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[常见问题解答]碳化硅SiC技术如何推动电动车性能突破[ 2024-11-27 14:45 ]: 碳化硅SiC技术是近年来推动电动汽车性能全面提升的核心技术之一。碳化硅作为新一代半导体材料的优异物理性能使得关键电动汽车系统的性能得到显着提升。本文介绍了碳化硅技术如何通过比传统硅材料在更高的开关频率下产生更大的能量损失来促进电动汽车性能的进步。然而碳化硅可以有效降低这种损耗，提高整体效率。一、电动汽车驱动系统的提升电动汽车的作用是将电池的直流电转换成交流电来驱动电机。通过使用碳化硅，逆变器的开关频率显着提高，减少了系统中的能量损耗，从而延长了车辆的续航里程。体积减小的碳化硅器件具有更高的介电强度和导热率，使其能够; http://www.szyxwkj.com/Article/thgsicjsrh_1.html

[常见问题解答]在开关电源转换器中利用碳化硅器件的优势介绍[ 2022-10-24 18:48 ]: 简介在过去的几十年中，半导体行业已经采取了许多措施来改善基于硅 MOSFET （parasitic parameters），以满足开关转换器(开关电源)设计人员的需求。行业效率標準以及市场对效率技术需求的双重作用，导致了对于可用于构建更高效和更紧凑电源解决方案的半导体产品擁有巨大的需求。這個需求宽带隙（WBG）技术器件应运而生, 如碳化硅場效應管(SiC MOSFET) 。它们能够提供设计人员要求的更低的寄生參數滿足开关电源（SMPS）的設計要求。650V 碳化硅場效應管器件在推出之后，可以补充之前只有 1200V; http://www.szyxwkj.com/Article/zkgdyzhqzl_1.html

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