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[常见问题解答]从零开始学MOS管和电阻的连接：原理与实际应用详解[ 2024-07-29 16:38 ]

一、MOS管的栅极前为何要加电阻？详细分析与实验分享在电子电路设计中，经常可以看到MOSFET栅极前串联一个电阻。这种设计主要是为了抑制开关时可能出现的振荡，从而减少功率损耗和防止MOS管击穿。实验表明，栅极电阻的不同阻值对电路性能有显著影响。例如，当电阻值为1欧姆时，输出电压可能出现高频震荡；而电阻增至50欧姆时，输出电压的上升沿会变缓，减少振荡但增加了开关延迟，进而影响整体效率。二、MOS管的基本结构和工作原理解析MOS管是一种通过电场效应控制电流的半导体设备。其基本结构包括一个低掺杂的硅衬底，上面分布着两个高

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[常见问题解答]如何用双向可控硅触发电路的原理图介绍[ 2024-01-31 17:46 ]

如何用双向可控硅触发电路的原理图介绍当触发器件所需的栅极电流高于控制电路输出电流能力时，必须放大控制电路输出电流。例如，如今许多 MCU 的输出引脚的电流能力约为 30 mA。借助 IGT，他们可以安全地切换高达 15 至 20 mA 的双向可控硅。如果具有 35 或 50 mA IGT 的 Triac 必须由此类 MCU 控制，则以下是两种解决方案。首先，并联使用多个 MCU 输出引脚（最好是在每个输出引脚和 Triac 栅极之间使用单独的栅极电阻，以确保每个引脚之间良好的电流重新分配）。其次，使用如下示意图所示

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[常见问题解答]MOS管场效应管栅极串联电阻作用介绍[ 2023-09-27 18:16 ]

MOS管场效应管栅极串联电阻作用介绍1、如果没有栅极电阻，或者电阻阻值太小MOS导通速度过快，高压情况下容易击穿周围的器件。2、栅极电阻阻值过大MOS管导通时，Rds会从无穷大将至Rds(on)(一般0.1欧姆级或者更低)。栅极电阻过大时，MOS管导通速度过慢，即Rds的减小要经过一段时间，高压时Rds会消耗大量功率，导致MOS管发烫。过于频繁地导通会使热量来不及发散，MOS温度迅速升高。3、在高压下，PCB的设计也需要注意。栅极电阻最好紧靠栅极，并且导线不要与母线电压平行分布。否则母线高压容易耦合至下方导线，栅极

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[常见问题解答]场效应管10N65怎么测量好坏[ 2023-08-09 18:01 ]

MOS管10N65怎么测量好坏为什么要检测mos管的好坏？为了保护板上的其他元件，在将MOS管10N65连接到电路之前对其进行测试至关重要。mos管10N65主要有漏极、源极和栅极三个引脚。当使用有故障的MOS管时，会发生漏极到栅极的短路，对电路不利。这种短路的结果可能是漏极电压反馈，这也会影响栅极端子。电压到达该端后，通过栅极电阻进一步传输到驱动电路，这种传输可能对驱动电路造成进一步的损坏。因此，在使用前检测mos管10N65的质量可以避免损坏整个电路。那么MOS管10N65如何测量好坏呢？测量mos管10N65

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[常见问题解答]MOS管栅极电阻的作用详解[ 2023-02-17 15:06 ]

mos管栅极电阻的作用mos管栅极简介在了解mos管栅极电阻的作用之前，我们先了解一下mos管栅极及其他2个极的基础知识。场效应管根据三极管的原理开发出的新一代放大元件，有3个极性，栅极，漏极，源极，它的特点是栅极的内阻极高，采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧，属于电压控制型器件。场效应晶体管(FieldEffectTransistor缩写(FET))简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。MOS管三个极判断1.判断栅极GMOS驱动器主要起波形整形和加强驱动的作用:假如M

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[常见问题解答]MOS场效应管栅极电阻在工业电源中的作用解析 - 壹芯微[ 2021-08-12 15:51 ]

场效应MOS管栅极电阻在工业电源中的五大作用 - 壹芯微一、起到分压作用二、下拉电阻时会快速泄放栅极电荷将MOS管迅速截止三、防止栅极出现浪涌过压(栅极上并联的稳压管也是为了防止过压产生)四、全桥栅极电阻也是相同机理，快速泄放栅极电荷，将MOS管尽快的截止。防止避免栅极悬空，悬空的栅极MOS管将会导通，导致全桥栅极短路五、驱动管和栅极之间的电阻起到隔离、防止寄生振荡的作用深圳市壹芯微科技专业研发制造各种直插、贴片二三极管，肖特基，TVS，快恢复，高效整流，场效应管(MOS管)，可控硅，三端稳压管，桥堆等功率器件选型

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[常见问题解答]场效应MOS管的栅极电阻在工业电源中的作用解析- 壹芯微[ 2021-08-04 12:00 ]

场效应MOS管的栅极电阻在工业电源中几大作用-壹芯微一、分压的作用二、下拉电阻时尽快泄放栅极电荷将MOS管尽快截止三、防止栅极出现浪涌过压（栅极上并联的稳压管也是防止过压产生）四、全桥栅极电阻也是同样机理，尽快泄放栅极电荷，将MOS管尽快截止。避免栅极悬空，悬空的栅极MOS管将会导通，导致全桥短路五、驱动管和栅极之间的电阻起到隔离、防止寄生振荡的作用深圳市壹芯微科技专业研发制造各种直插/贴片，肖特基，TVS，超快恢，高效整流，低压降，稳压管，场效应管(MOSFET)，可控硅，三端稳压管，整流桥堆等选型产品，引进大量

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[常见问题解答]场效应管放大电路特点解析[ 2021-04-24 09:55 ]

场效应管放大电路特点解析对应三极管的共射、共集及共基放大电路，场效应管放大电路也有共源、共漏和共栅三种基本组态。下面以JFET组成的共源极放大电路为例，介绍场效应管放大电路的工作原理。1.自偏压电路自偏压电路如图3-10所示。在图中，场效应管栅极通过栅极电阻RG接地，源极通过源极电阻RS接地。这种偏置方式利用JFET(或耗尽型MOS管)在栅源电压uGS=0时，漏极电流iD≠0的特点，以漏极电流在源极电阻RS上的直流压降，给栅源之间提供反向偏置电压。也就是说，在静态时，源极电位uS=iDRS，由于栅极电流为0，

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[常见问题解答]场效应管常用三大作用介绍:放大作用-恒流输出-开关导通[ 2021-03-31 10:23 ]

场效应管常用三大作用介绍:放大作用-恒流输出-开关导通1、放大电路场效应管具有输入阻抗高、低噪声等特点，因此经常作为多级放大电流的输入级，与三极管一样，根据输入、输出回路公共端选择不同，将场效应管放电电路分为共源、公漏、共栅三种状态，如下图是场效应管共源放大电路，其中：Rg是栅极电阻，将Rs压降加至栅极；Rd是漏极电阻，将漏极电流转换成漏极电压，并影响放大倍数Au；Rs是源极电阻，为栅极提供偏压；C3是旁路电容，消除Rs对交流信号的衰减。2、电流源电路恒流源在计量测试应用很广泛，如下图是主要是由场效应管组成的恒流源

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[常见问题解答]解析栅极驱动参数对IGBT开通的影响[ 2020-08-21 15:28 ]

解析栅极驱动参数对IGBT开通的影响如今，IGBT已被广泛应用于工业电源领域。与MOSFET相同，它也是一种压控型器件。其开关性能可通过IGBT驱动设置加以控制或影响。优化IGBT开关性能对于系统设计而言十分重要，因为不同的开关损耗会影响散热设计和IGBT使用寿命。IGBT的栅极驱动电路看似很简单，就是一个电压源和一个栅极电阻。通过改变栅极电阻值，可以影响IGBT开关性能。但在现实系统应用中，会有许多杂散因素有意或无意地产生，比如栅极线缆电感和栅极电容（可能是PCB布线分布电容）。由于IGBT的关断特性受母排杂散电

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