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[常见问题解答]漏极电压与沟道关系:MOS管沟道为何在电压增大时变窄?[ 2024-10-23 16:05 ]
MOSFET是电子电路中常用的半导体器件,利用电场来控制导电通道的形成和电流的流动。随着漏极电压的增加,沟道宽度的变化对器件性能产生显著影响,特别是在高频电路和电力电子领域。MOS管的沟道会随着漏极电压的增加而变窄,其背后的物理机制是多方面的。一、MOS管的基本工作原理要了解漏极电压对沟道的影响,我们首先需要了解MOS管是如何由栅极、漏极、源极和衬底组成的。MOS管的类型为n型源漏掺杂区,衬底通常为p型半导体,栅极通过氧化层与衬底绝缘,形成绝缘栅结构。当在栅电极之间施加电压时,栅极下方的基板区域由于电场的作用而形成
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