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[常见问题解答]MOSFET栅极与源极为何需并联稳压二极管？深度解析其重要性与作用[ 2024-11-23 11:46 ]: 在设计电子电路时，MOSFET的栅极和源极之间是否需要并联齐纳二极管常常是硬件工程师面临的问题。这种设计虽然看似简单，但在某些场景下对电路的可靠性至关重要。鲁棒性和稳定性非常重要。本文解释了并联MOSFET栅极和源极齐纳二极管的必要性和基本原理，以帮助读者更好地理解这项重要技术。一、MOSFET栅极与源极之间的氧化层MOSFET的栅极和源极之间有一层非常薄的氧化层，用于控制隔离电压和主电流路径。尽管该氧化层具有优异的绝缘性能，但其通常具有有限的耐电压性。如果栅源之间的电压超过额定值（即数据表中的Vgss），氧化层可; http://www.szyxwkj.com/Article/mosfetzjyy_1.html

[常见问题解答]如何优化并联功率MOSFET性能：设计要点与常见误区[ 2024-10-25 15:25 ]: 在设计高性能电路时，使用并联功率MOSFET是增加电流能力和优化电源管理的重要途径。然而，如果不解决并联MOSFET性能优化问题，可能会导致设计中出现电流不平衡和温度控制等问题。本文详细介绍了并联功率MOSFET设计中的要点和常见误解，帮助您更好地了解如何优化并联功率MOSFET。一、并联功率MOSFET的应用背景在电力电子领域，并联功率MOSFET用于控制大电流负载并降低单个器件的功耗，特别是在需要通过连接多个器件进行高效功率处理的应用场景中。这种方法广泛用于减少损耗。并联设备所需的MOSFET可以有效地分散每个; http://www.szyxwkj.com/Article/rhyhblglmo_1.html

[常见问题解答]功率MOSFET并联时产生寄生振荡的原因与解决方案[ 2019-11-23 12:04 ]: 功率MOSFET并联时产生寄生振荡的原因与解决方案功率MOS管即功率MOSFET，具有热漂移小，驱动电路简单，驱动功率小，开关速度快，工作频率高等优点。凭借出色的热稳定性，将多个功率MOSFET并联的方法可行而简单，这对提高输出电流非常有意义。事实上，MOSFET工作于高频率开关状态，任何电气特性差异和电路杂散电感均可导致瞬时电压峰值，以及并联MOSFET之间的电流分配不平衡。这是非常有害的，因为电流不平衡可能导致功率损耗过大并损坏器件。并联MOSFET（左）及寄生振荡状态的等效电路（右）并联连接时，最重要的是避免; http://www.szyxwkj.com/Article/glmosfetbl_1.html

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