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[常见问题解答]场效应MOS管电源开关电路的缺点介绍[ 2023-11-24 18:13 ]

场效应管MOS管电源开关电路的缺点介绍MOS管因为其导通内阻低，开关速度快，因此被广泛应用在开关电源上。而用好一个MOS管，其驱动电路的设计就很关键。一般的电源开关电路，控制电源的目的是省电，控制静态电流。不过以下的电路存在着几个缺点：1.管压降较大我们知道采用PNP管子作为开关管的饱和压降在0～0.3V，这在低电路上是不可接受的。3.3V的控制电源最大误差变成3V，某些1.5V的电源变成1.2V，这会导致由此供电的芯片损坏。PMOS的管子压降为Vdrop=Id×Rdson，Rdson可选择，实际的值在

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[行业资讯]BSS84场效应管参数,BSS84参数中文资料,BSS84替代[ 2022-05-17 10:56 ]

BSS84场效应管参数,BSS84参数中文资料,BSS84替代场效应管BSS84参数,丝印PD,BSS84封装引脚图,BSS84中文资料PDF,MOS管厂家产品名称：场效应MOS管产品型号：BSS84 极性：P沟道漏源电压：-50V 连续漏极电流：-130mA 封装：SOT-23等...

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[行业资讯]AO3415场效应管参数,AO3415参数中文资料,AO3415替代[ 2022-05-17 10:25 ]

AO3415场效应管参数,AO3415参数中文资料,AO3415替代场效应管AO3415参数,丝印AFCP,AO3415封装引脚图,AO3415中文资料PDF,MOS管厂家产品名称：场效应MOS管产品型号：AO3415 极性：P沟道漏源电压：-20V 连续漏极电流：-5A 封装：SOT-23等...

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[行业资讯]AO3414场效应管参数,AO3414中文资料规格书,AO3414替代[ 2022-05-11 17:44 ]

AO3414场效应管参数,AO3414中文资料规格书,AO3414替代场效应管AO3414参数,丝印AE9T,AO3414封装引脚图,AO3414中文资料PDF,MOS管厂家产品名称：场效应MOS管产品型号：AO3414 极性：N沟道漏源电压：20V 连续漏极电流：4.2A 封装：SOT-23等...

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[行业资讯]AO3413场效应管参数,AO3413中文资料规格书,AO3413替代[ 2022-05-11 17:02 ]

AO3413场效应管参数,AO3413中文资料规格书,AO3413替代场效应管AO3413参数,丝印ADEA,AO3413封装引脚图,AO3413中文资料PDF,MOS管厂家产品名称：场效应MOS管产品型号：AO3413 极性：P沟道漏源电压：-20V 连续漏极电流：-3A 封装：SOT-23等...

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[行业资讯]AO3410场效应管参数,AO3410中文资料规格书,AO3410替代[ 2022-05-05 18:17 ]

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[行业资讯]AO3409场效应管参数 AO3409中文资料规格书 AO3409替代[ 2022-05-05 16:03 ]

AO3409场效应管参数,AO3409中文资料规格书,AO3409替代场效应管AO3409参数,丝印A99T,AO3409封装引脚图,AO3409中文资料PDF,MOS管厂家产品名称：场效应MOS管产品型号：AO3409 极性：P沟道漏源电压：-30V 连续漏极电流：-2.6A 封装：SOT-23等...

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[行业资讯]STD3NK50Z参数,中文资料,规格书 - 场效应MOS管 - 壹芯微[ 2021-12-28 16:16 ]

STD3NK50Z参数,中文资料,规格书 - 场效应MOS管 - 壹芯微STD3NK50Z中文参数,STD3NK50Z封装引脚图,STD3NK50Z数据手册,MOS管选型替代(生产厂家)STD3NK50Z场效应管封装TO-252,TO-251,TO-92,特征· 典型 RDS(on)=2.8Ω· 极高的dv/dt能力· ESD改进能力）· 100%雪崩测试· 新的高压基准· 栅极电荷最小化绝对最大额定值（TC=25°C，除非

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[行业资讯]TK3P50D参数,中文资料,规格书 - 场效应MOS管 - 壹芯微[ 2021-12-28 16:05 ]

TK3P50D参数,中文资料,规格书 - 场效应MOS管 - 壹芯微TK3P50D中文参数,TK3P50D封装引脚图,TK3P50D数据手册,MOS管选型替代(生产厂家)TK3P50D场效应管封装TO-252特征开关稳压器(1) 低漏源导通电阻：RDS(ON)=2.3Ω（典型值）(2) 高前向转移导纳：|Yfs|=1.0S（典型值）(3) 低漏电流：IDSS=10µA（最大值）（VDS=500 V）(4) 增强模式：Vth=2.4至4.4V（VDS=10V，ID=1mA）绝对最大额定值（TC=25&de

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[行业资讯]IRFR420A参数,中文资料,规格书 - 场效应MOS管 - 壹芯微[ 2021-12-25 14:34 ]

? 低栅极电荷Qg导致简单驱动要求 ? 改进的门限、雪崩和动态dV/dt坚固性 ? 充分表征电容和雪崩电压和电流 ? 指定有效成本 ? 材料分类：用于合规性定义应用：开关电源(SMPS)，不间断电源供应，高速电源切换

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[行业资讯]SVF3N50D参数,中文资料,规格书 - 场效应MOS管 - 壹芯微[ 2021-12-25 14:09 ]

SVF3N50D/MJ,N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。先进的工艺及原胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。

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[行业资讯]FIR5N50LG,TO-252,中文参数,引脚图,规格书 - 场效应MOS管 - 壹芯微[ 2021-12-25 13:52 ]

FIR5N50BPG,LG硅N沟道增强型VDMOSFET，采用自对准平面技术获得，可降低传导损耗，提高开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于系统的各种电源开关电路小型化和更高的效率。封装形式为符合RoHS标准的TO-251。

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[行业资讯]HFD5N40,TO-252,中文参数,规格书 - 场效应MOS管 - 壹芯微[ 2021-12-24 15:32 ]

· 原创新设计 · 卓越的雪崩坚固技术 · 强大的栅极氧化技术 · 极低的固有电容 · 优良的开关特性 · 无与伦比的栅极电荷：13 nC（典型值） · 扩展安全操作区 · 降低 RDS(ON) ? 7\S #9GS=10V · 100% 雪崩测试

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[行业资讯]AP02N40H-HF参数,中文资料,规格书 - 场效应MOS管 - 壹芯微[ 2021-12-24 15:21 ]

AP02N40系列来自创新设计和硅工艺技术，以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。它为设计师提供具有极其高效的设备，可用于各种功率应用程序。TO-252封装广泛适用于商业工业表面贴装应用，适用于低电压应用如DC/DC转换器。

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[行业资讯]IRFR320参数,中文资料,规格书 - 场效应MOS管 - 壹芯微[ 2021-12-24 14:51 ]

第三代功率MOSFET提供了设计师与快速切换的最佳组合，坚固耐用的设备设计，低导通电阻和成本效益。DPAK设计用于使用蒸汽进行表面安装相位、红外或波峰焊接技术。直的引线版本（IRFU、SiHFU系列）用于通孔安装应用。功耗水平高达1.5W在典型的表面贴装应用中是可能的。

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[行业资讯]6N60场效应MOS管_6N60参数代换_规格书中文资料[ 2021-10-07 16:10 ]

6N60场效应MOS管_6N60参数代换_规格书中文资料6N60 - 2.0A,700V N沟道超结场效应管6N60(MOS)场效应管参数,6N60场效应管引脚图,6N60场效应管中文资料6N60规格书(PDF):查看下载2NM70的概述：6N60是一款高压功率MOSFET，旨在具有更好的特性，例如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高坚固性雪崩特性。该功率MOSFET通常用于开关电源和适配器中的高速开关应用。2NM70的特性：* RDS(ON)<1.5Ω @ VGS=10V* 超低栅极电荷（典

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[常见问题解答]nmos和pmos的认识与区别解析 - 场效应MOS管 - 壹芯微[ 2021-09-29 18:47 ]

nmos管和pmos管的认识与区别解析 - 场效应管 - 壹芯微虽然NMOS可以满足很多场景的使用，但是有一些特殊场景就需要用到PMOS了。什么是nmos？NMOS英文全称为N-Metal-Oxide-Semiconductor。意思为N型金属-氧化物-半导体，而拥有这种结构的晶体管我们称之为NMOS晶体管。 MOS晶体管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，由NMOS组成的电路就是NMOS集成电路，由PMOS管组成的电路就是PMOS集成电路，由NMOS和PMOS两种管子组

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[行业资讯]CJU01N80 TO252 N沟道高压800V 1A - 场效应MOS管 - 壹芯微[ 2021-09-29 17:32 ]

CJU01N80 TO252 N沟道高压800V 1A - 场效应MOS管 - 壹芯微型号：CJU01N80 极性：N沟道；电压：800V 电流：1A；封装：TO-252 促销价格/免费样品/选型替代/原厂直销CJU01N80参数中文资料,CJU01N80封装管脚引脚图,CJU01N80规格书:查看下载CJU01N80的概述：CJU01N80是N沟道模式功率MOSFET，使用为客户提供平面条纹的先进技术。该技术专注于实现最小的通态电阻和卓越的开关性能。它还可以承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。 CJ

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[行业资讯]1N65AL-TN3-R TO252 N沟道高压650V 1A - 场效应MOS管 - 壹芯微[ 2021-09-28 14:45 ]

1N65AL-TN3-R TO252 N沟道高压650V 1A - 场效应MOS管 - 壹芯微型号：1N65AL-TN3-R 极性：N沟道；电压：400V 电流：6A；封装：TO-252 促销价格/免费样品/选型替代/原厂直销1N65AL-TN3-R参数中文资料,1N65AL-TN3-R封装管脚引脚图,1N65AL-TN3-R规格书:查看下载1N65AL-TN3-R的概述：壹芯1N65A是一款高压功率MOSFET，旨在具有更好的特性，例如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高坚固性雪崩特性。该功率 MOSFE

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[行业资讯]1N65AG-TN3-R TO252 N沟道高压650V 1A - 场效应MOS管 - 壹芯微[ 2021-09-26 11:01 ]

1N65AG-TN3-R TO252 N沟道高压650V 1A - 场效应MOS管 - 壹芯微型号：1N65AG-TN3-R 极性：N沟道；电压：650V 电流：1A；封装：TO-252 促销价格/免费样品/选型替代/原厂直销1N65AG-TN3-R参数中文资料,1N65AG-TN3-R封装管脚引脚图,1N65AG-TN3-R规格书:查看下载1N65AG-TN3-R的概述：壹芯1N65A是一款高压功率MOSFET，旨在具有更好的特性，例如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高坚固性雪崩特性。该功率 MOSFE

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