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[常见问题解答]理解功率MOSFET体二极管反向恢复特性知识[ 2019-09-25 13:48 ]: 半桥、全桥和LLC的电源系统以及电机控制系统的主功率MOSFET、同步Buck变换器的续流开关管、以及次级同步整流开关管，其体内寄生的二极管都会经历反向电流恢复的过程。功率MOSFET的体二极管的反向恢复性能和快恢复二极管及肖特基二极管相比，其反向恢复速度要低很多，反向恢复电荷也要大很多，因此反向恢复的特性较差。这样，导致二极管的开关损耗增加，降低系统的效率，同时，也会产生较高的振铃，影响功率MOSFET的安全工作。功率MOSFET数据表中，通常给出了一定条件下的Qrr和反向恢复的时间，并没有给出和实际应用相关的; http://www.szyxwkj.com/Article/ljglmosfet_1.html

[常见问题解答]分析二极管反向恢复特性的影响[ 2019-03-13 17:36 ]: 壹芯微作为国内专业生产二极管的生产厂家,生产技术已经是非常的成熟,进口的测试仪器,可以很好的帮组到客户朋友稳定好品质,也有专业的工程师在把控稳定质量,协助客户朋友解决一直客户自身解决不了的问题,每天会分析一些知识或者客户的一些问题,来出来分享,今天我们分享的是，分析二极管反向恢复特性的影响,请看下方硅pn结二极管外加正向电压导通时,pn结上会有非平衡少数载流子的积累,形成所谓电荷存储效应。当二极管由正向导通转换为外加负电压截止时,这些存储的少数载流子的消失需要一定时间,这段时间就是二极管的反向恢复时间,这段时间里在; http://www.szyxwkj.com/Article/fxejgfxhft_1.html

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