MOSFET导通电阻Rds(ON)及VGS-结温-耐压的关系解析

MOSFET导通电阻Rds(ON)及VGS-结温-耐压的关系解析

导通电阻Rds(ON)是场效应管（MOSFET）的一项重要参数，mos管在越来越多的新能源和汽车电子应用中，都能发现MOSFET的身影，而且很多应用要求超低导通电阻的MOSFET功率器件。

什么是Rds(ON)？

Rds(ON)是MOSFET工作（启动）时，漏极D和源极S之间的电阻值，单位是欧姆。对于同类MOSFET器件，Rds(ON)数值越小，工作时的损耗（功率损耗）就越小。

mos管工作电路

对于一般晶体管，消耗功率用集电极饱和电压（VCE(sat)）乘以集电极电流（IC）表示：

PD＝（集电极饱和电压VCE(sat)）x（集电极电流IC）

对于MOSFET，消耗功率用漏极源极间导通电阻（Rds(ON)）计算。MOSFET消耗的功率PD用MOSFET自身具有的Rds(ON)乘以漏极电流（ID)的平方表示：

PD ＝（导通电阻Rds(ON)）x（漏极电流ID）2

由于消耗功率将变成热量散发出去，这对设备会产生负面影响，所以电路设计时都会采取一定的对策来减少发热，即降低消耗功率。