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[技术文章]MMBT2907A 典型应用电路[ 2024-05-10 17:37 ]

MMBT2907A是一种PNP型双极（双极）晶体管，常用于各种电子电路中。它具有许多应用场景和参数特点。一、应用场景1.放大器应用：MMBT2907A因其高电流放大倍数（hFE）和低噪声特性而在放大器电路中广泛应用。它可以用于音频放大器、射频放大器等。2.开关应用：MMBT2907A的高电流和速度特性使其非常适合于开关电路。它可用作开关以控制其他电路的开启和关闭。3.稳压器：MMBT2907A在稳压器电路中作为控制元件。通过调节基极电流，可以实现对负载电压的调节和稳定。4.振荡器：在振荡电路中，MMBT2907A可

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[技术文章]BC557 典型应用电路[ 2024-05-08 11:23 ]

BC557是一种PNP型晶体管，常用于低功耗和中频放大、开关和线性调节等电路中。它具有以下几个主要的应用场景和参数特点：1. 放大器应用： BC557作为PNP型晶体管，在放大器电路中扮演着重要的角色。它可以用于低频和中频放大器，尤其适用于需要较高电压增益的场合。其特点是具有较低的噪声系数和较高的输入阻抗，能够提供稳定的放大效果。2. 开关应用：由于BC557具有较低的饱和电压和较高的最大电流容量，因此在开关电路中也有广泛的应用。它可以用于控制小功率设备的开关，如LED灯、继电器等。其开关速度较快，响应灵敏，适用

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[技术文章]2SC1815 典型应用电路[ 2024-04-29 17:03 ]

2SC1815是一款常用的NPN型晶体管，广泛应用于各种电子电路中。以下是详细分析其应用场景和参数特点：一、应用场景：1. 放大器应用：由于其良好的放大特性，2SC1815 常用于音频放大器和射频放大器中。它能有效放大信号，使得音频设备或无线通信设备获得清晰强大的输出信号。2. 开关电路：在数字电路和开关电路中，2SC1815 能快速开关电流，用于驱动继电器、灯泡等负载。其快速的切换时间和较高的电流承受能力使其在这些场景下非常适用。3. 信号调制：在无线发射设备中，2SC1815 能用于调制发射信号，其稳定的性能保

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[技术文章]S9014 典型应用电路[ 2024-04-22 14:13 ]

S9014 是一种常见的 NPN 型小功率晶体管，广泛应用于各种电子电路中。下面，我们将详细介绍 S9014 的应用场景和参数特点。一、S9014 的主要应用场景包括但不限于以下几点：1. 放大器应用：由于其优良的放大性能，S9014 常被用于低频和中频放大器电路中。它能有效放大信号，用于各类音频处理设备中。2. 开关电路：S9014 也常用于各种开关电路中。由于其开关速度快，能有效地进行电信号的快速切换，适用于需要快速响应的电子设备。3. 信号调制：在无线电通信设备中，S9014 可用于信号的调制和解调过程，

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[常见问题解答]电路图解，运算放大器应用介绍[ 2023-08-01 18:08 ]

电路图解，运算放大器应用介绍放大器是能把输入讯号的电压或功率放大的装置，由电子管或晶体管、电源变压器和其他电器元件组成，用在通讯、广播、雷达、电视、自动控制等各种装置中。首先，先了解放大器，放大器在电路图中可以用一个三角形符号表示，尖的一端是输出端（OUT），另一端为输入端（IN）；有时也画作一个方框，里面画一个三角形，三角形就代表放大器。符号仅仅代表放大器，不管放大器是什么形式的电路，电子管、三极管、分立元件、集成模块等都可以用一个三角形代表放大器。符号只代表放大器，不代表什么形式的放大器三极管的放大电路可以把三

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[常见问题解答]晶体管共发射极电路设计介绍[ 2023-02-20 16:02 ]

易于使用的电子电路设计指南，用于设计公共发射极晶体管放大器级的电子电路设计，显示电子元件值的计算。普通发射极放大器应用广泛，其电子电路设计相对简单。有一些简单的计算可以与简单的设计流程相结合，以给出可靠的结果。在共发射极放大器设计中采用首选元件值非常容易。共发射极放大器有几种变体，这些变体可以很容易地在设计中容纳。常见发射极放大器设计的最基本形式是简单的逻辑缓冲器/输出，由一个晶体管和几个电阻组成。这可以添加一些额外的元件，使其成为具有直流偏置和发射极旁路电阻的交流耦合放大器。简单的逻辑共发射极放大器设计这种非常简

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[常见问题解答]氧化镓沟槽肖特基势垒二极管具有超低泄漏特点[ 2019-08-20 11:15 ]

近期声称单斜形β－多晶型氧化镓（β－Ga2O3）肖特基势垒二极管（SBD）具有最低的泄漏电流。在相对较高的击穿电压1232V下，显示出低的泄漏电流密度小于1μA·cm－2。该器件采用沟槽结构制作鳍片，侧壁上有金属－绝缘体－半导体（MIS）叠层，以减少表面场效应，抑制反向偏压下的泄漏。氧化镓具有许多可用于高功率电子和射频放大器应用的特性：具有4．5eV的宽带隙，可以高达8MV／cm 的高临界电场，以及200cm2 ／ V－s的电子迁移率。该类器件还可以应用在恶劣和高温条件下。使用熔体生长法可以生

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