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[行业资讯]15N10场效应管参数|15N10(TO220,TO252)规格书资料|壹芯微[ 2022-02-25 16:44 ]
15N10场效应管参数|15N10(TO220,TO252)规格书资料|壹芯微 产品类型 场效应管 产品型号 15N10 极性 NPN 漏源电压 100V 漏极电流 14.7A 封装 TO-220,TO-251,TO-252
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[行业资讯]「15N10,20N03,70N03」关于MOS管三极管IGBT之间的关系-壹芯微[ 2021-07-27 09:10 ]
「15N10,20N03,70N03」关于MOS管三极管IGBT之间的关系-壹芯微型号:15N10(15A,100V) 20N63(20A,30V) 70N03(70A,30V)品牌:壹芯微|类型:场效应管MOSFET|封装:TO-252|多种封装 尺寸不同 参数一致 免费样品 欢迎咨询PN结:从PN结说起PN结是半导体的基础,掺杂是半导体的灵魂,先明确几点:1、P型和N型半导体:本征半导体掺杂三价元素,根据高中学的化学键稳定性原理,会有“空穴”容易导电,因此,这里空穴是“多子&
http://www.szyxwkj.com/Article/15n102mos_1.html3星
[行业资讯]15N10 TO-252参数和中文资料 - 场效应MOS管 - 壹芯微[ 2021-07-13 09:06 ]
15N10 TO-252参数和中文资料 - 场效应MOS管 - 壹芯微15N10(15A,100V N沟道场效应功率管)品牌:壹芯微|类型:场效应管|封装:TO-252|参数达标 质量稳定 免费样品 欢迎咨询15N10场效应管主要参数参数\型号15N10极性NID(A)15VDSS(V)100RDS(ON):Max(Ω)0.078RDS(ON):VGS(Ω)10VGS(th):(V)1~2.5Gfs(min):(S)4.8Gfs(min):Vgs(V)10Gfs(min):Io(A)7.5封装TO-252概述:壹芯
http://www.szyxwkj.com/Article/15n10to252_1.html3星
[常见问题解答]〔壹芯〕生产15N10场效应管15A-100V,参数达标,质量稳定[ 2021-06-07 10:46 ]
〔壹芯〕生产15N10场效应管15A-100V,参数达标,质量稳定场效应管(MOSFETS)型号:15N10       极性:NIDA(A):15       VDSS(V):100RDS(on) MAX(Ω):0.078 VGS(V):10 VGS(th) (V):1~1.25Gfs(min) (S):4.8 Vgs(V):10 Io(A):7.5封装:TO-252半导体分立器件所立器件是与集成器件相对应的一个概念,从结构和用途上看,半导体分立器件是半导极管、半导体三极管以及其他半导体器件的统称。二极
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