MOS控制晶闸管(MCT)工作原理和优点概述

MOS控制晶闸管(MCT)工作原理和优点概述

在许多半导体控制器件中，MCT被认为是最新的。该器件基本上是一个晶闸管，在栅极结构中内置了两个MOSFET。甲MOSFET 被用于接通MCT和另一个用于将其关闭。该器件主要用于开关应用，具有高频，高功率，低导通电压等特性。MCT结合了具有再生作用的传统四层晶闸管和MOS管栅极结构的特征。在该器件中，所有栅极信号都相对于阳极施加，阳极作为参考。在通常使用的SCR中，阴极保持作为栅极信号的参考端子，这就是MCT内部的MOS管工作原理。

MCT单元的基本结构如下图所示。

MOS控制晶闸管（MCT）结构

实际上，MCT将包括数千个并联连接的基本单元，就像PMOSFET一样。这有助于获得设备的高载流能力。

MCT的等效电路如下图所示。

MOS控制晶闸管（MCT）等效电路

它由ON-FET，OFF-FET和两个晶体管组成。MCT的MOS结构表示在等效电路中。它由一个ON-FET，一个p沟道MOSFET和一个OFF-FET组成。npn和pnp晶体管都连接在一起，代表MCT的npnp结构。通过将箭头拉向栅极端子来表示n沟道MOSFET。通过将箭头拉离栅极端子来指示p沟道MOSFET。等效电路中的两个晶体管表明MCT中存在再生反馈，就像它是普通的晶闸管一样。MCT的电路符号如下所示。