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[常见问题解答]离子注入技术中的晕环现象：影响因素与控制策略[ 2025-01-06 12:28 ]

离子注入技术是影响集成电路性能的重要工艺之一，特别是在MOSFET器件的特征尺寸不断缩小的背景下，离子注入技术变得越来越精确和可控。在离子注入过程中，光晕现象是一种显著的物理效应，它直接影响半导体器件的性能。本文详细介绍了晕圈现象的产生原因、影响因素以及控制策略，旨在帮助理解晕圈现象在离子注入中的作用。一、晕圈现象的基本概述光晕效应通常指在离子注入过程中，离子束的不均匀分布导致注入区域边缘形成浓度过渡区。光晕效应与离子束的扩散和散射密切相关，尤其在半导体器件的制造中，它会引起阈值电压的变化和寄生电容的增加，从而影响

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[常见问题解答]探索碳化硅半导体的未来：全面分析碳化硅产业链[ 2024-06-14 11:24 ]

一、碳化硅半导体产业链展望碳化硅半导体技术的进步预示着其产业链的未来将迎来新的发展趋势。首先，衬底制备技术的创新将推动碳化硅衬底朝向更高纯度、更低成本和更高质量的方向进化。例如，外延生长法的采用，预计将成为制备高质量6H-SiC衬底的主流方法。其次，为了提升器件性能和降低成本，器件制造工艺也将经历优化，如新型光刻和离子注入技术将实现更细致的器件结构。此外，随着器件性能的提升，碳化硅半导体将扩展至新能源汽车和智能电网等新兴应用领域。二、碳化硅半导体应用在电力电子、射频器件和光电子领域，碳化硅半导体已显现其卓越性能。这

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[常见问题解答]场限环的发展历程及其未来趋势[ 2024-04-18 10:07 ]

一、场限环与场效应管的结合使用场限环(Field Limiting Ring)技术，在功率半导体器件中发挥关键作用，尤其在与场效应管（如金属氧化物半导体场效应管，MOSFET）结合时，可以显著提升器件的耐压性能和稳定性。场效应管利用电场控制电流的特性，与场限环技术结合，能够有效抑制电压高压下的电场集中，防止器件因电场过强而损坏。二、场限环的技术原理与设计场限环通常设于半导体器件的边缘，通过离子注入或扩散工艺形成高掺杂区域。这一技术基于掺杂浓度对电场分布的调控，通过增加载流子浓度，减小空间电荷区的宽度，从而在高电压工

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[常见问题解答]IGBT激光退火技术解析[ 2023-06-08 17:47 ]

IGBT激光退火技术解析激光退火是绝缘栅双极型晶体管(IGBT)背面工艺的重要步骤。对离子注入后的硅基IGBT 圆片背面进行激光快速退火，实现激活深度，有效修复离子注入破坏的晶格结构。随着IGBT技术发展和薄片加工工艺研发的需要，IGBT背面退火越来越多应用激光退火技术。1.IGBT退火技术在垂直方向上，IGBT结构经历了穿通型（pouch through，PT），非穿通型（non pouch through，NPT）和电场截止型（field stop，FS），使器件的整体性能不断提高。图 IGBT结构的变化在NP

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[常见问题解答]CMOS知识普及-分析CMOS电路中的阱[ 2020-11-10 17:01 ]

CMOS知识普及-分析CMOS电路中的阱CMOS电路中的阱在CMOS电路的工艺结构中,应用在衬底上形成反型的阱是一大特点。已有的多种CMOS电路阱的类别,有p阱、n阱、双阱及倒转阱等(图4-3-3)。CMOS电路中的阱-p阱在a型衬底上,以离子注入掺杂使阱区域有足够的浓度,以补偿衬底上的n型掺杂并形成一个p阱区。n型起始材料的掺杂浓度也必须保证能使在其上制备的p沟器件特性符合要求(一般而言,其浓度约3X1014~1X1015 /cm3)。p阱的掺杂浓度也必须高于n型衬底浓度5~10倍。掺杂过浓也将损害n沟器件的性能

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