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[常见问题解答]栅极-源极电压产生的浪涌介绍[ 2023-05-18 17:55 ]
栅极-源极电压产生的浪涌介绍MOSFET和IGBT等功率半导体作为开关元件已被广泛应用于各种电源应用和电力线路中。其中,SiC MOSFET在近年来的应用速度与日俱增,它的工作速度非常快,以至于开关时的电压和电流的变化已经无法忽略SiC MOSFET本身的封装电感和外围电路的布线电感的影响。特别是栅极-源极间电压,当SiC MOSFET本身的电压和电流发生变化时,可能会发生意想不到的正浪涌或负浪涌,需要对此采取对策。在本文中,将对相应的对策进行探讨。什么是栅极-源极电压产生的浪涌?右侧的电路图是在桥式结构中使用Si
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