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[常见问题解答]SiC二极管的结构与工作原理解析[ 2025-03-06 11:56 ]
随着功率电子技术的发展,对高效率、高耐压和高温稳定性的半导体器件需求日益增长。SiC二极管作为第三代半导体技术的重要代表,凭借其卓越的电学和热学特性,在高功率、高频和高温应用中展现出显著优势。一、SiC二极管的基本概念SiC二极管是一种基于碳化硅(SiC)材料制造的半导体整流器件。与传统硅(Si)二极管相比,SiC二极管具有更高的击穿电压、更低的正向导通损耗以及更强的耐高温性能。这使其在电力电子、可再生能源、电动汽车及航空航天等领域占据重要地位。SiC材料具有较宽的带隙(约3.26 eV),高临界击穿场强(Si的约
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[常见问题解答]突破性SiC失效检测方案:如何精准定位故障根源[ 2024-12-13 11:39 ]
随着功率半导体技术的不断发展,碳化硅(SiC)材料以其优异的电性能、耐高温、耐辐射等优点,广泛应用于现代能源、汽车、通信等领域。对于高功率和高频应用,SiC器件显示出显著的优势。然而,SiC器件在高电压、大电流等极端工作条件下的失效问题仍然是亟待解决的问题,其根本原因已成为半导体行业的重要研究课题。二、SiC器件的故障特征SiC作为第三代半导体材料,与传统硅相比具有显著改进。它更大的带隙使其能够在更高的电压和温度下工作,而更高的导热率使其能够承受更大的热应力。然而,高温和频繁开关使SiC器件容易出现故障、过热等问题
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[常见问题解答]探索第三代半导体:未来科技与传统半导体的差异[ 2024-06-06 14:37 ]
一、第三代半导体技术展望随着信息技术、电动汽车、LED照明和智能家居等领域的发展,新型第三代半导体材料,例如氮化硅、碳化硅和氮化镓,将极大推动未来的科技进步。这些材料在高功率LED、蓝光激光器和高速逻辑芯片等应用中表现出色,预示着半导体行业的新方向。二、传统与现代半导体的对比分析传统半导体,如硅和锗,主要通过内部的电子和空穴的密度调节其导电性。相比之下, 第三代半导体通过设计能带结构来优化性能,提供了更高的电子迁移率和耐高温特性。此外,第三代半导体拥有更广阔的能带范围,使其在光电行业中的应用更为广泛。三、半导体和第
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[行业资讯]SIC碳化硅SIC二极管器件的作用与发展趋势[ 2019-09-06 18:23 ]
什么是碳化硅二极管通常大家所用的基本都是以硅为原料的二极管,但是最近比较热门的碳化硅二极管是用碳化硅为原料的二极管。目前常见的多为高压的肖特基碳化硅二极管,其优点:反向恢复特性很好,媲美肖特基硅二极管。但是可以做高压的二极管。在PFC中已有较多应用。缺点:正向导通压降比较大。还有一点与硅二极管不同的是其导通压降随温度上升反而增大。早期的碳化硅二极管,还有可承受冲击电流小,可靠性不高等缺点。但是目前已有很大改善。碳化硅材料以其优异的性能被行业列为第三代半导体材料,其击穿场强是硅的10倍,热导率是硅的2.5倍。用碳化硅
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