场效应管动态性能参数介绍

MOSFET场效应管动态性能参数介绍

本篇主要介绍MOSFET动态性能相关的参数。主要包括Qg、MOSFET的电容、开关时间等。参数列表如下所示

1、栅极电荷 ( Qg )

栅极电荷是指为导通MOSFET而注入到栅极电极的电荷量，有时也称为总栅极电荷。总栅极电荷包括 Qgs 和 Qgd。Q gs表示栅极-源的电荷量，Qgd 表示栅极-漏极的电荷量，也称米勒电荷量。

单位为库伦（C），总栅极电荷量越大，则导通MOSFET所需的电容充电时间变长，开关损耗增加。数值越小，开关损耗就越小，从而实现高速开关。换言之，栅极电荷也可以表示为器件转换为导通状态时电流进入选通端接的时间积分，此时开关损耗等于栅极电荷、栅电压和频率的乘积。

通常，MOSFET的芯片尺寸（表面积）越小，总电荷量就越小，但是导通电阻会变大，因此开关损耗与工作时的损耗之间存在一个平衡关系。

2、电容(Ciss, Coss, Crss)

Ciss, Coss, 和 Crss,跟栅极电荷一样影响着开关性能。MOSFET 作动的过程，就是栅极电压对源极、漏极电容充放电的过程。

Cgs：栅极和源极之间的等效电容。实际上控制电压输出后，就开始给电容Cgs开始充电，GS电容充电过程分三个阶段：

①上电瞬间电容等效成短路，GS电容的内阻为0，几乎所有的电流，都从电容上走；

②GS电容没有充满的情况下，电流分别从电阻及电容流过，但主要的电流依旧从电容走；