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[常见问题解答]静态特性对比分析:Si与SiC MOSFET在参数表现上的差异[ 2025-04-19 11:35 ]
在当今高性能电力电子领域,MOSFET被广泛应用于开关电源、电机控制和功率变换系统中。随着对高效率、高电压能力的需求不断增长,基于碳化硅材料(SiC)的MOSFET逐步进入工业和商用市场,成为传统硅基MOSFET(Si MOSFET)的有力替代者。1. 开启阈值电压 Vth 的比较在栅极驱动控制方面,MOSFET的开启阈值电压起着至关重要的作用。通常,Si MOSFET的Vth范围集中在2V到4V之间,而SiC MOSFET则略高,普遍在3V到5V之间。这意味着SiC器件在驱动电路设计上更倾向于使用高压栅极驱动信号
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[常见问题解答]GaN MOS驱动电路设计要点与实战技巧[ 2025-04-12 10:40 ]
随着氮化镓(GaN)MOSFET器件在电力电子和高频开关电源领域的广泛应用,其驱动电路的设计逐渐成为工程开发中的关键技术之一。得益于GaN器件高开关速度、低损耗和高电压承受能力的特性,合理而高效的驱动设计不仅直接影响电路性能,还决定了系统稳定性和使用寿命。一、驱动GaN MOS管的核心设计挑战氮化镓MOS管虽然性能优越,但与传统硅MOS相比,其在驱动环节存在显著差异。以下几点是GaN驱动设计时常见且必须重点关注的技术难题:1. 栅极耐压低GaN MOS栅极耐压普遍只有6V~10V,远低于Si MOS。因此,驱动电压
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[常见问题解答]驱动电路设计避坑指南:MDDMOS管开关故障解析与修复[ 2025-03-17 12:17 ]
在现代电力电子系统中,MDDMOS管(中低压双扩展MOS管)因其高效、低损耗的特性,广泛应用于变频器、开关电源、光伏逆变器等领域。然而,在实际电路设计和应用过程中,MDDMOS管的开关异常问题常常成为影响设备可靠性和寿命的关键因素。一、栅极驱动异常:振荡与过冲问题1. 故障现象在某变频器驱动波形测试中,发现MOS管栅极信号存在高频振荡,导致器件发热严重,开关效率下降。此外,在某些电路中,开关过程中栅极过冲现象明显,Vgs一度超过MOS管的最大额定值,存在击穿风险。2. 根本原因- 传统示波器探针接地线过长,导致测量
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[常见问题解答]LED 驱动电路设计:如何正确选择二极管?[ 2025-02-13 10:30 ]
在LED驱动电路的设计过程中,二极管作为其中的重要元件之一,起着至关重要的作用。正确选择二极管不仅能保证电路的稳定性和安全性,还能有效延长LED灯具的使用寿命。因此,了解如何选择适合的二极管,成为设计高效LED驱动电路的关键。一、反向耐压值的选择在LED驱动电路中,选择二极管时,首先需要关注反向耐压值。反向耐压值指的是二极管能够承受的最大反向电压,选择不当会影响电路的稳定性和可靠性。为了避免电路故障,反向耐压值应大于电路中可能出现的最大反向电压,一般建议选择比最大反向电压高1.5至2倍。例如,若输入交流电压峰值为3
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[常见问题解答]MOSFET驱动电路设计:栅极电流为何要超大尽管栅-源阻抗高?[ 2025-01-07 10:51 ]
在现代电子设计中,MOSFET(场效应晶体管)广泛用于功率控制、信号放大以及数字电路中的关键开关元件。然而,设计MOSFET驱动电路时存在一些常见问题。由于 MOSFET 器件通常具有较大的栅源阻抗,为什么我们在驱动这些器件时需要保持较大的栅极电流?一、MOSFET 和晶体管之间的根本区别为了更好地理解这个问题,我们必须首先比较 MOSFET 和传统三极管的工作原理。三极管是一种限流器件,依靠基极电流来控制集电极电流,MOSFET是稳压器。受控设备。换句话说,MOSFET 的控制信号通过栅极电压来调节源极和漏极之间
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[常见问题解答]MOS管开关速度的关键影响因素解析[ 2024-10-23 15:33 ]
MOS管(金属氧化物半导体场效应晶体管,MOSFET)的开关速度是现代电子电路设计中的一个重要参数。开关速度不仅影响器件性能,还影响整体电路效率和MOS管优化。切换速度必须从多个角度进行分析。下面从设计、物理性能和运行条件等方面进行详细分析,这将有助于我们更好地了解这些影响因素,并为实际应用提供优化建议。一、驱动电路设计的影响MOS管的开关速度是首要的。驱动电路的设计影响MOS管在电压和电流之间快速切换。驱动电路的输出电压和电流直接决定MOS管的开关速度。栅极电容器充电越快,其开关速度就越快。同时,驱动电流的大小也
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[常见问题解答]从入门到精通:直流电机驱动电路设计与原理图讲解[ 2024-07-26 10:57 ]
一、深入探讨直流电机:工作原理及其组件直流电机是一种能将直流电能有效转化为机械能的设备,它因出色的调速能力,在电力驱动领域广泛应用。这类电机根据励磁方式的不同,可分为永磁式、他励式及自励式,其中自励式进一步细分为并励、串励和复励。电机的工作原理基于当直流电源通过电刷为电枢绕组供电时,电枢表面的N极和S极导体流过一致方向的电流,根据左手定则,这些导体将经历逆时针方向的力矩,推动整个转子逆时针旋转,实现能量转换。二、构造与功能解析直流电机的转子部分由电枢铁芯和电枢绕组组成。电枢铁芯的主要作用是安置电枢绕组,并通过其磁通
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[常见问题解答]小巧却强大:贴片LED电路解析与发光效率分析[ 2024-04-08 18:25 ]
高效LED驱动电路设计攻略要构建一个高效的LED驱动电路,我们需要深入了解LED的特性以及如何利用电子元器件来控制和驱动它们。在这篇文章中,我们将讨论LED的工作原理、常见的LED驱动电路拓扑结构以及一些设计注意事项。首先,让我们回顾一下LED的基本工作原理。LED(发光二极管)是一种半导体器件,当电流通过它们时,电子会与空穴结合并释放出光子,从而产生光。LED的电压-电流关系是非线性的,这意味着在确定LED工作点时需要特别注意。接下来,我们将介绍几种常见的LED驱动电路拓扑结构。其中最简单的是电流驱动电路,它使用
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[常见问题解答]三极管和MOS管结合的开关控制电路解析[ 2023-08-03 17:05 ]
三极管和MOS管结合的开关控制电路解析分享一种典型的三极管和MOS管结合的开关控制电路,关于三极管和MOS管的基础使用方法可以参见下文说明。三级管和场效应管驱动电路设计及使用开关控制电路,MCU控制三极管,然后再控制MOS管,如下图所示:电路解析:当I/O为高电平时,三极管导通,MOS管栅极被拉低,1.8V电源导通;当I/O为低电平时,三极管不导通,MOS管不导通,1.8V电源不导通。为什么要这样做呢?这个和三极管和MOS的特性有很大关系:三极管是电流控制电流器件,用基极电流的变化控制集电极电流的变化;MOS管是电
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[常见问题解答]MOS管驱动电路介绍[ 2023-02-28 18:31 ]
电源电路必须要有开关,那么什么样的开关会比较好呢?经常用的有三极管,MOS管等,各种开关,其中MOS管它的导通内阻很低,再加上开和关速度极快,广受欢迎,被用在各种开关电源电路上。MOS管被用作开关电路好处这么多,那怎么样能用好它呢?也是有学问的,其中它的驱动电路设计就是最后关键的一步,下面旺哥给大家介绍几个工作中常用的MOS管驱动电路,希望大家喜欢。推挽驱动电路此图为一个推挽驱动MOS管电路,它最大的优势就是提高驱动能力,毕竟芯片驱动能力有限。下面具体分析电路原理。当我们想要打开MOS管时,芯片IO口输出一个高电平
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[常见问题解答]基于74HC164的显示驱动电路设计介绍|壹芯微[ 2022-04-23 16:09 ]
基于74HC164的显示驱动电路设计介绍|壹芯微 家用电器智能化的重要特征之一是人机信息交互。用户通过视觉、听觉等途径,了解家用电器的工作状态,同时通过按键等输入器件控制电器的工作。所以显示器件是人机信息交互的重要组成部分,如今LCD、VFD、LE...
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[常见问题解答]基于相变存储器的驱动电路设计介绍[ 2022-01-20 15:24 ]
基于相变存储器的驱动电路设计介绍本文介绍设计了一种依靠电流驱动的驱动电路,整体电路由带隙基准电压源电路、偏置电流产生电路、电流镜电路及控制电路组成。该结构用于16K以及1Mb容量的相变存储器芯片的设计,并采用0.18m标准CMOS工艺实现。该驱动电路通过Hpice仿真,表明带隙基准电压、偏置电流均具有较高的精度,取得了良好的仿真结果。1.相变存储器相变存储器(PC2RAM)是一种新型半导体存储器,在研发下一代高性能不挥发存储技术的激烈竞争中,PC2RAM在读写速度、读写次数、数据保持时间、单元面积、功耗等方面的诸多
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[常见问题解答]基于雪崩晶体管的纳秒脉冲驱动电路设计介绍[ 2021-12-29 12:29 ]
基于雪崩晶体管的纳秒脉冲驱动电路设计介绍近年来,脉冲式半导体激光器的应用越来越广泛。由于它增益带宽宽、体积小效率高,而且寿命长、价格低廉,因此,无论军用或民用都倍受世人青睐采用增益开关法即直接注入射频信号驱动半导体激光器,也可产生超短光脉冲,相比于调Q法、锁模法,其无需任何光学器件,适用于常规结构的半导体激光器。同时其光脉冲的重复频率在很大范围内可调。为了得到高质量的超短光脉冲,需用纳秒级甚至皮秒级电脉冲来驱动半导体激光器。采用雪崩晶体管可以很方便地产生亚毫微秒上升时间以及较大峰值功率的短脉冲,且具有延时抖动小、寿
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[常见问题解答]基于恒电流二极管的LED驱动电路设计介绍[ 2021-12-25 15:00 ]
基于恒电流二极管的LED驱动电路设计介绍当前LED照明正逐渐兴起,其具有体积小、功耗低、寿命长、节能环保无污染等特征。LED是电流驱动器件,其亮度与正向电流成正比,为保证LED发光高效均匀、LED驱动源应为恒电流输出。而目前照明市场上的LED驱动电路设计多数存在电路复杂、效率不高、电路成本高等特点。本文根据恒电流二极管的特性,针对LED照明中的小功率和大功率LED的不同特性,分别给出了驱动电路设计。1.恒电流二极管特性恒电流二极管(CRD)是一种硅材料制造的基础电子器件。正向恒电流导通,反向截止,输出恒电流。器件按
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[常见问题解答]「MOS场效应管」驱动电路设计时快速开启和关闭mos管 - 壹芯微[ 2021-08-11 10:38 ]
「MOS场效应管」驱动电路设计时快速开启和关闭mos管 - 壹芯微MOS管驱动电路设计,以下解析如何让MOS管快速开启和关闭。一般认为MOSFET(MOS场效应管管)是电压驱动的,不需要驱动电流。然而,在MOS管的G极和S极之间有结电容存在,这个电容会让驱动MOS变的不那么简单。如下图的3个电容为MOS管的结电容,电感为电路走线的寄生电感:如果不考虑纹波、EMI和冲击电流等要求的话,MOS管开关速度越快越好因为开关时间越短,开关损耗越小,而在开关电源中开关损耗占总损耗的很大一部分,因此MOS管驱动电路的好坏直接决定
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[常见问题解答]MOS管驱动电路-MOS管驱动电路设计以及注意事项[ 2020-12-08 16:23 ]
MOS管驱动电路-MOS管驱动电路设计以及注意事项MOS管驱动电路设计MOS管电子产品生产中不可或缺的重要保护器件,在手机、笔记本电脑、蓝牙耳机等都有MOS管的身影,可以这样说,有便携式电子产品的地方一定有MOS管的存在,究竟为何MOS管能在竞争激烈的电子行业中脱颖而出,我觉的最主要的原因莫过于MOS管绝佳的性能,如简化驱动电路、自适应能力强、抗干扰能力强等性能使得MOS管崛起的速度快,今天我们要说的是MOS管在驱动电路中的核心设计,为何能让MOS管在竞争如此激烈的电子市场存活。MOS管驱动电路设计一般认为MOSF
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[常见问题解答]MOSFET半桥驱动电路设计要领以及工作原理[ 2020-12-01 16:30 ]
MOSFET半桥驱动电路设计要领以及工作原理MOSFET半桥驱动电路设计要领MOSFET凭开关速度快、导通电阻低等优点在开关电源及电机驱动等应用中得到了广泛应用。要想使MOSFET在应用中充分发挥其性能,就必须设计-一个适合应用的最优驱动电路和参数。在应用中MOSFET一般工作在桥式拓扑结构模式下,如图1所示。由于下桥MOSFET驱动电压的参考点为地,较容易设计驱动电路,而上桥的驱动电压是跟随相线电压浮动的,因此如何很好地驱动上桥MOSFET成了设计能否成功的关键。半桥驱动芯片由于其易于设计驱动电路、外围元器件少、
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[常见问题解答]具有源电压钳位功能的电动汽车IGBT驱动电路设计与研究[ 2020-07-27 15:42 ]
具有源电压钳位功能的电动汽车IGBT驱动电路设计与研究由于电动汽车及混合动力机车的电池工作电压范围较大,在刹车能量回收、发电机发电、短路保护等工况下,防止IGBT 产生过压失效成为一个必须深入研究的课题。有源电压钳位功能作为防止IGBT 过压失效的有效手段开始有所应用,本文对几种有源电压钳位的具体方式和效果进行分析,基于英飞凌汽车级IGBT Hybridpack 2 及汽车级驱动芯片1ED020I12FA 设计具体驱动电路,给出相关的测试结论和实验数据,提出在有源电压钳位在电动汽车IGBT 驱动应用中的优化建议。引
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[常见问题解答]直流电机驱动电路设计介绍[ 2020-07-04 16:34 ]
直流电机驱动电路设计介绍直流电机驱动电路的设计目标在直流电机驱动电路的设计中,主要考虑一下几点:1. 功能:电机是单向还是双向转动?需不需要调速?对于单向的电机驱动,只要用一个大功率三极管或场效应管或继电器直接带动电机即可,当电机需要双向转动时,可以使用由4个功率元件组成的H桥电路或者使用一个双刀双掷的继电器。如果不需要调速,只要使用继电器即可;但如果需要调速,可以使用三极管,场效应管等开关元件实现PWM(脉冲宽度调制)调速。2. 性能:对于PWM调速的电机驱动电路,主要有以下性能指标。1)输出电流和电压范围,它决
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[常见问题解答]深解mos管驱动电路设计与mos管驱动电阻怎么选择[ 2019-05-30 15:21 ]
壹芯微作为国内专业生产二三极管的生产厂家,生产技术已经是非常的成熟,进口的测试仪器,可以很好的帮组到客户朋友稳定好品质,也有专业的工程师在把控稳定质量,协助客户朋友解决一直客户自身解决不了的问题,每天会分享一些知识或者客户的一些问题,今天我们分享的是,深解mos管驱动电路设计与mos管驱动电阻怎么选择,请看下方跟双极性晶体管相比,一般认为使MOS管导通不需要电流,只要GS电压高于一定的值,就可以了。这个很容易做到,但是,我们还需要速度。在MOS管的结构中可以看到,在GS,GD之间存在寄生电容,而MOS管的驱动,实际
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