FET和BJT放大电路的比较介绍

FET和BJT放大电路的比较介绍

FET和BJT重要特性的比较

1）FET和BJT都有两个PN结，3个电极。 有如下的对应关系：

栅极g-->基极b 源极s-->发射极e 漏极d-->集电极c

2）都利用两个电极之间的电压控制流过第三个电极的电流来实现输入对输出的控制。

MOS ：栅-源电压vGS控制漏极iD , iD与vGS之间是平方律关系，为电压控制器件。

B J T： 基-射极间电压vBE控制集电极电流iC , iC与vBE之间是指数关系。 为电流控制器件。

3）MOS管的跨导gm不仅与VGSQ和开启（夹断）电压的差值（或IDQ）有关，而且还与其沟道的宽长比W/L 有关。 而BJT的gm 仅与ICQ有关 。

4）这两类器件的输出电阻ro都等于Early电压VA与静态电流（IDQ或ICQ）的比值。 通常BJT的VA比MOS管的VA大。 意味着 BJT的输出电阻ro 比MOS管的大。

5）MOS管的Kn与BJT的b 或a具有类似的性质，即它们主要取决于管子的固有参数（如，尺寸、参杂浓度、载流子迁移率等），而与它们所在的电路无关。

FET和BJT放大电路性能的比较