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[常见问题解答]MOS管(场效应管)的几种效应解析 - 壹芯微[ 2021-09-18 14:20 ]
MOS管(场效应管)的几种效应解析 - 壹芯微(1)沟道长度调制效应(channel length modulation) MOS晶体管中,栅下沟道预夹断后、若继续增大Vds,夹断点会略向源极方向移动。导致夹断点到源极之间的沟道长度略有减小,有效沟道电阻也就略有减小,从而使更多电子自源极漂移到夹断点,导致在耗尽区漂移电子增多,使Id增大,这种效应称为沟道长度调制效应(2)漏极导致势垒下降(drain induced barrier lowering) 当在MOS管的漏极加电压时,漏极和衬底构成的pn结,漏极一侧会出
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[常见问题解答]场效应管放大电路图解[ 2021-04-17 09:29 ]
场效应管放大电路图解金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管N沟道增强型MOSFET栅源加电压,在电场作用下产生沟道。产生沟道的门限开启电压VT。漏源加电压,产生电压梯度,导致沟道夹断。预夹断的临界条件输出特性特性方程可变电阻区饱和区N沟道耗尽型MOSFET栅源加负电压,在电场作用下沟道减小。耗尽沟道的夹断电压VP。输出特性P沟道MOSFET沟道长度调制效应理想情况下,MOSFET工作在饱和区时,漏极电流与漏源电压无关。而实际上,漏源电压对沟道长度L的调制作用,漏源电压增加时,漏极电流会有所增加。因此,输出特性公式需
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[常见问题解答]MOS管二级效应-背栅效应-沟道长度调制效应和亚阈值效应解析[ 2019-06-01 15:57 ]
壹芯微作为国内专业生产二三极管的生产厂家,生产技术已经是非常的成熟,进口的测试仪器,可以很好的帮组到客户朋友稳定好品质,也有专业的工程师在把控稳定质量,协助客户朋友解决一直客户自身解决不了的问题,每天会分享一些知识或者客户的一些问题,今天我们分享的是,MOS管二级效应-背栅效应-沟道长度调制效应和亚阈值效应解析,请看下方mos管场效应管(FET),把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的跨导, 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道,详情参考右侧图片(P沟道耗尽型
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