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[常见问题解答]MOS管能效损耗分析：理论推导与仿真验证[ 2025-04-14 14:34 ]: 在现代电力电子技术中，MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）作为一种重要的开关元件，广泛应用于各种电力转换设备中。然而，在MOS管的应用过程中，能效损耗是一个不可忽视的问题。能效损耗的来源主要包括导通损耗和开关损耗，这些损耗不仅影响系统的效率，还决定了系统的散热要求和性能优化方向。1. MOS管的能效损耗组成MOS管的能效损耗主要来源于两个方面：导通损耗和开关损耗。- 导通损耗：当MOS管完全导通时，存在一个通过MOS管的导通电流，导致一定的功; http://www.szyxwkj.com/Article/mosgnxshfx_1.html

[常见问题解答]采样电阻如何选择跟运放的使用解析[ 2023-11-07 17:40 ]: 采样电阻如何选择跟运放的使用解析前言FOC中比不缺少的一环就是电流采样，而直接对电流进行采样难度较大，使用采样电阻将电流信号转化为电压信号再对电压进行进行采集处理，就可以得到电流的数值，所以涉及到采样电阻的选择与ADC的使用。图1 运放搭建运放使用lmv358芯片，对两相电流进行采样，对U与W相电流进行采样。图2 采样原理图这里对UW相的电流进行采集。仿真验证利用multisim搭建出原理图进行仿真分析，ADC进入的电压不能超过3.3V，考虑到一定的裕量ADC的输入电压为3V，利用差分放大电路对电压进行放大。如图3; http://www.szyxwkj.com/Article/cydzrhxzgy_1.html

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