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[常见问题解答]IGBT激光退火技术解析[ 2023-06-08 17:47 ]
IGBT激光退火技术解析激光退火是绝缘栅双极型晶体管(IGBT)背面工艺的重要步骤。对离子注入后的硅基IGBT 圆片背面进行激光快速退火,实现激活深度,有效修复离子注入破坏的晶格结构。随着IGBT技术发展和薄片加工工艺研发的需要,IGBT背面退火越来越多应用激光退火技术。1.IGBT退火技术在垂直方向上,IGBT结构经历了穿通型(pouch through,PT),非穿通型(non pouch through,NPT)和电场截止型(field stop,FS),使器件的整体性能不断提高。图 IGBT结构的变化在NP
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