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[常见问题解答]触摸开关原理解析和电路设计介绍[ 2022-12-16 15:46 ]

这是一个用4013组成的触摸开关电路,只要用手触摸一次开关即可接通,再触摸一次开关断开。电路原理图见下图所示。由于CMOS电路的输入端均为场效应管结构，而场效应管是一种电压控制元件，它有极高的输入阻抗，约几十兆欧。它的输入端几乎不消耗电流，因此只要用手触摸，人体产生的微弱感应电压就足可以使电路翻转。在本电路中，IC1A与R1、C1组成单稳态触发器，用来执行延时和消除触摸时的干扰和抖动。电路输入端第3脚所加的二极管VD1为输入端保护二极管，用来泄放积累的电荷和过高的反向电压。IC1B接成双稳态触发器形式，用来控制继电

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[常见问题解答]MOS场效应管之分类,结构以及工作原理 - 壹芯微[ 2021-08-12 16:44 ]

MOS场效应管之分类,结构以及工作原理 - 壹芯微是一种用输入电压控制输出电流的半导体器件。从参与导电的载流子来划分，它有电子作为载流子的N沟道器件和空穴作为载流子的P沟道器件。从场效应管的结构来划分，它有结型场效应管和绝缘栅型场效应管之分。一、结型场效应管(1)结型场效应管结构N沟道结型场效应管的结构如下图所示，它是在N型半导体硅片的两侧各制造一个PN结，形成两个PN结夹着一个N型沟道的结构。两个P区即为栅极，N型硅的一端是漏极，另一端是源极。结型场效应管的结构示意图(2)结型场效应管工作原理以N沟道为例说明其工

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[常见问题解答]场效应管分类-结构和原理解析[ 2021-04-19 09:26 ]

场效应管分类-结构和原理解析场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管，是较新型的半导体材料，利用电场效应来控制晶体管的电流，因而得名。它只有一种载流子参与导电的半导体器件，是一种用输入电压控制输出电流的半导体器件。从参与导电的载流子来划分，它有电子作为载流子的N沟道器件和空穴作为载流子的P沟道器件。从场效应管的结构来划分，它有结型场效应管和绝缘栅型场效应管之分。1.结型场效应管(1) 结型场效应管结构N沟道结型场效应管的结构如下图所示，它是在N型半导体硅片的两侧各制造

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[常见问题解答]结型场效应管结构与分类-工作原理-特性曲线解析[ 2021-04-09 11:23 ]

结型场效应管结构与分类-工作原理-特性曲线解析场效应管（Fjeld Effect Transistor简称FET ）是利用电场效应来控制半导体中电流的一种半导体器件，故因此而得名。场效应管是一种电压控制器件，只依靠一种载流子参与导电，故又称为单极型晶体管。与双极型晶体三极管相比，它具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、功耗小、制造工艺简单和便于集成化等优点。场效应管有两大类，结型场效应管JFET和绝缘栅型场效应管IGFET，后者性能更为优越，发展迅速，应用广泛。图Z0121 为场效应管的类型及图形、符号

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[常见问题解答]绝缘栅型场效应管图解[ 2021-04-06 09:47 ]

绝缘栅型场效应管图解绝缘栅型场效应管是一种利用半导体表面的电场效应，由感应电荷的多少改变导电沟道来控制漏极电流的器件，它的栅极与半导体之间是绝缘的，其电阻大于1000000000Ω。增强型：VGS=0时，漏源之间没有导电沟道，在VDS作用下无iD。耗尽型：VGS=0时，漏源之间有导电沟道，在VDS作用下iD。1. 结构和符号（以N沟道增强型为例）在一块浓度较低的P型硅上扩散两个浓度较高的N型区作为漏极和源极，半导体表面覆盖二氧化硅绝缘层并引出一个电极作为栅极。N沟道绝缘栅型场效应管结构动画其他MOS管符号2. 工作

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[常见问题解答]结型场效应管结构,符号以及工作原理知识分享[ 2020-12-01 16:46 ]

结型场效应管结构,符号以及工作原理知识分享(一)结构、符号结型场效应管结构,符号,工作原理：结型场效应管有N沟道和P沟道两种。 N沟道结型场效应管是在N型硅材料的两侧制造两个PN结,把两个P区连接在一起引出一个极为栅极(G)，N型硅材料上下端分别引出的极为漏极(D)和源极(S) ,其结构如图1-4(a)所示,其符号如图1-4(b)所示，简称为NJFET.它的封装及外形如图1-4(c)(d)所示，有塑料封装和金属封装两种形式。P沟道结型场效应管是在P型材料的两侧制造两个PN结，并分别引出三个极，其结构如图1-5(a)

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[常见问题解答]结型场效应管结构-符号以及工作原理知识分享[ 2020-10-26 16:51 ]

结型场效应管结构-符号以及工作原理知识分享(一)结构、符号结型场效应管结构,符号,工作原理：结型场效应管有N沟道和P沟道两种。 N沟道结型场效应管是在N型硅材料的两侧制造两个PN结,把两个P区连接在一起引出一个极为栅极(G)，N型硅材料上下端分别引出的极为漏极(D)和源极(S) ,其结构如图1-4(a)所示,其符号如图1-4(b)所示，简称为NJFET.它的封装及外形如图1-4(c)(d)所示，有塑料封装和金属封装两种形式。P沟道结型场效应管是在P型材料的两侧制造两个PN结，并分别引出三个极，其结构如图1-5(a)

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