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[常见问题解答]探索静电如何导致MOS管损坏的详细过程[ 2024-05-13 10:25 ]
一、原因分析MOS管因其高输入电阻和极小的栅-源间电容,对外界电磁干扰或静电极为敏感。即便极少的电荷积累也能在其间产生高电压,极易导致器件损坏。尽管存在抗静电设计,但在处理、存储和运输时,仍需采取严格的防护措施,例如利用金属或导电材料进行封装,避免放置在易产生静电的环境中。二、静电击穿的主要形式静电对MOS管的损害主要表现为电压型击穿和功率型击穿。电压型击穿通常由栅极氧化层针孔造成短路,而功率型击穿则是由于金属化膜的熔断导致开路。当前的VMOS管因引入二极管防护而显著提高了耐静电击穿能力。三、静电的基本特性及其危害
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