MOS管的静态特性介绍（上）

MOS管的静态特性介绍（上）

目前MOSFET仍是数字集成电路广泛使用的器件，根据MOS管的静态模型，以NMOS为例，分析其电流电压特性。 器件部分涉及到很多半导体物理、器件物理相关知识，暂不深入探究，MOS管的基本结构如图所示。

<阈值电压>

MOS管强反型发生时VGS的值称为阈值电压VT。

强反型的发生：假设源、漏均接地，当栅电压开始为正时，与SiO2接触的硅表面多子（空穴）减少； 当栅电压升高，空间电荷区（也称耗尽层）开始出现； 栅电压继续升高到硅表面的电势达到临界值，出现强反型，发生的电压等于两倍的费米电势。

不同偏置条件下的阈值电压：

参数γ称为体效应（衬偏效应）系数，表明V某人的影响。 说明一点，源、漏极取决于两边电压的高低，在反型后多子流出的称为源极（Source），流入的称为漏极（Drain）。

<电阻工作区>

假设V 一般事务人员 >V T ，在漏区和源区之间加上一个小电压V DS 。

在沟道的x处，电压为V(x)，栅至沟道的电压为V 一般事务人员 -V(x)。 处于电阻工作区，电压在整个沟道超过了阈值电压，x点所感应出单位面积沟道电荷：

Qi（x） = –Cox [VGS – V（x） – VT]