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[常见问题解答]浪涌保护器接地电阻的最佳范围及其重要性[ 2024-12-27 11:37 ]

浪涌保护器是现代电气设备防雷、浪涌保护的重要组成部分。性能的关键是设置合适的接地电阻。接地电阻的最佳范围不仅直接取决于电涌保护器的保护效果，而且影响整个系统的安全性和稳定性。本文详细介绍了电涌保护器接地电阻的最佳范围及其重要性。一、不同应用场景的接地电阻要求1. 一般建筑对于住宅、办公楼等一般建筑，接地电阻值一般应小于10欧姆即可满足，能够满足基本的防雷、浪涌泄放要求。2. 关键建筑物和设施在安全要求较高的场所，如数据中心、医院、金融机构等，接地电阻必须保持在4欧姆以下。低接地电阻可以有效减少雷电流的残余能量，保护

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[常见问题解答]硅光子技术的最新进展及其未来应用前景[ 2024-08-30 15:08 ]

硅光子技术近年来取得了显著进展，成为推动现代信息技术革新的关键力量。随着数据传输需求的不断增加，传统电子器件在带宽和能耗方面的局限性日益凸显，硅光子技术以其高效、低功耗的特点，逐渐在数据中心、通信网络和高性能计算等领域展现出巨大的应用潜力。一、最新进展硅光子技术的核心在于将光学器件与硅基集成电路相结合，实现光信号的高效传输与处理。近年来，这一技术在多个方面取得了重要突破：1. 集成度提升：随着制造工艺的不断进步，硅光子器件的集成度显著提升。现代硅光子芯片能够将激光器、调制器、探测器等光学元件与电子电路集成在单一芯片

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[常见问题解答]光通信芯片的演变：是否真正实现了快速发展？[ 2024-06-13 09:50 ]

一、光通信芯片技术的创新趋势光通信芯片作为光电信号互转的关键部件，对整个光通信系统的性能有着决定性的影响。这些芯片主要由激光器和光探测器组成，前者负责将电信号转化为光信号，而后者则执行相反的功能。激光器芯片根据发射结构可分为面发射和边发射两种，其中面发射芯片包括了如VCSEL之类的设备，边发射则涵盖了FP、DFB及EML等类型。探测器方面，主要分为PIN和APD两大类技术。在应用领域，光通信芯片被广泛应用于光纤接入、高速移动通信网络及数据中心等关键领域。光模块，作为光通信设备的核心组件，其性能大部分依赖于光通信芯片

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[常见问题解答]探索双向变换器的工作原理及其电路设计[ 2024-05-14 10:57 ]

在信息系统中，例如数据中心，遇到电力中断时，系统通常需要在几分钟内持续运行，随后由备用电源，如发电机，恢复供电。高效的DC-DC转换器在这种情况下扮演着电池备份系统（BBU）的接口角色。此时，为了维护设备的运转，通常会使用电池组，其上的压降需要通过电源转换接口来调整，以保持适当的总线电压。此外，电池组还需供电以补偿事件后的能量损耗。如果单一的双向DC-DC转换器可以同时承担电池充电和总线接口的功能，那么它将在成本和尺寸上带来显著的优势。双向DC-DC变换器不仅能够从输入端向输出端传输功率，还能从输出端回流至输入端。

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[常见问题解答]非易失性存储器和易失性存储器的区别介绍[ 2022-01-19 18:23 ]

非易失性存储器和易失性存储器的区别介绍近年来，非易失性存储器(nonvolatilememory，NVM)技术得到了快速发展。非易失性存储器主要分为块寻址和字节寻址两类。以闪存(flashmemory)为代表的块寻址非易失性存储器已经广泛应用于嵌入式系统、桌面系统及数据中心等系统中。字节寻址的非易失性存储器主要包括相变存储器(phasechangememory，PCM)、阻变存储器(resistiverandom-accessmemory，RRAM)、自旋矩存储器(spin-transfertorqueRAM，ST

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[常见问题解答]GEN2系列 1200V 3L TO-247肖特基二极管特点与作用介绍[ 2021-10-21 09:58 ]

GEN2系列 1200V 3L TO-247肖特基二极管特点与作用介绍肖特基二极管GEN2系列1200V 3L TO-247有什么特点？相比硅二极管，GEN2碳化硅肖特基二极管可显著降低开关损耗，并大幅提高电力电子系统的效率和可靠性。（GEN2系列1200V、3L TO-247和2L TO-263肖特基二极管）碳化硅技术的高效性为电动汽车充电器、数据中心电源和可再生能源系统的设计师提供了多重优势。由于GEN2碳化硅肖特基二极管相比许多其他解决方案耗散的能量更少，并可在更高的结温下工作，因此需要的散热片和系统占用的

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[常见问题解答]增强型GaN功率晶体管匹配栅极驱动器[ 2019-12-11 15:41 ]

增强型GaN功率晶体管匹配栅极驱动器氮化镓(GaN)HEMT是电源转换器的典范，其端到端能效高于当今的硅基方案，轻松超过服务器和云数据中心最严格的80+规范或USB PD外部适配器的欧盟行为准则Tier 2标准。虽然旧的硅基开关技术声称性能接近理想，可快速、低损耗开关，而GaN器件更接近但不可直接替代。为了充分发挥该技术的潜在优势，外部驱动电路必须与GaN器件匹配，同时还要精心布板。对比GaN和硅开关更高能效是增强型GaN较硅(Si)开关的主要潜在优势。不同于耗尽型GaN，增强型GaN通常是关断的器件，因此它需要一

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