[ 2025-03-26 17:58 ]

在实际电子制作或维修过程中，我们经常会遇到各种类型的场效应管（FET），而准确识别其三个引脚——源极（Source）、漏极（Drain）和栅极（Gate），则是使用这类器件的关键步骤。尤其在面对没有明确型号标识或数据手册的器件时，掌握一些实用的辨别技巧将大大提高工作效率。一、基础回顾：场效应管的三大引脚场效应管是一种电压控制型半导体器件，常见于信号放大、电平转换、功率驱动等场景。无论是结型场效应管（JFET），还是绝缘栅型场效应管（MOSFET），它们都拥有三个主要引脚：- 源极（S）：电流

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[常见问题解答]什么是MOS管的连续漏极电流？从基础到实际应用的全面剖析[ 2024-10-23 15:50 ]

MOS管（金属氧化物半导体场效应晶体管）是非常常见的器件。它在放大电路的各种电流管理和漏电流中起着重要作用，直接影响MOS管的工作效率和稳定性。本文将从基本概念出发，详细分析MOS管的连续漏极电流，并讨论其实际应用。一、什么是连续电流连续漏极电流是指MOS管长时间稳定工作时从漏极流向源极的电流。它是MOS管的主要性能指标之一，直接反映MOS管在特定电压和温度条件下的性能。当MOS管处于导通状态时，这个电流的大小决定了电路中MOS管的输出特性、制造工艺、使用环境等。在器件数据手册中，该参数通常为ID（漏极电流），以帮

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[常见问题解答]开关稳压器中的电流模式控制介绍[ 2023-03-08 18:05 ]

有数千款不同的开关稳压器，用户会基于不同的参数选择所需的类型，例如输入电压范围、输出电压范围、最大输出电流，以及许多其他参数。本文将针对电流模式进行介绍，这是数据手册中常见的一项重要特性，同时还会分析此模式的优缺点。图1.电流模式稳压器的基本工作原理电流模式稳压器解析图1显示电流模式稳压器的基本工作原理。这里，不止将反馈电压与内部基准电压进行比较，还将其与生成电源开关所需的PWM信号所用的锯齿形电压斜坡进行比较。在电压模式稳压器中，该斜坡的斜率是固定的。在电流模式稳压器中，斜率取决于电感电流，由图1所示的开关节点的

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[常见问题解答]ESD二极管兼作温度传感器介绍[ 2023-02-09 16:26 ]

问：根据数据手册规格估算高速放大器的结温有多准确？结温是否易于测量？答：从环境温度（T一个）、功耗（PD），和热阻 θJA），如公式1所示。TJ = TA + PDθJA (1)他告诉我一种替代方法，通过使用片上输出级保护二极管作为温度传感器来获得常用3端子稳压器的结温。他的公司在日常测试和评估期间使用保护二极管测量稳压器的结温。这种温度检测技术也可用于高速运算放大器。在图1中，二极管D3和D4保护运算放大器免受静电放电（ESD）的损坏。二极管 D

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[常见问题解答]双端口、双极性电源方案电路设计介绍[ 2022-11-24 16:27 ]

双象限电源可以为相同的输出端口提供正电压或负电压，而采用LT8714 4象限控制器可以轻松制造出这种电源。此处所示的双象限电源可用于多种应用，从玻璃贴膜（更改极性会改变晶体分子的排列）到测试测量设备，应用广泛。Lt8714数据手册描述了双象限电源在第一个象限（正输入、正输出）和第三个象限（正输入、负输出）的工作方式。注意，在这两个象限中，电源都提供源电流，因此会产生电源，而非接收电源。第二象限和第四现象产生接收电源。电路描述及功能图1所示为双象限电源LT8714的电路图。动力系统由NMOS QN1、NMOS QN2

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[常见问题解答]关于开关频率需要考虑的详情介绍[ 2022-10-22 15:53 ]

根据其数据手册技术规格，开关稳压器 IC 中内置的振荡器通常可用于非常宽的频率范围。例如：单片 ADP2386 降压变换器 IC 可确保其开关频率在设定值的±10%范围内。其他常用的开关稳压器 IC 则指定为设定值的±20%或更高范围。由于 ADP2386 开关频率具有±10%的变化范围，在极端情况下，ADP2386 使用 RT 将开关频率设置为 600 kHz，即可在 540 kHz 和 660 kHz 频率下进行开关转换。图 1. ADP2386 降压变换器，其开关频率

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[常见问题解答]运算放大器基本电路_运算放大器电路符号介绍[ 2022-09-13 18:13 ]

运算放大器（简称“运放”）是具有很高放大倍数的电路单元。在实际电路中，通常结合反馈网络共同组成某种功能模块。它是一种带有特殊耦合电路及反馈的放大器。其输出信号可以是输入信号加、减或微分、积分等数学运算的结果。由于早期应用于模拟计算机中用以实现数学运算，因而得名“运算放大器”。1.1 电源供电和单电源供电所有的运算放大器都有两个电源引脚，一般在资料中，它们的标识是 VCC＋和 VCC－，但是有些时候它们的标识是 VCC＋和 GND。这是因为有些数据手册的作者企图将这种标

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[常见问题解答]IGBT换流回路中杂散电感的测量介绍 | 壹芯微[ 2022-09-02 19:04 ]

换流回路中的杂散电感会引起波形震荡，EMI或者电压过冲等问题。因此在电路设计的时候需要特别留意。本文给出了电路杂散电感的测量方法以及模块数据手册中杂散电感的定义方法。图1为半桥电路的原理电路以及开关上管IGBT1时产生的电压和电流波形。作为集中参数显示的电路杂散电感Lσ，代表了整个回路（阴影区域）中的所有的分布电感（电容器、母线和IGBT模块）。半桥电路以及开关IGBT1时的电流和电压波形由于电流的变化，在杂散电感Lσ上产生了Lσ*dioff/dt的电压降。它叠加在DC-link电压Vcc上，被看作是关断IGBT1

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[常见问题解答]大功率晶闸管参数解析之正向特性介绍[ 2022-08-24 17:24 ]

功率二极管晶闸管广泛应用于AC/DC变换器、UPS、交流静态开关、SVC和电解氢等场合，但大多数工程师对这类双极性器件的了解不及对IGBT的了解，为此我们组织了6篇连载，包括正向特性，动态特性，控制特性，保护以及损耗与热特性。电气特性二极管和晶闸管的电气特性随温度变化而变化，因此只有针对特定温度给出的电气特性才是有效的。除非另有说明，否则数据手册中的所有值均适用于40至60Hz的电源频率。最大值为制造商以绝对极限值形式给出的值，通常即使在短时间内也不可超过此值，否则可能导致元件功能下降或损坏。特征值为规定条件下的数

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[行业资讯]STD3NK50Z参数,中文资料,规格书 - 场效应MOS管 - 壹芯微[ 2021-12-28 16:16 ]

STD3NK50Z参数,中文资料,规格书 - 场效应MOS管 - 壹芯微STD3NK50Z中文参数,STD3NK50Z封装引脚图,STD3NK50Z数据手册,MOS管选型替代(生产厂家)STD3NK50Z场效应管封装TO-252,TO-251,TO-92,特征· 典型 RDS(on)=2.8Ω· 极高的dv/dt能力· ESD改进能力）· 100%雪崩测试· 新的高压基准· 栅极电荷最小化绝对最大额定值（TC=25°C，除非

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[行业资讯]TK3P50D参数,中文资料,规格书 - 场效应MOS管 - 壹芯微[ 2021-12-28 16:05 ]

TK3P50D参数,中文资料,规格书 - 场效应MOS管 - 壹芯微TK3P50D中文参数,TK3P50D封装引脚图,TK3P50D数据手册,MOS管选型替代(生产厂家)TK3P50D场效应管封装TO-252特征开关稳压器(1) 低漏源导通电阻：RDS(ON)=2.3Ω（典型值）(2) 高前向转移导纳：|Yfs|=1.0S（典型值）(3) 低漏电流：IDSS=10µA（最大值）（VDS=500 V）(4) 增强模式：Vth=2.4至4.4V（VDS=10V，ID=1mA）绝对最大额定值（TC=25&de

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[行业资讯]HMC8038LP4CE规格参数数据手册PDF〔壹芯微〕[ 2021-12-22 11:53 ]

HMC8038LP4CE规格参数数据手册PDF〔壹芯微〕描述HMC8038LP4CE是一种高隔离、无反射、0.1GHz至6.0GHz硅单刀双掷(SPDT)开关，采用无铅表面安装封装。该交换机是蜂窝基础设施应用的理想选择，可产生高达4.0GHz的高达62dB的隔离，高达4.0GHz的低0.8dB的插入损耗，以及60dBm的输入三阶截距。功率处理在高达6.0GHz时非常出色，它为35dBm(VDD=5V)的0.1dB压缩点(P0.1dB)提供了输入功率。在极低直流电流下，从0V到1.8V/3.3V/5.0V的单正电压

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[行业资讯]SPD02N50C3场效应管参数 (MOS管) SPD02N50C3规格书参数代换〔壹芯微〕[ 2021-12-21 13:39 ]

SPD02N50C3场效应管参数 (MOS管) SPD02N50C3规格书参数代换〔壹芯微〕SPD02N50C3中文参数,SPD02N50C3封装引脚图,SPD02N50C3数据手册,MOS管选型替代(生产厂家)SPD02N50C3场效应管主要参数（最大额定值）：漏源电压(VDSS)：560V栅源电压(VGSS)：±20V雪崩电流(IAR)：1.8A漏极电流-连续(TJ=25°C)(ID)：1.8A漏极电流-连续(TJ=100°C)(ID)：1.1A漏极电流-脉冲(IDPlus)：5.

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[行业资讯]SDU05N04场效应管参数 (MOS管) SDU05N04规格书参数代换〔壹芯微〕[ 2021-12-21 11:58 ]

SDU05N04场效应管参数 (MOS管) SDU05N04规格书参数代换〔壹芯微〕SDU05N04中文参数,SDU05N04封装引脚图,SDU05N04数据手册,MOS管选型替代(生产厂家)SDU05N04场效应管主要参数（最大额定值）：漏源电压(VDSS)：400V栅源电压(VGSS)：±30V漏极电流-连续(TJ=25°C)(ID)：4A漏极电流-连续(TJ=70°C)(ID)：3.3A漏极电流-脉冲(IDM)：12A单脉冲雪崩能量(EAS)：2.5mJ功耗(TC=25°

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[行业资讯]FDD5N50场效应管参数 (MOS管) FDD5N50规格书参数代换〔壹芯微〕[ 2021-12-21 11:17 ]

FDD5N50场效应管参数 (MOS管) FDD5N50规格书参数代换〔壹芯微〕FDD5N50中文参数,FDD5N50封装引脚图,FDD5N50数据手册,MOS管选型替代(生产厂家)FDD5N50场效应管主要参数（最大额定值）：漏源电压(VDSS)：500V栅源电压(VGSS)：±30V雪崩电流(IAR)：4A漏极电流-连续(TJ=25°C)(ID)：4A漏极电流-连续(TJ=100°C)(ID)：2.4A漏极电流-脉冲(IDM)：16A单脉冲雪崩能量(EAS)：256mJ重复雪崩能量

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[行业资讯]CJU04N65场效应管参数 CJU04N65参数资料规格书〔壹芯微〕[ 2021-12-20 14:45 ]

CJU04N65场效应管参数 CJU04N65参数资料规格书〔壹芯微〕CJU04N65参数资料,选型替代,CJU04N65封装引脚图,数据手册,MOS管生产厂家漏源电压(VDSS)：650V栅源电压(VGSS)：±30V漏极电流-连续(TJ=25°C)(ID)：4.0A漏极电流-脉冲(IDM)：16A单脉冲雪崩能量(EAS)：280mJ功耗(TC=25°C)(PD)：1.25W工作与贮存温度范围(TJ,TSTG)：-55~+150°С焊接的最高引线温度(TL)：260°

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[行业资讯]JCS5N50RT场效应管参数 JCS5N50RT参数资料规格书〔壹芯微〕[ 2021-12-20 14:38 ]

JCS5N50RT场效应管参数 JCS5N50RT参数资料规格书〔壹芯微〕JCS5N50RT参数资料,选型替代,JCS5N50RT封装引脚图,数据手册,MOS管生产厂家漏源电压(VDSS)：500V栅源电压(VGSS)：±30V雪崩电流(IAR)：5A漏极电流-连续(TJ=25°C)(ID)：5A漏极电流-连续(TJ=100°C)(ID)：3.16A漏极电流-脉冲(IDM)：20A单脉冲雪崩能量(EAS)：305mJ重复雪崩能量(EAR)：10.1mJ二极管恢复峰值(dv/dt)：4.

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[行业资讯]TK5P50D场效应管参数 TK5P50D参数资料规格书〔壹芯微〕[ 2021-12-20 14:09 ]

TK5P50D场效应管参数 TK5P50D参数资料规格书〔壹芯微〕TK5P50D参数资料,选型替代,TK5P50D封装引脚图,数据手册,MOS管生产厂家漏源电压(VDSS)：500V栅源电压(VGSS)：±30V雪崩电流(IAR)：2A漏极电流-连续(TJ=25°C)(ID)：2.8A漏极电流-连续(TJ=100°C)(ID)：1.8A漏极电流-脉冲(IDM)：9A单脉冲雪崩能量(EAS)：120mJ重复雪崩能量(EAR)：60mJ二极管恢复峰值(dv/dt)：50V/ns功耗(TC=

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[行业资讯]AOD3N50场效应管参数 AOD3N50参数资料规格书〔壹芯微〕[ 2021-12-16 18:06 ]

AOD3N50场效应管参数 AOD3N50参数资料规格书〔壹芯微〕AOD3N50参数资料,选型替代,AOD3N50封装引脚图,数据手册,MOS管生产厂家漏源电压(VDSS)：500V栅源电压(VGSS)：±30V雪崩电流(IAR)：2A漏极电流-连续(TJ=25°C)(ID)：2.8A漏极电流-连续(TJ=100°C)(ID)：1.8A漏极电流-脉冲(IDM)：9A单脉冲雪崩能量(EAS)：120mJ重复雪崩能量(EAR)：60mJ二极管恢复峰值(dv/dt)：50V/ns功耗(TC=

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[行业资讯]RJK5030DPD场效应管参数 RJK5030DPD参数资料规格书〔壹芯微〕[ 2021-12-16 17:54 ]

RJK5030DPD场效应管参数 RJK5030DPD参数资料规格书〔壹芯微〕RJK5030DPD参数资料,选型替代,RJK5030DPD封装引脚图,数据手册,MOS管生产厂家漏源电压VDSS：500V栅源电压VGSS：30V漏极电流ID：5A漏极峰值电流ID(脉冲)：20A雪崩电流IAP：5A通道耗散Pch：41.7W通道到外壳的热阻抗符号θch-c：3.0C/W通道温度Tch：150C储存温度Tstg：-55至+150C〔壹芯微〕国内功率半导体制造厂商，主营各类贴片与直插，二极管、三极管、MOS(场效应管)、可

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