用双MOS怎么设计负载开关

用双MOS怎么设计分立式负载开关

引言：基于单个MOSFET拓扑的负载开关只能阻断一个方向的电流，由于MOSFET有一个固有的体二极管，如果存在反向电流，它们的作用就像处于导通状态的二极管。

在一些应用中，需要能够阻断两个方向的电流，例如电池驱动应用，其中应防止电池在充电器连接器侧短路等故障情况下放电，或在电气故障导致连接电缆和交流适配器泄露的情况下放电。

1.具有反向电流保护的共漏极负载开关，共漏双NMOS

更全面的负载开关功能包括反向电压保护、反向电流保护，这些可以用共漏极或共源极配置的MOSFET实现。

阻断反向电流的常见方法是使用二极管。但是使用MOSFET负载开关可以更有效地实现该功能。为了实现两个电流方向的阻断，必须将两个MOSFET以相反的极性串联。如图4-1和 图4-2 ，在这种情况下，如果不是两个FET都打开，那么其中总有一个体二极管可以阻断对向的电流。这种方法允许创建两种反向驱动保护负载开关的替代拓扑，背靠背连接漏极或源极，称为共漏极或共源极。

图4-1：反向电流保护共漏双NMOS负载开关

图4-1为共漏极双NMOS高边负载开关，与单NMOS高边负载开关一样，需要有高于Vin的HV_Ctrl驱动。

图4-2：反向电流保护共漏双PMOS负载开关

图4-2为共漏极双PMOS高边负载开关，与单PMOS高边负载开关一样，Ctrl端需要可以达到接近等于或高于Vin的电平，若不能直接施加，则需要增加一个三极管或者MOS管驱动G极。

2.具有反向电流保护的共源极负载开关，共源双NMOS