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[常见问题解答]EEPROM与FLASH存储器：原理差异与应用场景对比[ 2024-12-18 11:13 ]: 存储技术的选择在现代电子设备中非常重要，尤其是在需要大量数据存储和高可靠性的场景中。然而，EEPROM（电可擦除可编程只读存储器）和FLASH存储器是两种常见的非易失性存储器类型，两者都可以在断电后保留数据。工作原理、性能特点、适用场景等方面存在显著差异。本文将比较EEPROM和闪存之间的主要区别，并讨论每种存储器的不同应用场景。一、工作原理的差异EEPROM存储器的基本结构由多个浮栅晶体管组成。浮置栅极是电隔离的导电区域，它捕获并保留电子，从而改变晶体管的阈值电压。写入数据时，通过施加高电压将电子注入到浮栅中，从; http://www.szyxwkj.com/Article/eepromyfla_1.html

[常见问题解答]浮栅晶体管的工作原理与内部结构解析[ 2024-11-27 11:15 ]: 浮栅晶体管是非易失性存储器的常见核心元件。其独特的结构和工作原理在存储技术中发挥着重要作用。本文全面分析浮栅晶体管的配置结构和工作机制，以更好地理解其技术含义。一、浮栅晶体管结构浮栅晶体管的设计基于NMOS晶体管的基本结构。在控制栅下方的绝缘层之间添加浮栅层。浮栅层的主要作用是积累电子以存储信息。浮栅层完全被绝缘材料覆盖，不直接与外部电路连接，从而具有优异的电荷存储能力。特别值得注意的是，通道附近的绝缘层很薄，并且通常由高质量的二氧化硅材料制成。这种设计使得电子在大电场的作用下通过量子隧道进入浮栅层。二、浮栅晶体管; http://www.szyxwkj.com/Article/fzjtgdgzyl_1.html

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