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[常见问题解答]优化MOS管开关性能:应对米勒效应的最新技术与方法[ 2024-05-27 10:48 ]
一、MOSFET的驱动机制与米勒平台在电路设计中,MOSFET的栅极驱动过程至关重要,涉及对MOSFET输入电容的充放电,尤其是栅源极电容Cgs。一旦Cgs电荷达到门槛电压,MOSFET即切换至开启状态。接着,随着Vds下降和Id上升,MOSFET进入饱和区。然而,由于米勒效应,Vgs在一段时间内停滞,即使此时Id已达最大值,Vds仍在下降,直至米勒电容充满电。再次将Vgs上升至驱动电压时,MOSFET进入电阻区,Vds彻底下降至最低,完成开启过程。米勒电容的存在限制了Vgs上升速度,影响了Vds下降速度,因此延长
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[常见问题解答]场效应管G极与S极之间的电阻作用解析[ 2023-07-22 16:34 ]
场效应管G极与S极之间的电阻作用解析MOS管具有三个内在的寄生电容:Cgs、Cgd、Cds。这一点在MOS管的规格书中可以体现(规格书常用Ciss、Coss、Crss这三个参数代替)。MOS管之所以存在米勒效应,以及GS之间要并电阻,其源头都在于这三个寄生电容。MOS管内部寄生电容示意IRF3205寄生电容参数1.MOS管的米勒效应MOS管驱动之理想与现实理想的MOS管驱动波形应是方波,当Cgs达到门槛电压之后, MOS管就会进入饱和导通状态。而实际上在MOS管的栅极驱动过程中,会存在一个米勒平台米勒平台实际上就
http://www.szyxwkj.com/Article/cxyggjysjz_1.html3星
[行业资讯]MOS管G极与S极之间的电阻作用解析[ 2023-06-08 17:29 ]
MOS管G极与S极之间的电阻作用解析MOS管具有三个内在的寄生电容:Cgs、Cgd、Cds。这一点在MOS管的规格书中可以体现(规格书常用Ciss、Coss、Crss这三个参数代替)。MOS管之所以存在米勒效应,以及GS之间要并电阻,其源头都在于这三个寄生电容。MOS管内部寄生电容示意IRF3205寄生电容参数1.MOS管的米勒效应MOS管驱动之理想与现实理想的MOS管驱动波形应是方波,当Cgs达到门槛电压之后, MOS管就会进入饱和导通状态。而实际上在MOS管的栅极驱动过程中,会存在一个米勒平台米勒平台实际上就
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[常见问题解答]MOS管之米勒效应及形成原理详细解析-壹芯微[ 2021-08-05 14:01 ]
场效应MOS管之米勒效应及形成原理详细解析-壹芯微米勒平台形成的基本原理MOSFET的栅极驱动过程,可以简单的理解为驱动源对MOSFET的输入电容(主要是栅源极电容Cgs)的充放电过程;当Cgs达到门槛电压之后, MOSFET就会进入开通状态;当MOSFET开通后,Vds开始下降,Id开始上升,此时MOSFET进入饱和区;但由于米勒效应,Vgs会持续一段时间不再上升,此时Id已经达到最大,而Vds还在继续下降,直到米勒电容充满电,Vgs又上升到驱动电压的值,此时MOSFET进入电阻区,此时Vds彻底降下来,开通结束
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