普通二极管和快恢复二极管的振铃吸收特性对比

普通二极管和快恢复二极管的振铃吸收特性对比

1、分别测量两个电源的振铃吸收电路中电容上的电压波形

1 号电源模块的振铃吸收电路由RS1M 快恢复二极管、1000v1000p 瓷片电容和200k 贴片电阻组成，下图是1 号电源的振铃吸收电路和示波器接入方法（示波器的地线接整流滤波后的正极，探头接吸收电路的中间；如果示波器的地线接电源负极，则测得的电压增加300 多V，测量精度也下降不少）

测得电压波形如下

IC 内的场管截断前，电容上的电压高于电源电压约99v，当场管截断时，振铃电压会将1000pF 电容充电到约142v，也就是电容上的电压上升约43v，但该电压在波峰后的192ns 时间内下降约33v 到约109v，然后间歇期放电到约99v，迎接下一个振铃波峰的到来。电容上电压快速下降的原因肯定是快速放电，而快速放电只能通过快恢复二极管RS1M，也就是说，虽然是快恢复二极管，但也存在反应时间（查资料得RS1M 的最大恢复时间为0.5μs），在本次测量中，是在192ns 时间内，二极管PN 结内的载流子尚未消失，所以可以反向导电，将波峰时给电容充的电释放约3/4，因为此时的释放，初级是回路的一部分，此时初级回路加反向电流，其感应是增大了次级正向电流，所以这3/4 是被电路回收利用了的，另外的1/4 在间歇期释放，这部分是损耗。这个电源电路的工作频率约63kHz，周期约16μs，振铃脉冲占不到1μs，也就是在约15μs 的时间，1000pF电容放电约9.5v，在平均电压约104v 下，200k 电阻可以将1000pF 电容放电104v/200k*15μs/1000pF=7.8v，实测是下降约10v，相差的约2v 可考虑为快恢复二极管的结电容影响以及测量误差。从这几个数值也可以求出振铃吸收电路中电阻消耗的功率，电阻上的平均电压为104v，消耗功率P=104*104/200000=0.054w，电容上另有约0.012w 的功率通过PN 结电容释放，这部分主要在开关管上损耗。

2 号电源的振铃吸收电路是普通整流二极管M7、1000v 1000p 瓷片电容和150k 贴片电阻组成，吸收电路电容上的电压波形如下

2 号电源的频率约48kHz，周期约21μs，可见由于周期更长，电阻更小，电容上的电压下降更多，约15v，同时，由于第一个振铃波峰过去后，振铃波谷时电容上电压下降较多，出现了较为明显的第二个振铃波峰。