用光耦合器驱动达林顿晶体管图解

在本系列中，我已经说明了许多电路组合。在上面的示意图中，我将TIP120达林顿功率晶体管用于高端（Vcc）开关。

这样做是因为很难在p沟道MOSFET上找到高电流，低电阻。我尝试使用的2个p沟道MOSFET IRF9540和IRF6930过热并且掉了很多电压。它们设计用于高压，低电流，高频开关。两者的抵抗力都很高。

MOSFET的源极栅极电压（Vgs）低，通常限制为20伏。这意味着如果没有完整的电路返工，我将无法使用24伏，36伏或48伏电动机。

注意：在此示例中，电机电压必须与12伏逻辑电压分开。

先进光半导体-光耦继电器

TIP120在60伏时的额定值为5安。当基极电流为20-30mA时，增益达到1000+。 4N25型光耦合器很容易提供这一点。 Rb为100欧姆。

跨集电极-发射极测量的饱和电压在3.6A时为2.1V。

请参见使用TIP120和TIP125功率达林顿晶体管的教程。

光耦合器不仅为更高的+ Vcc提供电压隔离，而且可以产生比我在此使用的CMOS逻辑更大的驱动电流。

MJE10005提供更大的电流能力，并在更高的电压下工作。但是当驱动器的基本电流为400mA至2A时，我所知道的任何光耦合器都无法提供。

因此，我使用了光电耦合器可以驱动的TIP41A晶体管，然后用它来驱动MJE10005。

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