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[常见问题解答]稳压二极管击穿电流偏小时是否仍具稳压功能?[ 2025-03-28 11:16 ]
在电子设计与实际电路应用中,稳压二极管(Zener Diode)因其特有的反向击穿稳压特性而被广泛应用于电压钳位、稳压电源、信号保护等场合。然而,当电流条件未达标,特别是击穿电流偏小时,很多工程师会产生疑问:此时稳压管还能否发挥其应有的稳压作用?要回答这个问题,首先需要理解稳压二极管的工作原理。该器件在反向偏置状态下,当其两端电压达到标称击穿电压(Vz)时,会进入击穿区,此时电压基本保持不变,而电流则可以在一定范围内变化。这种特性使得其在一定电流范围内能够对电压进行有效稳定。然而,这个“稳定&rdquo
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[常见问题解答]优化电路设计:如何选择合适的TVS二极管最小击穿电压和击穿电流[ 2024-07-13 10:08 ]
一、TVS与压敏电阻的比较在众多电子设备的浪涌保护选择中,TVS二极管因其优异的性能,相较于传统的压敏电阻,显示出了明显的优势。压敏电阻,作为一种金属化物变阻器,与TVS二极管的特性参数相比,后者提供了更为迅速且稳定的保护效果。具体比较见下表所示。在处理静电、电机启动或近距离雷击时产生的电气瞬变,TVS二极管能即刻响应过电压,并将瞬态电压及能量导向大地,有效保护系统安全。二、瞬变电压抑制器的工作原理及关键特性瞬变电压抑制器,简称TVS,是一种二极管形式的高效保护器件。当其两极遭受反向瞬态高能量冲击时,TVS能在纳秒
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[常见问题解答]浪涌保护器件介绍[ 2023-02-10 16:53 ]
压敏电阻、气体放电管、TVS管(瞬间抑制二极管)三种器件都限压型的浪涌保护器件,都被用来在电路中用作浪涌保护,那么他们有什么之间有什么差异呢?压敏电阻压敏电阻的响应时间为ns级,比气体放电管快,比TVS管稍慢一些,一般情况下用于电子电路的过电压保护其响应速度可以满足要求。压敏电阻的结电容一般在几百到几千PF的数量级范围,很多情况下不宜直接应用在高频信号线路的保护中,应用在交流电路的保护中时,因为其结电容较大会增加漏电流,在设计防护电路时需要充分考虑。TVS管TVS和齐纳稳压管都能用作稳压,但是齐纳击穿电流更小,大于
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[常见问题解答]MOS管损坏的几种介绍[ 2022-09-17 16:07 ]
第一种:雪崩破坏如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压,而且达到击穿电压V(BR)DSS (根据击穿电流其值不同),并超出一定的能量后就发生破坏的现象。在介质负载的开关运行断开时产生的回扫电压,或者由漏磁电感产生的尖峰电压超出功率MOSFET的漏极额定耐压并进入击穿区而导致破坏的模式会引起雪崩破坏。典型电路:第二种:器件发热损坏由超出安全区域引起发热而导致的。发热的原因分为直流功率和瞬态功率两种。直流功率原因:外加直流功率而导致的损耗引起的发热导通电阻RDS(on)损耗(高温时RDS(on)增大,导致
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[行业资讯]「IRF3710」MOS场效应管的损坏之谜 - 壹芯微[ 2021-07-28 09:40 ]
「IRF3710」解开MOS场效应管的损坏之谜 - 壹芯微型号:IRF3710(57A,100V)封装:TO-220/D2PAK/TO-262/TO-263品牌:壹芯微|类型:场效应管MOSFET多种封装 尺寸不同 参数一致 免费样品 欢迎咨询第一种:雪崩破坏如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压,而且达到击穿电压V(BR)DSS(根据击穿电流其值不同),并超出一定的能量后就发生破坏的现象。在介质负载的开关运行断开时产生的回扫电压,或者由漏磁电感产生的尖峰电压超出功率MOSFET的漏极额定耐压并进入击
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[常见问题解答]MOS管损坏原因-MOS管损坏常见的五种和分析[ 2020-12-09 15:37 ]
MOS管损坏原因-MOS管损坏常见的五种和分析MOS管损坏原因最常见有五种第一种:雪崩破坏如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压,而且达到击穿电压V(BR)DSS(根据击穿电流其值不同),并超出一定的能量后就发生破坏的现象。MOS管损坏原因在介质负载的开关运行断开时产生的回扫电压,或者由漏磁电感产生的尖峰电压超出功率MOSFET的漏极额定耐压并进入击穿区而导致破坏的模式会引起雪崩破坏。典型电路:第二种:器件发热损坏-MOS管损坏原因由超出安全区域引起发热而导致的。发热的原因分为直流功率和瞬态功率两种。
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[常见问题解答]什么是TVS管-它跟稳压管有什么区别-在电路设计是如何选择tvs管的耐压[ 2020-07-08 17:24 ]
什么是TVS管-它跟稳压管有什么区别-在电路设计是如何选择tvs管的耐压TVS和普通稳压二极管的区别一电流大小不同1TVS:TVS管齐纳击穿电流更小,大于10V的稳压只有1mA2稳压二极管:相对来说齐纳二极管击穿电流要大不少,但是齐纳二极管稳压精度可以做得比较高二分类不同1TVS:按极性分为单极性和双极性两种2稳压二极管:从稳压高低分为低压稳压二极管(<40V)高压稳压二极管(>200V);从材料分为N型P型三特点不同1TVS:单向TVS的V-I特性,单向TVS的正向特性与普通稳压二极管相同,反向击穿拐
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[常见问题解答]功率MOS管的5种损坏案例详解[ 2019-12-07 12:28 ]
功率MOS管的5种损坏案例详解[第一种]雪崩破坏如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压,而且达到击穿电压V(BR)DSS (根据击穿电流其值不同),并超出一定的能量后就发生破坏的现象。在介质负载的开关运行断开时产生的回扫电压,或者由漏磁电感产生的尖峰电压超出功率MOSFET的漏极额定耐压并进入击穿区而导致破坏的模式会引起雪崩破坏。典型电路:[第二种]器件发热损坏由超出安全区域引起发热而导致的。发热的原因分为直流功率和瞬态功率两种。直流功率原因:外加直流功率而导致的损耗引起的发热。导通电阻RDS(on)
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[常见问题解答]稳压二极管被击穿是为什么-壹芯微二极管[ 2018-12-25 18:45 ]
壹芯微作为国内专业生产稳压二极管的生产厂家,生产技术以及产品质稳定的把控已经是非常的成熟,进口的测试仪器,从原材料的采购到产品的出货,全程都有工程师把控,更有保障的帮助到客户的产品品质,协助客户朋友解决好问题也一直是壹芯微的宗旨,客户自身解决不了的问题,像今天有位客户来咨询说,稳压二极管被击穿是为什么,处理好这个问题后,壹芯微工程师都会来到这里,跟各位分享,方便后面有遇到相同的问题可以参考解决稳压二极管本来就是运用二极管电压击穿的效应来工作的,在击穿电压附近电压的微小波动造成击穿电流的急剧变化,以此原理来稳压,但电
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