收藏壹芯微 | 在线留言| 网站地图

您好!欢迎光临壹芯微科技品牌官网

壹芯微

深圳市壹芯微科技有限公司二极管·三极管·MOS管·桥堆

全国服务热线:13534146615

壹芯微二极管
当前位置:首页 » 全站搜索 » 搜索:功率mos管
[常见问题解答]如何优化同步整流电路:器件选择与设计原则[ 2024-05-15 10:11 ]
一、概述同步整流技术在电力转换领域,隔离式转换器经常配备低直流输出电压,其核心整流器多采用MOSFET。由于这些设备具备较低的通电损耗,它们能显著提高能效,因此越来越多地被引入到各种应用中。为实现高效率的电路设计,对同步整流器(SR)进行精确控制是关键。该技术通过取代传统二极管,并采用特定的驱动策略,通常依赖PWM控制信号来调整开关电路的状态,实现高效整流。二、同步整流中的功率MOS管应用在同步整流应用中,功率MOS管不仅仅是快速恢复二极管的替代品,更是整流功能的执行者。它们通过极低的导通电阻来降低能量消耗,从而提
http://www.szyxwkj.com/Article/rhyhtbzldl_1.html3星
[常见问题解答]单片机驱动MOS管:操作失误与风险解析[ 2024-05-13 10:13 ]
一、控制MOS管的实际应用与风险使用单片机直接控制功率较大的MOS管存在一定风险。通常,MOS管的阈值电压(Vth)介于2到5伏之间,但对于某些高功率MOS管,Vth可能更高。因此,当单片机供电仅为5V或3.3V时,直接驱动这些MOS管可能导致无法有效控制。为解决这一问题,常采用三极管作为中间控制器,以保证更稳定的控制效果。在单片机输出高电平时,三极管被激活,导致NMOS的G极呈现低电平状态,使NMOS处于关闭状态;反之,当输出为低电平时,三极管关闭,G极电平升高,NMOS则导通。二、MOS管的基本构成与功能MOS
http://www.szyxwkj.com/Article/dpjqdmosgc_1.html3星
[常见问题解答]MOSFET发热现象深度解析:关键技术与防治措施[ 2024-04-11 11:30 ]
在探索电源与驱动设计的深奥世界时,我们不可避免地会遇到场效应管(通称MOS管)的散热难题。这些小巧的组件承载着重要的开关功能,却也隐藏着不容忽视的挑战。接下来,让我们深入探讨缓解MOS管发热问题的五种创新技术策略。灵活的电流与电压调控策略在电源设计的心脏部位,即高压驱动芯片中,我们遭遇了第一个散热难关。设想一个简单场景:一块芯片,工作在2mA的电流和300V的电压下,它将产生0.6W的功耗,伴随而来的就是不期而至的发热。此时,如果我们通过巧妙调整功率MOS管的电容值、门电压,以及工作频率,不仅能够显著降低功耗,还能
http://www.szyxwkj.com/Article/mosfetfrxx_2_1.html3星
[常见问题解答]电路设计,同步整流电路如何设计[ 2024-01-15 18:35 ]
电路设计,同步整流电路如何设计01什么是同步整流同步整流是一种提高电路转换效率的技术,该技术通常在输出为低压大电流的开关电源中使用,因为这种开关电源的整流电路中一旦有非有效压降存在,对能量的消耗就会比较可观,源端就需要给出更多的能量来满足正常输出。随着低压大电流成为一种趋势,伟大的前辈们发明了同步整流技术——在输出电路中采用导通电阻极低的****功率mos管替代导通压降较高的 整流二极管 ,有效提高了电路的转换效率。02同步整流的代价任何好的转变都需要付出代价,同步整流电路也不例外。采用功率
http://www.szyxwkj.com/Article/dlsjtbzldl_1.html3星
[常见问题解答]功率MOS管的正向截止等效电路与稳态特性介绍[ 2023-08-24 18:26 ]
功率MOSFET的正向截止等效电路与稳态特性介绍功率MOSFET的正向截止等效电路(1):等效电路(2):说明:功率 MOSFET 正向截止时可用一电容等效,其容量与所加的正向电压、环境温度等有关,大小可从制造商的手册中获得。功率MOSFET的稳态特性总结(1):功率MOSFET 稳态时的电流/电压曲线(2):说明:功率 MOSFET 正向饱和导通时的稳态工作点:当门极不加控制时,其反向导通的稳态工作点同二极管。(3):稳态特性总结:门极与源极间的电压Vgs 控制器件的导通状态;当VgsVth时,器件处于导通状态;
http://www.szyxwkj.com/Article/glmosgdzxj_1.html3星
[常见问题解答]开关MOS的驱动电路解析[ 2023-06-26 18:15 ]
开关MOS的驱动电路解析引言MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电源IC和MOSFET的参数选择合适的电路。下面介绍了MOSFET用于开关电源的驱动电路。在使用MOS管设计开关电源时,大部分人都会考虑MOS的导通电阻、最大电压、最大电流,很多人仅仅考虑了这些因素,这样的电路也许可以正常工作,但并不是一个好的设计方法。作为一个产品设计,功率MOS管还应考虑本身寄生的参数。选定管子之后,对应的驱动电路,以及电源IC驱动脚输出的峰值电流等,都会影响产品性能。当电源IC
http://www.szyxwkj.com/Article/kgmosdqddl_1.html3星
[常见问题解答]功率Mos管损坏主要原因有哪些[ 2023-02-10 17:34 ]
mos在控制器电路中的工作状态:开通过程(由截止到导通的过渡过程)、导通状态、关断过程(由导通到截止的过渡过程)、截止状态。Mos主要损耗也对应这几个状态,开关损耗(开通过程和关断过程),导通损耗,截止损耗(漏电流引起的,这个忽略不计),还有雪崩能量损耗。只要把这些损耗控制在mos承受规格之内,mos即会正常工作,超出承受范围,即发生损坏。而开关损耗往往大于导通状态损耗,不同mos这个差距可能很大。Mos损坏主要原因:过流----------持续大电流或瞬间超大电流引起的结温过高而烧毁过压----------源漏过
http://www.szyxwkj.com/Article/glmosgshzy_1.html3星
[常见问题解答]4N60场效应MOS管替代FQP4N60型号参数 现货供应厂家[ 2021-08-24 15:01 ]
在国产化的发展进程中,我们更推荐使用优质的壹芯微所生产的4N60型号参数来替代FQP4N60型号,壹芯微4N60场效应管能够完美匹配原型号FQP4N60场效应管参数,壹芯微这款功率MOS管4N60为N沟道增强型高压功率MOS场效应管,驱动电路应用4N60广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PMW马达驱动;在使用方面是匹配型号FQP4N60的国外场效应管。
http://www.szyxwkj.com/Article/4n60cxymos_1.html3星
[常见问题解答]5N60场效应MOS管参数5A/600V,DC-DC电源转换器适用[ 2021-08-24 14:39 ]
5N60是一款N沟道增强型高压功率MOS管,具有600V高压,可适用在DC-DC电源转换器上,目前DC-DC转换器广泛应用于手机、MP3、数码相机、便携式媒体播放器等产品中。
http://www.szyxwkj.com/Article/5n60cxymos_1.html3星
[常见问题解答]分析MOS场效应管发热的各种可能因素-壹芯微[ 2021-08-06 16:27 ]
分析MOS场效应管发热的各种可能因素-壹芯微你了解MOS管发热吗?做为一名电源工程师,做电源设计可以说是日常了,提到MOS管的话,一定不陌生。MOS管有很多种类,也有很多作用。做电源或者驱动的使用,当然就是用它的开关作用。接下来我们来了解MOS管发热四大关键技术。一、芯片发热本次内容主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。假如芯片消耗的电流为2mA,300V的电压加在芯片上面,芯片的功耗为0.6W,当然会引起芯片的发热。驱动芯片的最大电流来自于驱动功率MOS管的消耗,简单的计算公式为I=cvf(考虑充电的电阻效益,实
http://www.szyxwkj.com/Article/fxmoscxygf_1.html3星
[常见问题解答]万用表测试场效应MOS管使用及更换方法解析-壹芯微[ 2021-08-05 14:20 ]
万用表测试场效应MOS管使用及更换方法解析-壹芯微关于MOS管一直是工程师热衷讨论的话题之一,于是我们整理了常见与不常见MOS管的有关知识,希望对各位工程师有所帮助。防静电保护MOS管属于绝缘栅场效应管,栅极是无直流通路,输入阻抗极高,极易引起静电荷聚集,产生较高的电压将栅极和源极之间的绝缘层击穿。早期生产的MOS管大多没有防静电措施,所以在保管及应用上要非常小心,特别是功率较小的MOS管,由于功率较小的MOS管输入电容比较小,接触到静电时产生的电压较高,容易引起静电击穿。而近期的增强型大功率MOS管则有比较大的区
http://www.szyxwkj.com/Article/wybcscxymo_1.html3星
[常见问题解答]怎样区分场效应管-功率管-特肖基二极管[ 2021-04-14 10:11 ]
怎样区分场效应管-功率管-特肖基二极管题目中的特肖基二极管的正确说法是肖特基二极管,功率管是一类大功率器件的总称,是一种统称,如大功率三极管、大功率二极管、大功率MOS管等。下面介绍一下如何区分场效应管和肖特基二极管。什么是场效应管场效应管是场效应晶体管的简称,应为缩写为FET。场效应管通常分为两类:1)JFET和MOSFET。这两类场效应管都是压控型的器件。场效应管有三个电极,分别为:栅极G、漏极D和源极S。目前MOSFET应用广泛,JFET相对较少。MOSFET可以分为NMOS和PMOS,下图是PMOS的结构图
http://www.szyxwkj.com/Article/zyqfcxyggl_1.html3星
[常见问题解答]功率mos管是为何会被烧毁[ 2020-12-28 16:25 ]
功率mos管是为何会被烧毁mos在控制器电路中的工作状态:开通过程(由截止到导通的过渡过程)、导通状态、关断过程(由导通到截止的过渡过程)、截止状态。Mos主要损耗也对应这几个状态,开关损耗(开通过程和关断过程),导通损耗,截止损耗(漏电流引起的,这个忽略不计),还有雪崩能量损耗。只要把这些损耗控制在mos承受规格之内,mos即会正常工作,超出承受范围,即发生损坏。而开关损耗往往大于导通状态损耗,不同mos这个差距可能很大。Mos损坏主要原因:过流----------持续大电流或瞬间超大电流引起的结温过高而烧毁;过
http://www.szyxwkj.com/Article/glmosgswhh_1.html3星
[常见问题解答]MOS管保护电路实测以及保护电路解析[ 2020-12-17 15:06 ]
MOS管保护电路实测以及保护电路解析MOS管保护电路实测,分析功率MOS管自身拥有众多优点,但是MOS管具有较脆弱的承受短时过载能力,特别是在高频的应用场合,所以在应用功率MOS管对必须为其设计合理的保护电路来提高器件的可靠性。功率MOS管保护电路主要有以下几个方面:1.防止栅极 di/dt过高:MOS管保护电路实测,分析:由于采用驱动芯片,其输出阻抗较低,直接驱动功率管会引起驱动的功率管快速的开通和关断,有可能造成功率管漏源极间的电压震荡,或者有可能造成功率管遭受过高的di/dt而引起误导通。为避免上述现象的发生
http://www.szyxwkj.com/Article/mosgbhdlsc_1.html3星
[常见问题解答]MOS管保护电路|MOSFET栅源保护知识普及[ 2020-12-17 14:45 ]
MOS管保护电路|MOSFET栅源保护知识普及MOSFET栅源保护知识MOSFET栅源保护:功率MOS管自身拥有众多优点,但是MOS管具有较脆弱的承受短时过载能力,特别是在高频的应用场合,所以在应用功率MOS管对必须为其设计合理的保护电路来提高器件的可靠性。MOSFET栅源保护-功率MOS管保护电路主要有以下几个方面:1.防止栅极 di/dt 过高由于采用驱动芯片,其输出阻抗较低,直接驱动功率管会引起驱动的功率管快速的开通和关断,有可能造成功率管漏源极间的电压震荡,或者有可能造成功率管遭受过高的 di/dt 而引起
http://www.szyxwkj.com/Article/mosgbhdlmo_1.html3星
[常见问题解答]功率MOS管参数-Vdss的温度特性详情解析[ 2020-12-09 16:54 ]
功率MOS管参数-Vdss的温度特性详情解析功率MOS管参数-Vdss温度特性分析由图可知MOSFET-Vdss耐压随温度升高而增加。 为什么MSOFET的VDS耐压随温度升高而增加,即呈现正温度系数呢?这是半导体硅材料的特性所决定的!MOS管是单子导电机理!载流子只有电子,温度升高,沟道电阻增加,电子迁移减少,电流变小!故耐压会增加!MOS管是单子导电机理!载流子只有电子,沟道夹断,电子无法通过沟道导通,单外延层中低参杂PN结中的电子迁移很小,温度升高,这种飘移电流变小!故其反向截止的损耗减小,雪崩能量增加,耐压
http://www.szyxwkj.com/Article/glmosgcsvd_1.html3星
[常见问题解答]MOS管保护措施技术详情解析[ 2020-11-16 16:24 ]
MOS管保护措施技术详情解析MOS管保护措施:功率MOS管的SOA曲线虽然功率MOS管有诸多优点,但在电路设计过程中,功率MOS管往往是最容易损坏的元件,要想安全可靠的使用好功率MOS管并不容易,因此功率MOS管的驱动和保护问题是功率器件设计的关键。图1为功率MOS管的安全工作区(SOA)曲线,晶体管的击穿电压决定了其最大的漏源电压VDS ,电迁移限制确定了晶体管的最大漏极电流ID。芯片的最高工作温度与散热共同决定了最大的稳态功PD。图中虚线表示的是SOA边界,实线显示了缩小的SOA区域,为该器件的实际情况。从图中
http://www.szyxwkj.com/Article/mosgbhcsjs_1.html3星
[常见问题解答]功率MOS管烧毁的原因分析(米勒效应)[ 2020-10-24 16:27 ]
功率MOS管烧毁的原因分析(米勒效应)Mos在控制器电路中的工作状态:开通过程(由截止到导通的过渡过程)、导通状态、关断过程(由导通到截止的过渡过程)、截止状态。Mos主要损耗也对应这几个状态,开关损耗(开通过程和关断过程),导通损耗,截止损耗(漏电流引起的,这个忽略不计),还有雪崩能量损耗。只要把这些损耗控制在mos承受规格之内,mos即会正常工作,超出承受范围,即发生损坏。而开关损耗往往大于导通状态损耗(不同mos这个差距可能很大。Mos损坏主要原因:过流----------持续大电流或瞬间超大电流引起的结温过
http://www.szyxwkj.com/Article/glmosgshdyy_1.html3星
[常见问题解答]MOS管G极串联小电阻的作用和MOS管极的测试步骤[ 2020-09-04 16:29 ]
MOS管G极串联小电阻的作用和MOS管极的测试步骤在电源电路中,功率MOS管的G极经常会串联一个小电阻,几欧姆到几十欧姆不等,那么这个电阻用什么作用呢?如上图开关电源,G串联电阻R13。这个电阻的作用有2个作用:限制G极电流,抑制振荡。限制G极电流MOS管是由电压驱动的,是以G级电流很小,但是因为寄生电容的存在,在MOS管打开或关闭的时候,因为要对电容进行充电,所有瞬间电流还是比较大的。特别是在开关电源中,MOS管频繁的开启和关闭,那么就要更要考虑这个带来的影响了。如上图,MOS管的寄生电容有三个,Cgs,Cgd,
http://www.szyxwkj.com/Article/mosggjclxd_1.html3星
[常见问题解答]MOS管知识科普-功率mos管为什么会被烧毁详解[ 2020-09-01 17:50 ]
MOS管知识科普-功率mos管为什么会被烧毁详解本文主要解析功率mos管为何会被烧毁。mos在控制器电路中的工作状态:开通过程(由截止到导通的过渡过程)、导通状态、关断过程(由导通到截止的过渡过程)、截止状态。Mos主要损耗也对应这几个状态,开关损耗(开通过程和关断过程),导通损耗,截止损耗(漏电流引起的,这个忽略不计),还有雪崩能量损耗。只要把这些损耗控制在mos承受规格之内,mos即会正常工作,超出承受范围,即发生损坏。而开关损耗往往大于导通状态损耗,不同mos这个差距可能很大。Mos损坏主要原因与Mos开关原
http://www.szyxwkj.com/Article/mosgzskpgl_1.html3星

地 址/Address

工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
电话:13534146615 企业QQ:2881579535

扫一扫!

深圳市壹芯微科技有限公司 版权所有 | 备案号:粤ICP备2020121154号