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[常见问题解答]碳化硅双脉冲测试:解析正向与负向干扰的影响[ 2024-08-07 15:22 ]
碳化硅 (SiC) 由于其卓越的物理和化学稳定性,在高功率和高温应用中表现出色。随着碳化硅设备在半导体行业中的广泛应用,双脉冲测试成为了一种关键的技术,用于评估这些设备在实际工作条件下的性能。双脉冲测试主要是用来观察和分析器件在快速开关过程中的动态特性,特别是正向和负向干扰的影响。一、正向串扰的产生与影响正向串扰通常在开关器件如晶体管开通时发生。当一个晶体管(例如Q1)的门极电压达到阈值,使其导通时,与之相邻的晶体管(例如Q2)可能会受到干扰。这种干扰起因于电流从一个晶体管(如D2)开始转移到已导通的晶体管(Q1)
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