场效应管源极和漏极的区别漏极外接二极管(Drain-Source Diode,简称D-S二极管)在MOSFET电路中起到了重要的作用,本文将介绍MOSFET源极和漏极之间的区别。首先,让我们一起了解一下MOSFET的基本结构。MOSFET是金属-氧化物-半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)的简称。它由一个绝缘层上方的金属接电极(Gate极)、一个隔离的绝缘层和P型或N型的半导体材料组成。这两个区域分别称为漏区(Drain Regio
场效应管体二极管的作用介绍体二极管是MOS管中的一个重要组成部分,它是衬底B与漏极D之间的PN结。由于把B极和S极短路了,因此出现了SD之间的体二极管。今天我们简单来讲下关于体二极管在MOS管中的作用,以及它能承受多大电流。MOS管体二极管是什么?MOS管有源极-衬底、漏极-衬底间俩PN结,由于源极S和衬底B短接,剩下漏极-源极间一个PN结,这个就是体二极管,又称寄生二极管。体二极管的导通电流取决于 MOS 管的工艺和结构,(体二极管图片)MOS管体二极管的作用?MOS管体二极管的一个重要作用是防止VDD(电源电压