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[常见问题解答]探索IGBT双脉冲测试的关键技术与实现步骤[ 2025-02-11 11:56 ]

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管）作为现代电力电子领域的核心器件，其性能直接决定着系统的效率和稳定性。在评估IGBT性能的诸多方法中，双脉冲测试因其能够全面反映器件的开关特性而被广泛应用。一、双脉冲测试的技术要点1. 测试目的明确双脉冲测试的核心在于准确测量IGBT在开通和关断过程中的动态特性。通过这一测试，可以获得如开关损耗、导通电阻、二极管反向恢复电流、电流上升斜率（di/dt）和电压尖峰等重要参数。这些数据对于优化器件驱动设计、降低系统损耗、提高

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[常见问题解答]碳化硅双脉冲测试：解析正向与负向干扰的影响[ 2024-08-07 15:22 ]

碳化硅 (SiC) 由于其卓越的物理和化学稳定性，在高功率和高温应用中表现出色。随着碳化硅设备在半导体行业中的广泛应用，双脉冲测试成为了一种关键的技术，用于评估这些设备在实际工作条件下的性能。双脉冲测试主要是用来观察和分析器件在快速开关过程中的动态特性，特别是正向和负向干扰的影响。一、正向串扰的产生与影响正向串扰通常在开关器件如晶体管开通时发生。当一个晶体管（例如Q1）的门极电压达到阈值，使其导通时，与之相邻的晶体管（例如Q2）可能会受到干扰。这种干扰起因于电流从一个晶体管（如D2）开始转移到已导通的晶体管（Q1）

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[常见问题解答]双脉冲测试基础原理和应用解析[ 2023-04-29 14:04 ]

双脉冲测试基础原理和应用解析双脉冲是分析功率开关器件动态特性的基础实验方法，贯穿器件的研发，应用和驱动保护电路的设计。合理采用双脉冲测试平台，你可以在系统设计中从容的调试驱动电路，优化动态过程，验证短路保护。双脉冲测试基础系列文章包括基本原理和应用，对电压电流探头要求和影响测试结果的因素等。为什么要进行双脉冲测试？在以前甚至是今天，许多使用IGBT或者MOSFET做逆变器的工程师是不做双脉冲实验的，而是直接在标定的工况下跑看能否达到设计的功率。这样的测试确实很必要，但是往往这样看不出具体的开关损耗，电压或者电流的尖

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[常见问题解答]什么是双脉冲测试介绍[ 2022-08-25 16:05 ]

通过双脉冲测试评估MOSFET 的反向恢复特性我们开设了 Si 功率元器件的新篇章——“评估篇”。在“通过双脉冲测试评估 MOSFET 的反向恢复特性”中，我们将通过双脉冲测试来评估 MOSFET 体二极管的反向恢复特性，并确认 MOSFET 损耗情况。1MOSFET 体二极管的反向恢复特性与桥式电路损耗的关系在逆变器电路和 Totem Pole 型功率因数改善（PFC）电路等具有 2 个以上 MOSFET 的桥式电路中，由于流过上下桥臂的电流

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[常见问题解答]IGBT开关参数-双脉冲测试波形详情[ 2020-08-21 15:39 ]

IGBT开关参数-双脉冲测试波形详情一、IGBT开关参数定义通过双脉冲测试，可以得到IGBT的各项开关参数。图1 IGBT开关参数定义如图1所示，IGBT开关参数的定义如下：开通延迟时间（td on）：IGBT开通时，从栅极电压为Vge的10%开始,到集电极电流上升至Ic的10%为止，这一段时间被定义为开通延迟时间。开通上升时间（tr）：IGBT开通时，从集电极电流上升至Ic的10%开始,到集电极电流上升至Ic的90%为止，这一段时间被定义为开通上升时间。关断延迟时间（td off）：IGBT关断时，从栅极电压为V

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