p型半导体-N型半导体图解-形成定义与区别

p型半导体-N型半导体图解-形成定义与区别

p型半导体概述

p型半导体又称空穴型半导体，是以带正电的空穴导电为主的半导体。在纯硅中掺入微量3价元素铟或铝，由于铟或铝原子周围有3个价电子，与周围4价硅原子组成共价结合时缺少一个电子，形成一个空穴。空穴相当于带正电的粒子，在这类半导体的导电中起主要作用。

p型半导体的特点

掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能就越强。

p型半导体的形成

在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P型半导体。在P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电。由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故P型半导体呈电中性。空穴主要由杂质原子提供，自由电子由热激发形成。

p型半导体和N型半导体图解

p型半导体和N型半导体图解如下：