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[常见问题解答]MOS管的PWM调制控制方法详解与实用案例[ 2024-11-08 15:28 ]
PWM(脉冲宽度调制)由于其高效率和灵活性而广泛应用于现代电子设备中。尤其是在功率控制、信号处理、负载驱动等场景中,场效应晶体管因其快速开关能力和低导通电阻而成为理想的解决方案。本文详细介绍了MOS管的PWM调制控制方法,并结合实例。一、PWM调制的基本原理PWM调制通过改变脉冲宽度来控制信号的占空比,从而控制信号的平均值。占空比是指脉冲宽度与总周期的比值,直接影响输出信号的平均电压或电流。例如,调整占空比可以让您改变电机控制器LED的亮度,还可以让您调整电机的速度,进行精确控制。二、MOS管的基本结构与控制MOS
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[常见问题解答]双向可控硅在现代电路设计中的创新应用[ 2024-07-05 11:32 ]
一、双向可控硅电路设计的应用前景双向可控硅的电路设计为众多应用提供了广阔的前景。合理设计的负载驱动和保护电路不仅能满足实际需求,而且能通过精准调控电压和电流、高效使用能源等功能提升设备性能与可靠性,降低运营成本。随着技术进步,双向可控硅的电路设计应用将进一步扩展。二、双向可控硅的基本工作机制双向可控硅是一种能够在双向上导电的半导体器件。其由两个反向并联的单向可控硅组成,具有不同的内部结构。它包括阳极(A)、阴极(K)和控制极(G)三个引脚。在控制极未施加电压时,设备是关闭的。一旦控制极施加电压,双向可控硅便开始导电
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[常见问题解答]MOS集成电路的功能知识详解[ 2020-11-13 16:54 ]
MOS集成电路的功能知识详解MOS集成电路的功能(1)放大MOS晶体管作为有源元件,本来就是用作放大元件的。在图3.15所示的互补型电路中,P沟道和N沟道晶体管互为有源元件和负截元件而工作,适用于重负载驱动和小功率电路。但与单沟道MOS集成电路相比,工艺流程复杂。(2)负载考虑其控制参数和芯片面积等单项功能,用MOS晶体管做负载要比扩散电阻负载有利。MOS晶体管负载利用了漏-源间的伏安特性,依栅接地的形式大体分为两种。还加了一种兼具两者的优点的、可实现新功能的电抗型的负载形式。表中所列的漏接地电路是目前最常用的形式
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