搜索资讯

热门关键词：直插二极管贴片二极管高效整流二极管普通整流二极管快恢复二极管

壹芯微二极管

当前位置：首页 » 全站搜索 » 搜索：栅极电荷（qg）

[常见问题解答]基于FHP1906V的MOS管在功率逆变模块中的优化应用方案[ 2025-04-19 15:49 ]: 在当前储能、电源变换与新能源领域快速发展的背景下，逆变模块作为电能变换的重要核心部件，对其所用功率器件提出了更高的效率、可靠性与散热能力要求。MOSFET因其高频特性和低导通阻抗，成为逆变拓扑中广泛使用的关键元件。一、FHP1906V的核心特性简析FHP1906V是一款额定电压为60V、电流承载能力达120A的N沟MOSFET，采用先进沟槽型制造工艺，具备更低的栅极电荷（Qg）和导通电阻（RDS(on)）。具体参数为：Vgs为±30V，阈值电压Vth为3V，典型RDS(on)为5.0mΩ（Vgs=10; http://www.szyxwkj.com/Article/jyfhp1906v_1.html

[常见问题解答]开关电源核心解析：MOS管布局与热设计实战[ 2025-03-27 11:21 ]: 在现代电子设备中，开关电源（Switching Power Supply）已经成为不可或缺的电源解决方案，其高效率、轻便结构与优秀的电磁兼容特性，使其广泛应用于通信、计算、汽车电子与工业控制等领域。作为开关电源中的关键组件，MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）的选型、布板布局以及热管理策略，直接影响到整机的效率、可靠性与寿命。一、MOSFET在开关电源中的作用概览在典型的降压（Buck）、升压（Boost）或同步整流拓扑结构中，MOSFET承担着高速切换的重任。它的导通电阻（Rds(on)）、栅极电荷（Qg）、; http://www.szyxwkj.com/Article/kgdyhxjxmo_1.html

相关搜索/Related search

无相关搜索

壹芯微资讯中心

导航/Navigation

壹芯微首页场效应管贴片二极管荣誉认证直插二极管网站地图三极管联系壹芯微

地址/Address

工厂地址：安徽省六安市金寨产业园区
深圳办事处地址：深圳市福田区宝华大厦A1428
中山办事处地址：中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
杭州办事处：杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
电话：13534146615 企业QQ：2881579535

扫一扫！

深圳市壹芯微科技有限公司版权所有 | 备案号：粤ICP备2020121154号