收藏壹芯微 | 在线留言| 网站地图

您好!欢迎光临壹芯微科技品牌官网

壹芯微

深圳市壹芯微科技有限公司二极管·三极管·MOS管·桥堆

全国服务热线:13534146615

壹芯微二极管
当前位置:首页 » 全站搜索 » 搜索: 串联电阻
[常见问题解答]MOS管驱动电压充不满怎么办?开关电源常见问题分析[ 2025-04-11 10:40 ]
在开关电源设计与调试过程中,MOS管的栅极驱动电压能否快速、稳定充满,直接影响着电路的正常工作。特别是在大功率或高频应用场景中,MOS管的驱动问题极易暴露,各类意想不到的异常情况层出不穷。很多工程师在实际调试中经常会遇到这样的问题:MOS管的栅极电压始终无法达到预期的幅值,导致开关动作不可靠,甚至出现严重的损坏隐患。那么,栅极驱动电压充不满到底可能有哪些原因?该如何针对性排查和处理?一、驱动电阻选型不当MOS管的栅极实际等效为一个大电容,驱动时的充放电速度与驱动源的能力和串联电阻关系密切。若驱动电阻阻值偏大,将直接
http://www.szyxwkj.com/Article/mosgqddycb_1.html3星
[常见问题解答]贴片电容发热的原因解析及预防方法[ 2025-01-16 11:30 ]
贴片电容器是电子设备中广泛使用的元件,其稳定性对于整个电路的正常运行至关重要。但在实际使用过程中,贴片电容器的发热是一个常见但不容忽视的问题。发热不仅会缩短电容器的使用寿命,还会影响设备的性能并导致其故障。为了更好地解决这一问题,必须清楚地了解贴片电容器发热的原因,并采取有效的预防措施。一、主要原因1. 过电流贴片电容器通常可以承受电路中的一定电流。当电流超过额定值时,由于内部等效串联电阻 (ESR) 会产生额外的热量。这种热量主要是电阻器消耗的能量,在高频电路和存在较大纹波电流时尤其明显。2. 过电压贴片电容器的
http://www.szyxwkj.com/Article/tpdrfrdyyj_1.html3星
[常见问题解答]光耦输入端电阻的作用是什么?CTR参数解析及其重要性[ 2024-11-27 11:48 ]
光耦合器是现代电子设计中的重要组件。它不仅提供信号隔离,还具有输入电压兼容性高、运行稳定性强的特点。许多设计者会注意到光耦合器的输入端有时会并联一个电阻。这种电阻看似简单单一,但对电路的稳定性和可靠性起着重要作用。同时,光耦的重要参数之一CTR直接影响光耦应用的性能和选型。本文将分析输入电阻的作用,并深入探讨CTR的含义及其设计注意事项。一、光电耦合器输入端电阻的作用在光电耦合器的输入端并联一个电阻并不罕见。其主要作用是抑制故障,提高抗干扰能力。光耦合器的输入部分通常由发光二极管组成,并配有一个串联电阻用于限流。发
http://www.szyxwkj.com/Article/gosrddzdzy_1.html3星
[常见问题解答]MOS管G极和S极串联电阻的区别与应用[ 2024-10-29 14:45 ]
MOS晶体管(MOSFET)在开发和应用中,栅极(G)和源极(S)的串联电阻选择与配置至关重要。这两个电阻各自的功能和作用虽有相似之处,但在不同应用场景中的表现却截然不同。一、栅极(G)串联电阻的作用1. 控制瞬时电流在开关MOS管时,栅极的充放电对MOS管性能影响重大。MOS管的电容(如CGS、CGD)在开关时需要充放电,会产生瞬时电流。如果驱动电路的内阻较小,则瞬时电流值可能较高,导致MOS管损坏。G极串联电阻的作用是防止栅极瞬时电流,减少高频应用中的开关损耗,使得MOS管的开关操作更加平滑。2. 抑制振荡在高
http://www.szyxwkj.com/Article/mosggjhsjc_1.html3星
[常见问题解答]利用集成运放优化补偿电路设计的步骤与方法[ 2024-07-20 12:21 ]
一、带补偿电容的微分电路在微分计算过程中,C1充当防止交流增益过高的补偿电容。在C1的选择上,我们必须确保其容抗远大于R1的阻抗,以减少其对信号处理的影响。为了降低高频电流的传递,有时在电容前串联电阻是必要的。此外,为避免潜在的过高电压问题,反馈环路中可能会并联稳压二极管以控制输出电压的振幅。二、运放补偿技术概述补偿技术众多,包括“主极点补偿”、“增益补偿”、“超前补偿”、“补偿衰减器”以及“超前-滞后补偿&
http://www.szyxwkj.com/Article/lyjcyfyhbc_1.html3星
[常见问题解答]电解电容为什么会失效[ 2024-03-07 17:45 ]
电解电容为什么会失效电解电容是一种常见的电子元件,用于存储电荷和能量。在电路中,电解电容起着重要的作用,但在使用过程中可能会出现失效的情况。本文将介绍电解电容的失效原因和机理。一、失效原因过电压:如果电解电容承受的电压超过其额定电压,会导致电容器内部的绝缘层击穿。温度过高:电解电容在工作时会产生热量,如果散热不良,会导致电容器的温度过高。频率过高:电解电容在高频应用中,其内部等效串联电阻和等效串联电感会引起电容器的损耗和发热。纹波电流过大:如果电解电容承受的纹波电流过大,会导致电容器内部的介质老化和损耗。5.电解液
http://www.szyxwkj.com/Article/djdrwsmhsx_1.html3星
[常见问题解答]TL431的工作电流如何决定介绍[ 2023-12-01 18:52 ]
TL431的工作电流如何决定介绍TL431在电路当中经常被用来替代稳压二极管使用,由于仅用两个电阻就可以对其输出电压进行任意调节,所以TL431得到了广泛的应用。相对的,TL431的效率问题就成为了人们较为关心的话题,那么在TL431当中工作电流是由哪个电阻来决定的呢?如图1所示,TL431的工作电流是1--100mA,既然光耦串联电阻不能决定TL431的工作电流,那TL431的工作电流是由谁决定的呢?都说TL431最小工作电流不能小于1mA,那是哪个电阻决定这个电流的呢?TL431正常工作时电流的大小是由光耦决定
http://www.szyxwkj.com/Article/tl431dgzdl_1.html3星
[常见问题解答]MOS管场效应管栅极串联电阻作用介绍[ 2023-09-27 18:16 ]
MOS管场效应管栅极串联电阻作用介绍1、如果没有栅极电阻,或者电阻阻值太小MOS导通速度过快,高压情况下容易击穿周围的器件。2、栅极电阻阻值过大MOS管导通时,Rds会从无穷大将至Rds(on)(一般0.1欧姆级或者更低)。栅极电阻过大时,MOS管导通速度过慢,即Rds的减小要经过一段时间,高压时Rds会消耗大量功率,导致MOS管发烫。过于频繁地导通会使热量来不及发散,MOS温度迅速升高。3、在高压下,PCB的设计也需要注意。栅极电阻最好紧靠栅极,并且导线不要与母线电压平行分布。否则母线高压容易耦合至下方导线,栅极
http://www.szyxwkj.com/Article/mosgcxygzj_1.html3星
[常见问题解答]几种不同应用场合的直流15V降压至9V电路介绍[ 2023-09-20 18:35 ]
几种不同应用场合的直流15V降压至9V电路介绍如何将直流15V降为9V呢?其实直流降压的方式有很多种,不同的降压方式其应用场合不同。一般根据实际应用场合选择最优方案。1、采用电阻直接分压的方式得到!比如2k和3k的电阻串联分压就可以得到9V的电压。这种方式一般用于负载电流非常小的场合,比如运放或者比较器输入等,负载电流一般比电阻分压电流小一个数量级以上。2、串联电阻进行降压,比如负载电流为I,那么根据△U=IR,可得限流电阻的阻值为R=△U/I,若负载电流为1A,那么限流电阻R=(15V-9V)/1A=6Ω,同理,
http://www.szyxwkj.com/Article/jzbtyychdz_1.html3星
[常见问题解答]电容在电路中的作用介绍[ 2023-03-03 11:59 ]
一. 电容作用:电容在模拟信号电路中也同样存在阻力,这种阻力叫做容抗(Xc),值的大小Xc=1/(2πfc),它的大小跟电容值和频率成反比,用在模拟电路中,主要耦合信号,平滑电平,微分. 积分. 移相.启动等,用在直流供电电路中主要是滤波. 旁路. 储能. 振荡等。二. 电容的谐振频率(FR)和容抗(Zc):当线路中的频率很高时,电容不仅是电容性质,还存在等效串联电感(ESL)和等效串联电阻(ESR)。谐振频率和容抗计算公式电容工作在谐振频率以上呈感性,在谐振频率以下呈容性,在谐振频率时容抗最低,所以在设计时就要针
http://www.szyxwkj.com/Article/drzdlzdzyj_1.html3星
[常见问题解答]RET的开关特性介绍[ 2023-02-08 17:15 ]
可通过基极电流开启或关闭双极结型晶体管(BJT)。但是,由于基极-发射极二极管两端的压降在很大程度上取决于温度,因而在许多应用中,需要一个串联电阻将基极电流保持在所需水平,从而确保BJT稳定安全地工作。了解如何使用RET来应对标准BJT的温度依赖性。为了减少元器件数量、简化电路板设计,配电阻晶体管将一个或两个双极性晶体管与偏置电阻组合在一起,集成在同一个晶片上。替代方案包括在基极-发射极路径上并联第二个集成电阻,以创建用于设置基极电压的分压器。这可以提供更精细的微调和更好的关断特性。由于这些内部电阻的容差高于外部电
http://www.szyxwkj.com/Article/retdkgtxjs_1.html3星
[常见问题解答]变容二极管的原理与作用介绍[ 2022-01-05 11:15 ]
变容二极管的原理与作用介绍二极管具有势垒电容,通过外加电压可以改变空间电荷区的宽度,从而改变这种势垒电容量的大小,变容二极管就是利用这种特性制成的非线性电容元件,又称“可变电抗二极管”。制作材料多为硅或砷化镓单晶,并采用外延工艺技术。反偏电压愈大,则结电容愈小;其具有与衬底材料电阻率有关的串联电阻。变容二极管1.工作原理变容二极管为特殊二极管的一种。工作时的外加条件与稳压二极管类似,它必须工作在反向电压偏置区(稳压二极管工作在反向击穿状态下)。当变容二极管两端加上反向电压时,其内部的PN结变
http://www.szyxwkj.com/Article/brejgdylyz_1.html3星
[常见问题解答]多层陶瓷电容器在POL应用中的作用介绍[ 2021-12-31 14:37 ]
多层陶瓷电容器在POL应用中的作用介绍如今电源设计工程师需要考虑许多设计方面和优先事项。设计优先级往往按以下顺序排列:拓扑结构、控制器、FET 开关、驱动器(如果是独立的)、磁性元件、无源功率元件,最后是要使用的多层陶瓷电容器(MLCC)和数量。只要MLCC可以满足设计需求,至少在数据表上,MLCC仍然是低优先级。虽然,电源转换器中的所有器件都很重要,但是,MLCC在涉及众多参数的电源设计中扮演着多重角色。1.什么是多层陶瓷电容器(MLCC)MLCC以其小尺寸、高电容密度和低等效串联电阻(ESR)和电感(ESL)值
http://www.szyxwkj.com/Article/dctcdrqzpo_1.html3星
[常见问题解答]电容的Q值与D值知识介绍[ 2021-12-27 15:16 ]
电容的Q值与D值知识介绍在做射频的时候,选择电感电容时特别关注他们的Q值,那什么是Q值呢?Q值是什么意思,它为什么重要?品质因数Q:表征一个储能器件(如电感线圈、电容等)、谐振电路所储能量同每周损耗能量之比的一种质量指标。元件的Q值愈大,用该元件组成的电路或网络的选择性愈佳。或Q=无功功率/有功功率,或称特性阻抗与回路电阻之比。Q值越高,损耗越小,效率越高;Q 值越高,谐振器的频率稳定度就越高,因此,能够更准确。如何理解Q值和ESR值评估高频贴片电容器的一个重要性能指标是品质因素Q,或者是与其相关的等效串联电阻(E
http://www.szyxwkj.com/Article/drdqzydzzs_1.html3星
[常见问题解答]2803达林顿管 ULN2803 CPC-20 8通道达林顿芯片[ 2021-11-10 15:44 ]
2803达林顿管 ULN2803 CPC-20 8通道达林顿芯片8通道达林顿芯片 ULN2803的产品描述:ULN2803是一个单片高电压、高电流的达林顿晶体管阵列集成电路。它是由8组NPN 达林顿管组成的,它的高压输出特性和阴极钳位二极管可以转换感应负载。单个达林顿对的集电极电流是250mA。达林顿管并联可以承受更大的电流。此电路主要应用于继电器驱动器,字锤驱动器,灯驱动器,显示驱动器(LED气体放电),线路驱动器和逻辑驱动器。ULN2803的每组达林顿都有一个2.7kΩ串联电阻,可以直接和TTL或5V CMOS
http://www.szyxwkj.com/Article/2803dldgul_1.html3星
[常见问题解答]带阻三极管替换MOS管的方法解析-壹芯微[ 2021-08-04 12:18 ]
带阻三极管替换MOS管的方法解析-壹芯微这周检查水泵变频器的电路,定稿用,发现数码管的控制三极管,基极竟然没有串联电阻,这会导致单片机的IO烧坏,虽然之前出了测试用的变频器没有问题,那是因为所选用的单片机的IO内部带一定的内阻,阻值大概在60~120欧姆,若换成STM32,它IO的内阻小很多,那就有可能会烧坏。发现这个问题后,问了同事怎么回事,我们参考的变频器是否就是如此的,他们回复因为仓库没有参考变频器所用的三极管,就用了我们自己常用的8550三极管,也没发现问题,所以一直在用,并且告诉了我参考变频器所用的料号,
http://www.szyxwkj.com/Article/dzsjgthmos_1.html3星
[常见问题解答]MOS管G极串联小电阻的作用和MOS管极的测试步骤[ 2020-09-04 16:29 ]
MOS管G极串联小电阻的作用和MOS管极的测试步骤在电源电路中,功率MOS管的G极经常会串联一个小电阻,几欧姆到几十欧姆不等,那么这个电阻用什么作用呢?如上图开关电源,G串联电阻R13。这个电阻的作用有2个作用:限制G极电流,抑制振荡。限制G极电流MOS管是由电压驱动的,是以G级电流很小,但是因为寄生电容的存在,在MOS管打开或关闭的时候,因为要对电容进行充电,所有瞬间电流还是比较大的。特别是在开关电源中,MOS管频繁的开启和关闭,那么就要更要考虑这个带来的影响了。如上图,MOS管的寄生电容有三个,Cgs,Cgd,
http://www.szyxwkj.com/Article/mosggjclxd_1.html3星
[常见问题解答]电阻器基础知识点[ 2020-05-09 15:23 ]
电阻器基础知识点今天,我们来总结一下关于电阻器和电阻的基础知识教程部分的内容如下:电阻基础知识1.电阻的作用是限制流经电路中的电流。2.电阻以欧姆为单位测量,并给出符号Ω。3.Carbon,Film和Wirewound是所有电阻器的类型。4.电阻器颜色代码用于识别小电阻器的电阻和容差额定值。5.BS1852标准使用字母,用于识别大尺寸电阻。6.公差是电阻器精度与其优选值的百分比度量,可用E6(20%),E12(10%),E24(5%)和E96(1%)系列公差值。串联电阻1.被串联在一起电阻所述要被连接系列。2.串联
http://www.szyxwkj.com/Article/dzqjczsd_1.html3星
[常见问题解答]常见经典电工电路图与怎么看懂电子电路图详情[ 2019-12-16 11:18 ]
常见经典电工电路图与怎么看懂电子电路图详情8个经典电工电路图电工电路图(一)日光灯照明与两控一灯一插座线路里面包含②单相电表的接线,两个⑨和一个⑩是一灯双控的接线,⑤⑥⑦⑧为日光灯的接线。这个电路非常的实用,是家装照明控制的经典案列。电工电路图(二)线绕式异步电动机控制线路转子绕组上串联电阻来改变电机的机械特性,从而实现小电流启动、增大启动转矩及调速的目的。利用了三个时间继电器和三个接触器相互配合,启动时,串入多级电阻然后分段切除。电机的转速会逐级提高,最后达到额定转速稳定运行。电工电路图(三)三相四线电度表带互感
http://www.szyxwkj.com/Article/cjjddgdlty_1.html3星
[常见问题解答]开关电源IGBT绝缘栅双极晶体管驱动保护知识[ 2019-10-29 11:45 ]
开关电源IGBT绝缘栅双极晶体管驱动保护IGBT是MOSFET与双极晶体管的复合器件。它既有MOSFET易驱动的特点,又具有功率晶体管电压、电流容量大等优点。其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间,可正常工作于几十kHz频率范围内,故在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。摘要:对IGBT栅极驱动特性、栅极串联电阻及其驱动电路进行了探讨。提出了慢降栅压过流保护和过电压吸收的有效方法。 (注意现在新型IGBT栅极驱动特性要比以前生产的好许多,下面的电路图只能作参考。)IGBT是电压控制型器件,在它的
http://www.szyxwkj.com/Article/kgdyigbtjy_1.html3星

地 址/Address

工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
电话:13534146615 企业QQ:2881579535

扫一扫!

深圳市壹芯微科技有限公司 版权所有 | 备案号:粤ICP备2020121154号