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[常见问题解答]如何设计高效的脉冲变压器驱动电路？五种方案实战对比[ 2025-04-19 15:23 ]

在现代电力电子系统中，脉冲变压器驱动电路被广泛应用于功率器件的信号隔离与驱动控制，尤其在MOSFET与IGBT控制、通信隔离、电源模块等场景中更是不可或缺。设计一套高效、可靠的脉冲驱动电路，不仅关系到系统的开关速度与干扰能力，还直接影响到电路的能耗与稳定性。一、电容耦合+脉冲变压器方式这是一种传统但非常稳定的驱动方案，输入端由PWM控制器提供方波信号，经隔直电容后进入初级放大电路（通常为推挽式MOS开关），再经脉冲变压器传输至次级侧，最终驱动目标功率管。优点是结构清晰、易于布线、对高频信号支持良好。缺点在于电容匹配

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[常见问题解答]MOS管米勒效应详解：原理、影响及抑制方法[ 2025-04-09 10:42 ]

MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）作为一种广泛应用于电子电路中的半导体器件，其特性和行为对电路的整体性能有着深远的影响。尤其是当MOS管应用于高频电路时，米勒效应对电路的表现尤为关键。一、米勒效应的原理米勒效应主要发生在具有增益的放大器中，尤其是在MOS管等场效应管(FET)电路中。输入和输出端之间的电容耦合是米勒效应的核心。输入电容(Cgs)和反向电容(Cgd)是MOS管的两种常见的寄生电容。这些电容在放大过程中对电路的表现产生了重大影响

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[常见问题解答]电子耦合技术推动新型传感器的革新与应用前景[ 2024-11-27 10:40 ]

电子耦合技术在新型传感器中的使用正在成为提高传感器性能和扩展其应用领域的重要驱动力。随着科学技术的不断发展，电子耦合技术不仅促进了传感器灵敏度、响应速度和稳定性的提升，而且在多个行业中展现出巨大的创新应用潜力。本文探讨了电子耦合技术如何推动新型传感器创新及其广泛的应用潜力。一、电子耦合技术及其作用电子耦合技术是通过电磁相互作用或其他电气方法在不同电子系统之间传递能量或信息的过程。传感中的电子耦合机制包括光电耦合、电感耦合和电容耦合，通过有效地将外部物理信号转换为电信号，实现对环境的识别和反应。电子耦合的优势不仅在于

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[常见问题解答]源跟随器的图文详解[ 2023-04-27 17:35 ]

源跟随器的图文详解在共源放大器和源跟随器中，输入信号都是加在MOS管的栅极。我们也可以把输入信号加在MOS管的源端。共漏级在源端接受输入，在漏端产生输出。栅极接一个直流电压，以便建立适当的工作条件。在另一种方法中，M1管用一个恒流源来偏置，信号通过电容耦合到电路。分析第一张图的大信号特性。假设 Vin 从某一个大的正值减小。当Vin > =Vb-VTH 时，M1 处于关断状态，所以Vout =VDD。当 Vin 较小时，如果M1 处于饱和区，可以得到随着Vin 的减小，ID 增大，Vout 逐渐减小。在上式满

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[常见问题解答]整流器故障以及通讯系统干扰的原因[ 2020-12-26 15:40 ]

整流器故障以及通讯系统干扰的原因整流器作为控制系统常备元器件之一，整流器(英文:rectifier)是把交流电转换成直流电的装置，可用于供电装置及侦测无线电信号等。整流器可以由真空管，引燃管，固态矽半导体二极管，汞弧等制成，是整个控制系统的重要组成部分！那么控制系统中出现的整流器故障及通讯问题究竟是由什么引起的呢？交流电网背景谐波电压畸变有可能引起换流装置常规控制角触发脉冲间隔不等，并通过正反馈而放大系统的电压畸变，使整流器工作不稳定，对逆变器可能发生的连续换相失败而无法工作。干扰通信系统。谐波通过电容耦合、电磁感

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[常见问题解答]电路ESD防护设计解析[ 2020-07-24 13:58 ]

电路ESD防护设计解析静电放电（ESD）理论研究的已经相当成熟，为了模拟分析静电事件，前人设计了很多静电放电模型。常见的静电模型有：人体模型（HBM），带电器件模型，场感应模型，场增强模型，机器模型和电容耦合模型等。芯片级一般用HBM做测试，而电子产品则用IEC 6 1000-4-2的放电模型做测试。为对 ESD 的测试进行统一规范，在工业标准方面，欧共体的 IEC 61000-4-2 已建立起严格的瞬变冲击抑制标准；电子产品必须符合这一标准之后方能销往欧共体的各个成员国。因此，大多数生产厂家都把 IEC 6100

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[常见问题解答]晶体管放大器工作原理图解[ 2020-04-23 15:26 ]

晶体管放大器工作原理图解线性放大器提供信号放大而没有任何失真，因此输出信号是输入信号的精确放大复制品。一个分压器偏置晶体管，其正弦交流电源通过C1电容耦合到基极，负载通过C2电容耦合到集电极，如图所示：晶体管放大器工作原理。耦合电容阻断DC，从而防止内部源电阻Rs和负载电阻RL改变基极和集电极的直流偏置电压。理想情况下，电容器看起来与信号电压短路。正弦源电压使基极电压在其直流偏置电平VBQ之上和之下正弦变化。由于晶体管的电流增益，所产生的基极电流变化产生较大的集电极电流变化。晶体管放大器工作原理图随着正弦集电极电流

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[常见问题解答]电路级静电防护设计和ESD防护方法[ 2019-12-21 14:44 ]

电路级静电防护设计和ESD防护方法静电放电（ESD）理论研究的已经相当成熟，为了模拟分析静电事件，前人设计了很多静电放电模型。常见的静电模型有：人体模型（HBM），带电器件模型，场感应模型，场增强模型，机器模型和电容耦合模型等。芯片级一般用HBM做测试，而电子产品则用IEC 6 1000-4-2的放电模型做测试。为对 ESD 的测试进行统一规范，在工业标准方面，欧共体的 IEC 61000-4-2 已建立起严格的瞬变冲击抑制标准；电子产品必须符合这一标准之后方能销往欧共体的各个成员国。因此，大多数生产厂家都把 IE

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[常见问题解答]晶闸管过电压保护知识[ 2019-11-20 12:30 ]

晶闸管过电压保护知识晶闸管过电压保护，按过电压保护的部位，可分为：交流侧保护、器件侧保护和直流侧保护。　　一、交流侧过电压保护由于操作交流侧电源时，使电感元件聚集的能量骤然释放所引起的瞬时过电压，一般有以下几种情况：（1）由于变压器一次、二次绕组之间存在分布电容，若在一次电压峰值时合闸，一次高电压将经分布电容耦合到二次绕组上而出现瞬间过电压。通常可以在变压器二次绕组或在三相变压器二次绕组的星形中点与地之间，并联接入适当的电容（一般为0.5 F），或在一次绕组与二次绕组之间加屏蔽层，就可以显著减小这种过电

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