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[常见问题解答]碳化硅衬底 BOW/WARP 测量中的环吸方案优势与局限分析[ 2025-01-16 11:50 ]
碳化硅(SiC)材料在电力电子和射频设备中的广泛应用使得电路板质量的准确测量变得尤为重要。BOW和WARP是测量基板变形的重要因素。这些参数对后续制造过程的产量和产品性能起着至关重要的作用。在各种吸附系统中,环吸附系统由于其设计特点而显示出许多优点,但也具有一定的局限性。一、环吸法核心原理环吸法是将真空吸附装置放置在碳化硅衬底边缘的环状区域内,利用局部吸力稳定衬底。这样的设计避免了对板子的中心区域进行直接压力。这使得内部张力和变形可以更加自然地表达。测量装置中采用环吸式边吸方式固定基板,为准确测量BOW和WARP创
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