搜索资讯

热门关键词：直插二极管贴片二极管高效整流二极管普通整流二极管快恢复二极管

壹芯微二极管

当前位置：首页 » 全站搜索 » 搜索：氮化镓mos管

[常见问题解答]不同氮化镓MOS管型号对比及选型指南[ 2025-04-21 11:44 ]: 随着氮化镓（GaN）技术的不断进步，氮化镓MOS管因其出色的性能和广泛的应用前景，在电力电子行业中逐渐取代了传统的硅MOS管。氮化镓MOS管具备更高的开关速度、更低的导通电阻以及更高的效率，因此在高功率应用中具有巨大的优势。一、常见氮化镓MOS管型号分析1. EPC2001是一款低导通电阻的氮化镓MOS管，适用于高频开关应用。它具有优秀的热特性和快速的开关响应，适合应用于电源转换器、锂电池充电器以及无线充电等领域。其低导通电阻意味着更小的功率损耗，因此在要求高效率的应用中表现尤为突出。2. EPC601是另一款低电; http://www.szyxwkj.com/Article/btdhjmosgx_1.html

[常见问题解答]GaN MOS驱动电路设计要点与实战技巧[ 2025-04-12 10:40 ]: 随着氮化镓（GaN）MOSFET器件在电力电子和高频开关电源领域的广泛应用，其驱动电路的设计逐渐成为工程开发中的关键技术之一。得益于GaN器件高开关速度、低损耗和高电压承受能力的特性，合理而高效的驱动设计不仅直接影响电路性能，还决定了系统稳定性和使用寿命。一、驱动GaN MOS管的核心设计挑战氮化镓MOS管虽然性能优越，但与传统硅MOS相比，其在驱动环节存在显著差异。以下几点是GaN驱动设计时常见且必须重点关注的技术难题：1. 栅极耐压低GaN MOS栅极耐压普遍只有6V~10V，远低于Si MOS。因此，驱动电压; http://www.szyxwkj.com/Article/ganmosqddl_1.html

相关搜索/Related search

无相关搜索

壹芯微资讯中心

导航/Navigation

壹芯微首页场效应管贴片二极管荣誉认证直插二极管网站地图三极管联系壹芯微

地址/Address

工厂地址：安徽省六安市金寨产业园区
深圳办事处地址：深圳市福田区宝华大厦A1428
中山办事处地址：中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
杭州办事处：杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
电话：13534146615 企业QQ：2881579535

扫一扫！

深圳市壹芯微科技有限公司版权所有 | 备案号：粤ICP备2020121154号