收藏壹芯微 | 在线留言| 网站地图

您好!欢迎光临壹芯微科技品牌官网

壹芯微

深圳市壹芯微科技有限公司二极管·三极管·MOS管·桥堆

全国服务热线:13534146615

壹芯微二极管
首页 » 壹芯微资讯中心 » 常见问题解答 » 芯片设计时,可以动MOS管的哪些尺寸介绍

芯片设计时,可以动MOS管的哪些尺寸介绍

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2022-09-16 浏览:-

在上篇MOS管的工作原理中,讲到MOS管可以看成一个电容结构,当对该电容结构添加如下图所示外置电压时,在导体板上会出现正电荷,而P型硅上则会感应出负电荷。
21.jpg

但实际上,在通道形成之前还会有一种现象出现。

当VG从0开始变大时,栅极上正电荷变多,而这些正电荷会排斥P型硅内更多的正电荷,即空穴。当空穴往下移动时,在P型硅的上方,即P型硅与绝缘层的接触面附近会留下负离子。向下移动的空穴越多,留下的负离子越多,耗尽区越宽。因为这些负离子不能移动的,所以我们称充满负离子的这些区域为耗尽区。此时,在漏极和源极之间是没有电流流过,所以我们说MOSFET处于关闭状态。
22.jpg

当VG继续增大至Vth时,P型硅与绝缘层的接触面附近会产生自由电子。也就是说,此时在P型硅内存在两种负电荷,一种是自由电子,另一种为不自由的负离子。而这些自由电子,被称为channel,即通道。因为这些电子可以移动,而电子的移动即为电流,即这些自由电子可以传导电流。此时,MOSFET处于打开状态。

VG越大,通道中的自由电子的密度越高,源极和漏极之间的电阻越小。也就是这个电阻的大小受VG控制,即我们可以得到一个可变电阻。神奇不?可变电阻就可以用来做可调衰减器了。
23.jpg

MOSFET有三个尺寸,会影响其I/V特性曲线。这三个尺寸分别是氧化物的厚度tox、通道的长度L以及晶体管的宽度W。这边的I/V特性曲线可以从两方面看:(1) VG=常数,ID随着VD变化的曲线;(2) VD=常数,ID随着VG变化的曲线。
24.jpg

氧化物的厚度tox是怎么样影响I/V特性曲线的呢?Q=CV,tox减小,则C增大,所以Q增大,即自由电子的密度增大,对应源极和漏极之间的电阻变小,所以在给定电压下,电流变大。
25.jpg

通道的长度L是怎么样影响I/V特性曲线的呢?L增加,对应源极和漏极之间的电阻增大,所以在给定电压下,电流减小。
26.jpg

晶体管的宽度W是怎样影响I/V特性曲线的呢?晶体管的宽度W变大时,通道的宽度也会增大,则对应源极和漏极之间的电阻减小,所以在同样的电压下,电流减小。
27.jpg

tox,W和L都能影响MOSFET的性能。其中,氧化物的厚度tox是工艺决定的, 一旦工艺确定,对于所有的晶体管都是一样的。而晶体管的宽度W以及通道的长度L是芯片设计人员可以修改的。

壹芯微科技专注于“二,三极管、MOS(场效应管)、桥堆”研发、生产与销售,20年行业经验,拥有先进全自动化双轨封装生产线、高速检测设备等,研发技术、芯片源自台湾,专业生产流程管理及工程团队,保障所生产每一批物料质量稳定和更长久的使用寿命,实现高度自动化生产,大幅降低人工成本,促进更好的性价比优势!选择壹芯微,还可为客户提供参数选型替代,送样测试,技术支持,售后服务等,如需了解更多详情或最新报价,欢迎咨询官网在线客服!

手机号/微信:13534146615

QQ:2881579535

推荐阅读

【本文标签】:

【责任编辑】:壹芯微 版权所有:http://www.szyxwkj.com/转载请注明出处

最新资讯

1芯片设计时,可以动MOS管的哪些尺寸介绍

2MOS管的工作原理介绍

3反激电源MOS管两次振铃现象介绍

4MOS管寄生电容的形成介绍

5MOS管和IGBT的区别介绍

6IGBT模块及散热系统的等效热模型介绍

7差动放大电路介绍

8镜像恒流源电路分析介绍

9运算放大器 | 用虚短虚断来排查导致电路异常的原因介绍

10运算放大器的内部结构介绍

全国服务热线13534146615

地 址/Address

工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
电话:13534146615 企业QQ:2881579535

扫一扫!

深圳市壹芯微科技有限公司 版权所有 | 备案号:粤ICP备2020121154号