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[常见问题解答]氮化镓MOSFET寄生二极管问题及其对电路性能的影响[ 2025-04-21 15:03 ]: 氮化镓(GaN MOSFET，也称为金属氧化物半导体场效应管)已被广泛应用于高效电源转换和高频功率电子设备中，因为它具有许多优点，包括高速开关、低导通电阻和高温适应能力。然而，与其他半导体器件一样，氮化镓MOSFET的寄生二极管问题会影响电路的性能，尤其是在开关操作中。一、氮化镓MOSFET中的寄生二极管氮化镓MOSFET的寄生二极管主要是由于PN结的存在而形成的。每个MOSFET都有一个寄生二极管，这种二极管通常位于栅源结和漏源结之间。寄生二极管的形成源自器件中导电材料和半导体材料之间的接触，使得它在某些情况下起; http://www.szyxwkj.com/Article/dhjmosfetj_1.html

[常见问题解答]氮化镓MOSFET的性能特点与局限性[ 2025-04-21 14:49 ]: 氮化镓（GaN）MOSFET作为一种新型的功率器件，因其优异的性能在众多领域中得到了广泛应用。一、氮化镓MOSFET的主要性能特点1. 高电子迁移率氮化镓材料的电子迁移率显著高于传统硅材料，这使得GaN MOSFET具有更高的导电能力。这一特性对于提高开关速度和电流传输效率至关重要。特别是在高频率应用中，GaN MOSFET能够提供更快的响应时间和更低的开关损耗，从而在高速电力电子系统中表现出色。2. 宽禁带宽度氮化镓的宽禁带宽度（约为3.4 eV）使其能够承受更高的工作温度和电压。在高功率和高温应用中，GaN M; http://www.szyxwkj.com/Article/dhjmosfetd_1.html

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