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[常见问题解答]MDD超快恢复二极管封装工艺如何影响散热效率与系统可靠性？[ 2025-04-19 11:52 ]

在现代电力电子系统中，随着开关频率不断提升以及功率密度持续增大，对功率器件的热管理能力提出了更高的要求。尤其是MDD系列超快恢复二极管，由于具备极短的反向恢复时间与低导通压降，在开关电源、高频整流、车载DC-DC模块、新能源变换器等场合中得到广泛应用。然而，不合理的封装工艺往往成为其散热瓶颈，进而影响系统的长期稳定运行。一、封装材料与结构对热传导性能的制约功率二极管封装的本质，是将芯片产生的热量迅速传导至外部热沉或空气中，降低芯片温升。若封装采用普通塑封材料或未优化的引线结构，将直接限制热流路径，导致结温（Tj）快

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[常见问题解答]IGBT模块稳中求进：散热设计驱动封装质量全面跃升[ 2025-03-28 12:27 ]

在高功率电子应用快速发展的背景下，IGBT模块作为关键能量转换组件，正面临性能密度持续提升、热应力骤增的双重挑战。尤其在轨道交通、新能源发电、工业驱动等对可靠性要求极高的场景中，封装质量已成为影响模块整体性能和使用寿命的核心因素。而散热设计，作为封装工艺中的“隐性支柱”，正在悄然主导IGBT模块从传统到高端的跃迁之路。功率器件在运行过程中不可避免地产生大量热量，如果热量不能及时有效释放，器件结温将迅速升高，从而加速芯片老化、引发焊点失效，最终导致模块失效。因此，提升散热能力，不仅仅是优化IG

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[常见问题解答]二极管过载的原因及预防方法详解[ 2024-12-16 11:16 ]

二极管是电子电路中重要的半导体元件。它们在直流控制、整流和信号调节等应用中发挥着核心作用。但如果二极管在长期使用过程中设计和保护不当，则存在因过载而损坏的风险。本文将详细讲解二极管过载的原因以及如何预防，以便更好地了解和避免这一问题。一、二极管过载的原因1. 超过额定电流每个二极管都有一个最大正向电流 (IF) 值。电流超过此值可能会损坏二极管的内部结构。过载的常见原因包括电源设计不当、过早的电源调节或临时电源浪涌。如果电流继续超过二极管的最大容差，二极管内的结温将会升高，最终导致热失控并损坏二极管。2. 反向电压

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[常见问题解答]LED检测必备知识：你不可不知的五大测试标准[ 2024-07-12 11:34 ]

一、LED热学特性和结温测量在LED的应用中，热管理是不可忽视的一环。热阻和结温是评估LED热性能的两个关键指标。热阻定义为器件热流路径上的温差与功率耗散的比例，而结温则指的是LED的半导体结的实际温度。常用的结温测量技术包括红外测温和热偶测量法。前者通过捕捉芯片表面的红外辐射来估计温度，而后者则通过直接测量小型热偶的温度来确定。二、LED优势：节能与环保LED光源以其高效率和长寿命被广泛认可。相较于传统白炽灯，LED的能效高达20-28lm/w，寿命可超过100,000小时，显著优于其他类型的照明。此外，LED灯

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[常见问题解答]探索压敏电阻在现代科技中的关键应用[ 2024-07-04 10:39 ]

压敏电阻，通常受到外部电压变化影响而调整其阻值，主要依据压电效应、热释电效应及势垒效应来适应环境变动。首先，解析压敏电阻阻值的计算方法。阻值受材料特性如载流子浓度、晶体大小以及烧结温度等因素影响，同时环境温度、湿度及压力的变化亦会对其产生影响。在技术参数方面，压敏电阻包括阻值、响应速率、耐压以及功率等指标。阻值通常以欧姆（Ω）计，响应速率则描述电阻器对外部力或电场变化后，输出电信号的速度。耐压反映了电阻器能够承受的最大电压，通常以伏特（V）表示；功率则以瓦特（W）作为计量单位。关于测量压敏电阻的阻值，通常利用万用表

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[常见问题解答]如何优化PFC电路效率：关键二极管选择技巧[ 2024-06-12 09:52 ]

一、新型600V Tandem二极管与传统600V二极管在PFC电路中的性能比较在功率因数校正（PFC）电路中，二极管的选择对整体效率有着决定性的影响，尤其在连续工作模式及高负荷开关条件下。传统的600V二极管（例如STTA806D）和ST Microelectronics推出的600V Tandem（STTH806TTI）二极管在这些应用中的表现差异显著。二、性能分析与选择因素选择合适的二极管需要考虑多个技术参数，主要包括开关频率（Fs）、供电电压（Vmains）和二极管的工作结温（Tj）。1. 开关频率影响：在

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[常见问题解答]避免错误：常见的可控硅型号识别误区及其纠正方法[ 2024-04-30 10:52 ]

一、可控硅型号与参数表可控硅的核心性能参数：1. 额定正向通断电压(VPFU)：在控制端无信号的正向阻断状态下，可反复施加的最大正向电压，通常为正向转折电压的80%。2. 反向阻断顶峰电压(VPRU)：在控制端开路且达到最高结温时，可重复施加的最高反向电压，此电压通常是最大测试反向电压的80%。3. 额定正向平均电流(IF)：在+40C环境温度下，该器件在标准散热条件下能持续通过的工频正弦半波电流的平均值。4. 正向平均电压降(UF)：在特定条件下，设备在通以额定正向电流时，阳极和阴极之间的平均电压降。5. 维持电

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[常见问题解答]功率Mos管损坏主要原因有哪些[ 2023-02-10 17:34 ]

mos在控制器电路中的工作状态：开通过程（由截止到导通的过渡过程）、导通状态、关断过程（由导通到截止的过渡过程）、截止状态。Mos主要损耗也对应这几个状态，开关损耗（开通过程和关断过程），导通损耗，截止损耗（漏电流引起的，这个忽略不计），还有雪崩能量损耗。只要把这些损耗控制在mos承受规格之内，mos即会正常工作，超出承受范围，即发生损坏。而开关损耗往往大于导通状态损耗，不同mos这个差距可能很大。Mos损坏主要原因：过流----------持续大电流或瞬间超大电流引起的结温过高而烧毁过压----------源漏过

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[常见问题解答]ESD二极管兼作温度传感器介绍[ 2023-02-09 16:26 ]

问：根据数据手册规格估算高速放大器的结温有多准确？结温是否易于测量？答：从环境温度（T一个）、功耗（PD），和热阻 θJA），如公式1所示。TJ = TA + PDθJA (1)他告诉我一种替代方法，通过使用片上输出级保护二极管作为温度传感器来获得常用3端子稳压器的结温。他的公司在日常测试和评估期间使用保护二极管测量稳压器的结温。这种温度检测技术也可用于高速运算放大器。在图1中，二极管D3和D4保护运算放大器免受静电放电（ESD）的损坏。二极管 D

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[常见问题解答]MOS管参数详解[ 2022-12-26 16:03 ]

我们打开一个 MOS 管的 SPEC，会有很多电气参数，今天说一说热阻、电容和开关时间这三个。热阻，英文 Thermal resistance，指的是当有热量在物体上传输时，在物体两端温度差与热源的功率之间的比值，单位是℃/W 或者是 K/W。半导体散热的三个途径，封装顶部到空气，封装底部到电路板，封装引脚到电路板。结到空气环境的热阻用 ThetaJA 表示，ThetaJA = (Tj-Ta)/P其中Tj为芯片结温，Ta为芯片环境温度，如下图所示。还有一些其他的热阻参数如下：ThetaJC=(Tj-Tc)/P，结到

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[常见问题解答]肖特基二极管应用需要注意的事项[ 2021-10-27 15:59 ]

肖特基二极管应用需要注意的事项二极管在应用中偶尔会出现一些小故障，但是，有一些小问题是可以预防并且能够做到有效避免的。以下是肖特基二极管在使用过程种需要注意的事项。肖特基二极管应用需要注意以下几点①应用电路的实际工作电流应小于肖特基二极管的正向额定电流If，一般不大于额定If的60%。②应用电路的峰值工作电压应小于肖特基二极管的反向击穿电压Vrrm，一般不大于额定电压Vrrm的80%。③应用电路内的肖特基二极管的实际工作温升应小于肖特基二极管的结温Tjmax。④对于比较苛刻的环境，为了保证可靠性，肖特基二极管应降额

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[常见问题解答]650V碳化硅肖特基二极管的作用解析[ 2021-10-21 10:08 ]

650V碳化硅肖特基二极管的作用解析相比传统的硅基器件，两个系列均为电力电子系统设计人员提供多种优势，包括可忽略不计的反向恢复电流、高浪涌保护能力以及175°C最高运行结温，因此是需要增强效率、可靠性与热管理的应用的理想选择。这些产品将在加州安海姆举办的应用电力电子会议(APEC 2019)上亮相。（LSIC2SD065DxxA/LSIC2SD065ExxCCA系列碳化硅肖特基二极管）LSIC2SD065DxxA系列碳化硅肖特基二极管可提供6A、10A或16A额定电流，采用TO 263-2L封装;LSIC

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[常见问题解答]GEN2系列 1200V 3L TO-247肖特基二极管特点与作用介绍[ 2021-10-21 09:58 ]

GEN2系列 1200V 3L TO-247肖特基二极管特点与作用介绍肖特基二极管GEN2系列1200V 3L TO-247有什么特点？相比硅二极管，GEN2碳化硅肖特基二极管可显著降低开关损耗，并大幅提高电力电子系统的效率和可靠性。（GEN2系列1200V、3L TO-247和2L TO-263肖特基二极管）碳化硅技术的高效性为电动汽车充电器、数据中心电源和可再生能源系统的设计师提供了多重优势。由于GEN2碳化硅肖特基二极管相比许多其他解决方案耗散的能量更少，并可在更高的结温下工作，因此需要的散热片和系统占用的

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[常见问题解答]功率mos管是为何会被烧毁[ 2020-12-28 16:25 ]

功率mos管是为何会被烧毁mos在控制器电路中的工作状态：开通过程（由截止到导通的过渡过程）、导通状态、关断过程（由导通到截止的过渡过程）、截止状态。Mos主要损耗也对应这几个状态，开关损耗（开通过程和关断过程），导通损耗，截止损耗（漏电流引起的，这个忽略不计），还有雪崩能量损耗。只要把这些损耗控制在mos承受规格之内，mos即会正常工作，超出承受范围，即发生损坏。而开关损耗往往大于导通状态损耗，不同mos这个差距可能很大。Mos损坏主要原因：过流----------持续大电流或瞬间超大电流引起的结温过高而烧毁；过

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[常见问题解答]MOS管的知识-MOSFET耗散功率计算图文分析[ 2020-12-01 15:58 ]

MOS管的知识-MOSFET耗散功率计算图文分析计算MOSFET的耗散功率为了确定一个MOSFET是否适合于某特定应用，你必须计算一下其功率耗散，它主要包含阻性和开关损耗两部分:由于MOSFET耗散功率很大程度上依赖于它的导通电阻(Rds(ON)，计算RDs(ON)看上去是一个很好的出发点。但是MOSFET的Rds(ON)与它的结温(Tj)有关。话说回来，Tj 又依赖于MOSFET的功率耗散以及MOSFET的热阻(θjA)。这样，似乎很难找到一个着眼点。由于功率耗散的计算涉及到若干个相互依赖的因素，我们可以采用一种

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[常见问题解答]MOS管为什么会炸裂-原因是什么[ 2020-11-12 17:23 ]

MOS管为什么会炸裂-原因是什么MOS管炸裂原因我们知道开关电源中MOSFET、 IGBT是最核心也是最容易烧坏的器件。MOS管炸裂原因：开关器件长期工作于高电压大电流状态，承受着很大的功耗，一但过压或过流就会导致功耗大增，晶圆结温急剧上升，如果散热不及时，就会导致器件损坏，甚至可能会伴随爆炸，非常危险。这里就衍生一个概念，安全工作区。一、什么是安全工作区？安全工作区：SOA（Safe operating area）是由一系列（电压，电流）坐标点形成的一个二维区域，开关器件正常工作时的电压和电流都不会超过该区域。简

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[常见问题解答]可控硅设计经验详情[ 2020-10-27 15:18 ]

可控硅设计经验详情可控硅设计知识要点进行总结：可控硅类别：a. 单向可控硅：门极带阻灵敏型单向可控硅、门极灵敏型单向可控硅、标准型单向可控硅······b. 双向可控硅：标准型双向可控硅、四象限双向可控硅、洗衣机专用双向可控硅、高结温双向可控硅、瞬态抑制型双向可控硅······c. 电力电子可控硅：电力电子可控硅模块芯片、电力电子可控硅模块组件可控硅

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[常见问题解答]功率MOS管烧毁的原因分析(米勒效应)[ 2020-10-24 16:27 ]

功率MOS管烧毁的原因分析(米勒效应)Mos在控制器电路中的工作状态：开通过程（由截止到导通的过渡过程）、导通状态、关断过程（由导通到截止的过渡过程）、截止状态。Mos主要损耗也对应这几个状态，开关损耗（开通过程和关断过程），导通损耗，截止损耗（漏电流引起的，这个忽略不计），还有雪崩能量损耗。只要把这些损耗控制在mos承受规格之内，mos即会正常工作，超出承受范围，即发生损坏。而开关损耗往往大于导通状态损耗（不同mos这个差距可能很大。Mos损坏主要原因：过流----------持续大电流或瞬间超大电流引起的结温过

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[常见问题解答]详说旁路二极管热失控测试方法[ 2020-09-24 18:20 ]

详说旁路二极管热失控测试方法什么是旁路二极管热失控？作为太阳能组件中的旁路二极管，在反向偏置电流增加的情况下，温度会升高。如果旁路二极管在反向偏置时会产生持续漏电流造成二极管结温增加，最差的情况是温升超过了接线盒的冷却能力。温升和漏电流造成旁路二极管损坏的现象叫做热失控。旁路二极管热失控测试方法1.测试条件a.组件温度：90±2℃（屋顶类组件），75±2℃（开放支架类）b.正向电流：1.25倍STC下组件短路电流c.反向偏置电压：数值等同STC下组件开路电压2.样品要求a.接线盒样品需粘

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[常见问题解答]mos管炸机-MOS管炸不炸机原因的关键看这里[ 2020-09-08 16:01 ]

mos管炸机-MOS管炸不炸机原因的关键看这里mos管炸机mos管炸机是电源工程师最怕的，mos管炸机！用着用着就坏了，莫名其妙MOS管就炸了，真是又怕又恨，可到底是哪里出问题了呢?这一切都和SOA相关。我们知道开关电源中MOSFET、 IGBT是最核心也是最容易烧坏的器件。开关器件长期工作于高电压大电流状态，承受着很大的功耗，一但过压或过流就会导致功耗大增，晶圆结温急剧上升，如果散热不及时，就会导致器件损坏，甚至可能会伴随爆炸，非常危险。这里就衍生一个概念，安全工作区。什么是mos管的安全工作区？mos管炸机，

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