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[常见问题解答]场效应管,MOS管的驱动方式介绍[ 2023-07-21 16:39 ]
场效应管,MOS管的驱动方式介绍MOS管是一种电压型控制器件,具有开挂速度快,输入阻抗高,驱动功率小等一系列优点。常见的MOS驱动方式有以下几种。1、直接驱动直接驱动2、推挽驱动当驱动IC的驱动能力不足时,我们采用推挽驱动,这中驱动方式不仅增加了驱动能力,而且也加速了关断时间。推挽驱动3、变压器驱动变压器驱动MOS管使用变压器驱动,不仅实现电气隔离,而且驱动速度也快,但是使用变压器驱动时,MOS管的占空比不能大于50%,否则变压器会饱和。壹芯微科技专注于“二,三极管、MOS(场效应管)、桥堆&rdquo
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[常见问题解答]MOS管驱动电路介绍[ 2023-02-28 18:31 ]
电源电路必须要有开关,那么什么样的开关会比较好呢?经常用的有三极管,MOS管等,各种开关,其中MOS管它的导通内阻很低,再加上开和关速度极快,广受欢迎,被用在各种开关电源电路上。MOS管被用作开关电路好处这么多,那怎么样能用好它呢?也是有学问的,其中它的驱动电路设计就是最后关键的一步,下面旺哥给大家介绍几个工作中常用的MOS管驱动电路,希望大家喜欢。推挽驱动电路此图为一个推挽驱动MOS管电路,它最大的优势就是提高驱动能力,毕竟芯片驱动能力有限。下面具体分析电路原理。当我们想要打开MOS管时,芯片IO口输出一个高电平
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[常见问题解答]三极管推挽电路设计介绍[ 2023-02-23 16:10 ]
当驱动光耦的输出能力无法满足IGBT门极驱动电流的要求时,要选择使用推挽驱动。(1) IGBT门极峰值电流计算IGBT门极峰值电流Imax=0.74*△VGE/(Rg+Rint)△VGE为IGBT驱动电压变化量,Rg为外加门极电阻,Rint为门极内部电阻,0.74为考虑到驱动器内阻和引线电感而设置的校正系数。假设IGBT在开通和关断的过程中,门极等效电容Cge恒定。 对于IGBT门极回路可列出微分方程Ld2iG(t)/dt2+RdiG(t)/dt+1/CGE*iG(t)=0求解方程(4)得到Imax的表达式(5),
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